承载基板的载盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种承载基板的载盘，载盘具有支撑盘，支撑盘配置有多个容置空间，每一容置空间的边缘设置有多个肋条，每一肋条用于承载基板。每一肋条在第一平面上的投影形状是弧形，藉此，使基板与肋条的接触面积为2平方厘米以下。

Carrier Disk of Bearing Substrate

【技术实现步骤摘要】
承载基板的载盘
本技术为提供一种承载基板的载盘，特别是运用于有机金属化学气相沉积工艺中，承载基板的载盘。
技术介绍
有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术目前普遍使用在半导体Ⅲ-Ⅴ族外延生长工艺上。请参考图1，图1是传统载盘设置在MOCVD设备的示意图。如图1所示，先利用汽化器20使金属前驱物汽化，再以气体管线(未图示)输送至注入喷头21，并精确地控制气体流量与反应气体量，通过反应气体与置于载盘9上的基板W表面产生化学反应，以成长例如磷砷化镓等等外延层。MOCVD工艺的反应温度高达400℃至1200℃的范围，因此反应腔2须连接冷却系统22供以冷却。继续参考图2，图2是传统载盘在第一平面上的局部视图。如图2所示，载盘9具有盘体90，盘体90的圆周方向配置有多个圆形的凹陷部91，利用凹陷部91来固定基板W，凹陷部91的边缘设有环形部92，环形部92用以将基板W撑起，且基板W与凹陷部91的底面留有空隙。继续参考图3，图3是图2传统载盘在AA’沿线断面的局部视图。如图3所示，基板W被置放于载盘9上盘体90的凹陷部91时,基板W边缘会被位于凹陷部91边缘处的环形部92撑起,造成基板W边缘受热不均匀，进而导致基板W边缘成膜质量的差异性，外延层表面会不均匀。
技术实现思路
为了改善现有技术所提及的缺失，本技术的目的是提供一种承载基板的载盘，藉此用于有机金属化学气相沉积工艺，可以减少晶圆边缘热的不均匀分布,来获得较佳的外延层表面均匀性。为达上述目的，本技术的承载基板的载盘具有支撑盘，支撑盘配置有多个容置空间，每一容置空间的边缘设置有多个肋条，每一肋条用于承载基板。每一肋条在第一平面上的投影形状是弧形，藉此，使基板与肋条的接触面积不超过2平方厘米。基于上述，本技术的载盘设计将撑起基板的肋条小型化，以期减小基板与载盘间的热传导，进而改善基板边缘的热分布差异性与气流差异性。附图说明图1是传统载盘设置在MOCVD设备的示意图；图2是传统载盘在第一平面的局部视图；图3是图2的传统载盘在AA’沿线断面的局部视图；图4是根据本技术所述的技术是根据本技术所提供的技术，表示载盘在第一平面的局部视图；以及图5是根据本技术所述的技术是根据本技术所提供的技术，表示图4的载盘在BB’沿线断面的示意图；图6是根据本技术所述的技术是根据本技术所提供的技术，表示一较佳实施例的示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术特征及优点，能更为相关
人员所了解，并得以实施本技术，在此配合所附的图式、具体阐明本技术的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本技术特征有关的示意，并不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的
技术实现思路
，亦不再加以陈述。在本技术中，所述的X轴、Y轴与Z轴系采用右旋的笛卡尔坐标系(Cartesiancoordinatesystem)。定义X轴与Y轴所构成的平面为第一平面，X轴与Z轴所构成的平面为第二平面，Y轴与Z轴所构成的平面为第三平面。首先请参照图4，图4是根据本技术所述的技术是根据本技术所提供的技术，表示载盘在第一平面上的局部视图。如图4所示，本技术的承载基板的载盘具有支撑盘10，支撑盘10的圆周方向上配置有多个容置空间11，每一容置空间11的边缘设置有多个肋条12，每一肋条12用于承载基板S。每一肋条12在第一平面(俯视面)上的投影形状是弧形，藉此，使基板S与肋条12的接触面积为2平方厘米以下，优选为1平方厘米。在一实施例中，支撑盘10在第一平面(俯视面)上的投影形状是圆形，支撑盘10的直径是于500厘米至900厘米的范围，但不在此限。配置于支撑盘10的圆周方向上的每一容置空间11与支撑盘10的圆心对称。较优选地，多个容置空间11在第一平面(俯视面)上的投影形状是多个圆形，每一容置空间11的直径是于75厘米至350厘米的范围，每一容置空间11是用以容置直径为75厘米至350厘米范围的基板S，可对3吋、4吋、6吋、8吋、12吋的基板表面进行MOCVD成长外延层，基板可以是硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板等，但不在此限。在一实施例中，较优选地容置空间11容纳3个肋条12，每个肋条12的形状为弧形，与容置空间11的圆心在第一平面(俯视面)上中心对称，分别配置于容置空间11的边缘。继续参考图5，图5是根据本技术所述的技术是根据本技术所提供的技术，表示图4的载盘在BB’沿线断面的示意图。如图5所示，基板SS被置于支撑盘10的容置空间11时，基板S边缘会被位于容置空间11边缘处的肋条12撑起，且与容置空间11的底面留有空隙。较优选地，每一肋条12在第二平面(图4中BB’沿线断面)上的投影形状可以是长L为0.1厘米、宽T为0.4厘米的长方形，部以此为限，以达到小型化肋条12的效果。藉此，使基板S与肋条12的接触面积为2平方厘米以下，以减小基板S与载盘间的热传导。以下提供本技术不同实施例的详细内容，以更加明确说明本技术，然而本技术并不受限于下述实施例。请参考图6，图6是根据本技术所述的技术是根据本技术所提供的技术，表示一较佳实施例的示意图。如图6所示，先利用汽化器20使金属前驱物汽化，再以气体管线(未图示)输送至注入喷头21，并精确地控制气体流量与反应气体量，通过反应气体与置于支撑盘10上的基板S表面产生化学反应，以成长例如磷砷化镓等等外延层。MOCVD工艺的反应温度高达400℃至1200℃的范围，因此反应腔2须连接冷却系统22供以冷却。基板S被置于支撑盘10的容置空间11时，基板S边缘会被位于容置空间11边缘处的3个肋条12撑起，且基板S与容置空间11的底面留有空隙，每个肋条12与基板S的接触面积为2平方厘米以下，优选为1平方厘米，可最小化基板与载盘间的热传导。对于6吋或8吋的基板，可以提升基板边缘5厘米范围内的量率,获得10％～13％质量提升的晶粒。以上所述仅为本技术之较佳实施例，并非用以限定本技术之权利范围；同时以上的描述，对于相关
之专门人士应可明了及实施，因此其他未脱离本技术所揭示之精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请专利范围中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种承载基板的载盘，其特征在于，所述载盘具有支撑盘，所述支撑盘配置有多个容置空间，每一所述容置空间的边缘设置有多个肋条，每一所述肋条用于承载所述基板；其中，每一所述肋条在第一平面上的投影形状是弧形，藉此，使所述基板与所述肋条的接触面积为2平方厘米以下。

【技术特征摘要】
1.一种承载基板的载盘，其特征在于，所述载盘具有支撑盘，所述支撑盘配置有多个容置空间，每一所述容置空间的边缘设置有多个肋条，每一所述肋条用于承载所述基板；其中，每一所述肋条在第一平面上的投影形状是弧形，藉此，使所述基板与所述肋条的接触面积为2平方厘米以下。2.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，所述支撑盘在所述第一平面上的投影形状是圆形。3.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，每一所述容置空间是用以容置直径为75厘米至350厘米范围的基板。4.如权利要求1所述的承载基板的载盘，其特征在于，所述多个容置空间在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：大藤彻，张青洲，谢明达，
申请(专利权)人：捷苙科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71