一种黑色膜层组件及其制备方法和电子设备技术

本申请提供了一种黑色膜层组件，包括基底以及设置在基底上的镀膜层，镀膜层包括交替层叠设置的金属层和无机化合物层，金属层为至少两层，无机化合物层为至少两层；基底具有相对设置的外表面和内表面，镀膜层设置在基底的外表面时，镀膜层远离基底一侧的最外层为无机化合物层，和/或镀膜层设置在基底的内表面时，镀膜层靠近基底一侧的最外层为无机化合物层，无机化合物层的折射率小于1.75，金属层的材质为铟、锡或铟锡合金。该黑色膜层组件的吸光率高，反射率和透过率极低，外观呈现真正的黑色，有利于其在电子设备中的应用。本申请还提供了黑色膜层组件的制备方法以及包括上述黑色膜层组件的电子设备。组件的电子设备。组件的电子设备。

【技术实现步骤摘要】
一种黑色膜层组件及其制备方法和电子设备


[0001]本申请涉及镀膜
，特别涉及一种黑色膜层组件及其制备方法和电子设备。

技术介绍

[0002]随着电子产品的发展，越来越多的电子产品呈现局部或整体一体黑的效果。相关技术中，往往进行镀膜来实现这一效果，但是目前制得的镀膜反射率和透过率较高，使得电子产品呈现灰黑色，无法实现真正的黑色。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供了一种黑色膜层组件，该黑色膜层组件的吸光率高，反射率和透过率极低，外观呈现真正的黑色，有利于其在电子设备中的应用。
[0004]第一方面，本申请提供了一种黑色膜层组件，包括基底以及设置在所述基底上的镀膜层，所述镀膜层包括交替层叠设置的金属层和无机化合物层，所述金属层为至少两层，所述无机化合物层为至少两层；所述基底具有相对设置的外表面和内表面，所述镀膜层设置在所述基底的外表面时，所述镀膜层远离所述基底一侧的最外层为无机化合物层，和/或所述镀膜层设置在所述基底的内表面时，所述镀膜层靠近所述基底一侧的最外层为无机化合物层，所述无机化合物层的折射率小于1.75，所述金属层的材质为铟、锡或铟锡合金。
[0005]可选的，所述金属层的厚度小于或等于50nm，以使得金属层能较好的吸收光能，同时使得未吸收的光能可以最大程度的穿过金属层，避免过多的反射，进而降低反射率。
[0006]可选的，所述金属层为单层或多层堆叠结构，有利于提高黑色膜层组件的吸光率。
[0007]可选的，所述无机化合物层的折射率小于1.5，更进一步的改变光线在黑色膜层组件的反射率和透过率，同时配合金属层使用，提高黑色膜层组件的吸光率。进一步的，所述无机化合物层的材质包括二氧化硅和氟化镁中的至少一种。
[0008]可选的，所述无机化合物层的厚度为20nm-90nm，以降低黑色膜层组件的反射率和透过率。
[0009]在本申请中，所述镀膜层设置在所述基底的外表面时，所述镀膜层远离所述基底一侧的最外层为无机化合物层，和/或所述镀膜层设置在所述基底的内表面时，所述镀膜层靠近所述基底一侧的最外层为无机化合物层。通过该设置，提高黑色膜层组件的吸光率。
[0010]可选的，所述黑色膜层组件的反射率小于5％，透过率小于1％。进一步的，所述黑色膜层组件的反射率小于或等于2.5％。更进一步的，所述黑色膜层组件的反射率小于或等于2％。具体的，所述黑色膜层组件的反射率可以但不限于小于或等于1％、0.5％、0.1％、0.05％或0.01％。
[0011]可选的，所述无机化合物层为单层或多层堆叠结构，以通过不同层结构的设置方法改变黑色膜层组件的反射率和透过率。
[0012]可选的，所述基底的材质包括玻璃、陶瓷、蓝宝石和塑胶中的至少一种。
[0013]本申请第一方面提供的黑色膜层组件对光线的反射率和透过率极低，具有优异的吸光性能，在不同波长的光线下均呈现黑色，有利于其应用。
[0014]第二方面，本申请提供了一种黑色膜层组件的制备方法，包括：
[0015]提供基底，所述基底具有相对设置的外表面和内表面，在所述基底的外表面和/或内表面上交替制备金属层和无机化合物层，制得镀膜层，其中，所述金属层为至少两层，所述无机化合物层为至少两层，所述镀膜层设置在所述基底的外表面时，所述镀膜层远离所述基底一侧的最外层为无机化合物层，和/或所述镀膜层设置在所述基底的内表面时，所述镀膜层靠近所述基底一侧的最外层为无机化合物层，所述无机化合物层的折射率小于1.75，所述金属层的材质为铟、锡或铟锡合金。
[0016]可选的，所述在所述基底上交替制备金属层和无机化合物层之前，还包括对所述基底进行清洗处理。
[0017]可选的，制备所述金属层包括采用物理气相沉积的方法制备所述金属层。进一步的，所述物理气相沉积的方法包括真空蒸镀、溅射和离子镀中的至少一种。更进一步的，制备所述金属层包括：采用真空蒸镀工艺制备所述金属层，所述真空蒸镀工艺包括在70℃-110℃、真空度0.007Pa-0.012Pa下蒸镀5min-20min。
[0018]可选的，制备所述无机化合物层包括采用物理气相沉积的方法制备所述无机化合物层。进一步的，所述物理气相沉积的方法包括真空蒸镀、溅射和离子镀中的至少一种。更进一步的，制备所述无机化合物层包括：采用真空蒸镀制备所述无机化合物层，所述真空蒸镀包括在70℃-110℃、真空度0.007Pa-0.012Pa、蒸发电流170mA-190mA下蒸镀5min-50min。
[0019]本申请第二方面提供的黑色膜层组件的制备方法工艺简单，易操作，可以实现黑色膜层组件的工业化生产。
[0020]第三方面，本申请提供了一种电子设备，包括第一方面所述的或第二方面所述的制备方法制得的黑色膜层组件。
[0021]在本申请中，黑色膜层组件可以直接与电子设备中的电子元器件配合使用，具体的可以但不限于为摄像头模组，以使黑色膜层组件与摄像头模组周围形成一体的黑色；黑色膜层组件还可以直接作为电子设备的外观件使用，以呈现出真正黑色外观，提高视觉效果。
[0022]本申请的有益效果：
[0023]本申请提供了一种黑色膜层组件，该黑色膜层组件的吸光率高，反射率和透过率极低，外观呈现真正的黑色，有利于其在电子设备中的应用；该黑色膜层组件的制备方法简单，易操作，有利于实现黑色膜层组件的工业化生产。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。此处所描述的实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0025]图1为本申请一实施方式提供的一种黑色膜层组件的结构示意图。
[0026]图2为本申请另一实施方式提供的一种黑色膜层组件的结构示意图。
[0027]图3为本申请另一实施方式提供的一种黑色膜层组件的结构示意图。
[0028]图4为本申请另一实施方式提供的一种黑色膜层组件的结构示意图。
[0029]图5为本申请另一实施方式提供的一种黑色膜层组件的结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0031]请参阅图1，为本申请一实施方式提供的一种黑色膜层组件的结构示意图，黑色膜层组件包括基底10以及设置在基底10上的镀膜层20，镀膜层20包括交替层叠设置的金属层和无机化合物层，金属层为至少两层，无机化合物层为至少两层；基底10具有相对设置的外表面101和内表面102，镀膜层20设置在基底10的外表面101，镀膜层20远离基底10一侧的最外层为无机化合物层，无机化合物层的折射率小于1.75，金属层的材质为铟、锡或铟锡合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种黑色膜层组件，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的镀膜层，所述镀膜层包括交替层叠设置的金属层和无机化合物层，所述金属层为至少两层，所述无机化合物层为至少两层；所述基底具有相对设置的外表面和内表面，所述镀膜层设置在所述基底的外表面时，所述镀膜层远离所述基底一侧的最外层为无机化合物层，和/或所述镀膜层设置在所述基底的内表面时，所述镀膜层靠近所述基底一侧的最外层为无机化合物层，所述无机化合物层的折射率小于1.75，所述金属层的材质为铟、锡或铟锡合金。2.如权利要求1所述的黑色膜层组件，其特征在于，所述金属层的厚度小于或等于50nm。3.如权利要求1所述的黑色膜层组件，其特征在于，所述无机化合物层的折射率小于1.5，所述无机化合物层的厚度为20nm-90nm。4.如权利要求3所述的黑色膜层组件，其特征在于，所述无机化合物层的材质包括二氧化硅和氟化镁中的至少一种。5.如权利要求1所述的黑色膜层组件，其特征在于，所述金属层为单层或多层堆叠结构，所述无机化合物层为单层或多层堆叠结构。6.如权利要求1所述的黑色膜层组件，其特征在于，所述黑色膜层组件的反射率小于5％，透过率小于1％。7.一种黑色膜层组件的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉阳，许旭佳，王继厚，马兰，胡威威，
申请(专利权)人：韶关比亚迪电子有限公司，
类型：发明
国别省市：