本发明专利技术提供一种能够在谋求小型化的同时抑制由SH波造成的杂散、进而具有陡峭的滤波器特性并且通带宽的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，具备：LiNbO3基板(2)；第一弹性波谐振器，具有第一IDT电极以及第一电介质膜；以及第二弹性波谐振器，具有第二IDT电极以及第二电介质膜，利用瑞利波，第一电介质膜以及第二电介质膜的厚度不同，第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器中的弹性波的传播方向一致，LiNbO3基板(2)的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±10°)的范围内，将通过由第一IDT电极以及第二IDT电极的电极指间距确定的波长λ进行了归一化的主电极的厚度设为T，将主电极的密度(ρ)与Pt的密度(ρPt)的密度比(ρ/ρPt)设为r，此时，在0.055λ≤T×r≤0.10λ的范围内，θ满足下述式(1)。‑0.033/(T×r‑0.037)+29.99≤θ≤‑0.050/(T×r‑0.043)+32.45…(1)。
Elastic Wave Device, High Frequency Front End Circuit and Communication Device
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
本专利技术涉及利用了瑞利波的弹性波装置、使用了该弹性波装置的高频前端电路以及通信装置。
技术介绍
在下述的专利文献1、2公开了利用了瑞利波的弹性波装置。专利文献1的弹性波装置具备由弹性波谐振器构成的串联臂谐振器以及并联臂谐振器。为了得到具有陡峭的滤波器特性且通带宽的滤波器装置，在上述串联臂谐振器和上述并联臂谐振器中，构成弹性波谐振器的氧化硅膜的厚度不同。此外，为了抑制通带内的杂散，在构成上述串联臂谐振器的弹性波谐振器和构成上述并联臂谐振器的弹性波谐振器中，弹性波的传播方向不同。此外，下述的专利文献2的弹性波装置具有LiNbO3基板和包含以Au为主体的IDT电极的电极。在专利文献2中，记载了LiNbO3基板的欧拉角中的θ与电极的厚度处于特定的关系。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/098816号专利文献2：国际公开第2007/125734号
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在像专利文献1那样在多个弹性波谐振器中使弹性波的传播方向不同的情况下，芯片上的弹性波谐振器的配置的效率变差，难以谋求弹性波装置的小型化。此外，在氧化硅膜的厚度不同的多个弹性波谐振器中使弹性波的传播方向不同的情况下，有时在通带内或通带附近产生与想要抑制的杂散不同的杂散。在专利文献2中，欧拉角的θ与电极的厚度的上述特定的关系是宽的范围，因此在多个弹性波谐振器中使氧化硅的厚度不同的情况下，有可能会产生由SH波造成的杂散。本专利技术的目的在于，提供一种能够在谋求小型化的同时抑制由SH波造成的杂散、进而具有陡峭的滤波器特性并且通带宽的弹性波装置、使用了该弹性波装置的高频前端电路以及通信装置。用于解决课题的技术方案本专利技术涉及的弹性波装置具备：LiNbO3基板；第一弹性波谐振器，具有设置在所述LiNbO3基板上的第一IDT电极和设置为覆盖所述第一IDT电极的第一电介质膜；以及第二弹性波谐振器，具有设置在所述LiNbO3基板上的第二IDT电极和设置为覆盖所述第二IDT电极的第二电介质膜，利用瑞利波，所述第一电介质膜的厚度与所述第二电介质膜的厚度不同，所述第一弹性波谐振器中的弹性波的传播方向与所述第二弹性波谐振器中的弹性波的传播方向一致，所述LiNbO3基板的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±10°)的范围内，所述第一IDT电极以及所述第二IDT电极具有主电极，将通过由所述第一IDT电极以及所述第二IDT电极中的至少一者的电极指间距确定的波长λ进行了归一化的所述主电极的厚度设为T，将所述主电极的密度(ρ)与Pt的密度(ρPt)的密度比(ρ/ρPt)设为r，此时，在0.055λ≤T×r≤0.10λ的范围内，所述LiNbO3基板的欧拉角中的θ满足下述式(1)。-0.033/(T×r-0.037)+29.99≤θ≤-0.050/(T×r-0.043)+32.45…(1)在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述第一IDT电极以及所述第二IDT电极由相同的电极材料构成，且以相同的厚度构成。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述LiNbO3基板的欧拉角中的ψ处于-2°以上且2°以下的范围内。在该情况下，能够抑制与由SH波造成的杂散不同的杂散。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述第一电介质膜以及所述第二电介质膜分别以氧化硅为主成分。在该情况下，能够更进一步改善频率温度特性。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述第一弹性波谐振器为串联臂谐振器，所述第二弹性波谐振器为并联臂谐振器，至少由所述第一弹性波谐振器和所述第二弹性波谐振器形成梯型滤波器。在本专利技术的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述弹性波装置是双工器，所述双工器具备：发送滤波器，具有所述第一弹性波谐振器；以及接收滤波器，具有所述第二弹性波谐振器。本专利技术涉及的高频前端电路具备按照本专利技术构成的弹性波装置和功率放大器。本专利技术涉及的通信装置具备按照本专利技术构成的高频前端电路和RF信号处理电路。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种能够在谋求小型化的同时抑制由SH波造成的杂散、进而具有陡峭的滤波器特性并且通带宽的弹性波装置、高频前端电路、以及通信装置。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。图2的(a)是本专利技术的一个实施方式涉及的弹性波装置的电路图，图2的(b)是示出单端口型的弹性波谐振器的电极构造的示意性俯视图。图3是示出在本专利技术的一个实施方式涉及的弹性波装置中构成串联臂谐振器的第一弹性波谐振器的示意性剖视图。图4是示出在本专利技术的一个实施方式涉及的弹性波装置中构成并联臂谐振器的第二弹性波谐振器的示意性剖视图。图5是将第二弹性波谐振器中的弹性波的传播方向相对于第一弹性波谐振器中的弹性波的传播方向倾斜了1°时的示意性俯视图。图6是将第二弹性波谐振器中的弹性波的传播方向相对于第一弹性波谐振器中的弹性波的传播方向倾斜了2°时的示意性俯视图。图7的(a)是示出SiO2膜的厚度为0.2λ时的阻抗特性的图，图7的(b)是示出其反射损耗特性的图。图8的(a)是示出SiO2膜的厚度为0.3λ时的阻抗特性的图，图8的(b)是示出其反射损耗特性的图。图9的(a)是示出SiO2膜的厚度为0.4λ时的阻抗特性的图，图9的(b)是示出其反射损耗特性的图。图10的(a)是示出SiO2膜的厚度为0.5λ时的阻抗特性的图，图10的(b)是示出其反射损耗特性的图。图11的(a)是示出SiO2膜的厚度为0.6λ时的阻抗特性的图，图11的(b)是示出其反射损耗特性的图。图12的(a)是示出欧拉角的θ为27.5°时的阻抗特性的图，图12的(b)是示出其反射损耗特性的图。图13的(a)是示出欧拉角的θ为28.0°时的阻抗特性的图，图13的(b)是示出其反射损耗特性的图。图14的(a)是示出欧拉角的θ为28.5°时的阻抗特性的图，图14的(b)是示出其反射损耗特性的图。图15的(a)是示出欧拉角的θ为29.0°时的阻抗特性的图，图15的(b)是示出其反射损耗特性的图。图16的(a)是示出欧拉角的θ为29.5°时的阻抗特性的图，图16的(b)是示出其反射损耗特性的图。图17的(a)是示出欧拉角的θ为30.0°时的阻抗特性的图，图17的(b)是示出其反射损耗特性的图。图18的(a)是示出欧拉角的θ为30.5°时的阻抗特性的图，图18的(b)是示出其反射损耗特性的图。图19的(a)是示出欧拉角的θ为31.0°时的阻抗特性的图，图19的(b)是示出其反射损耗特性的图。图20的(a)是示出欧拉角的θ为31.5°时的阻抗特性的图，图20的(b)是示出其反射损耗特性的图。图21是示出欧拉角的θ与SH波的相对带宽的关系的图。图22是示出使SiO2膜的厚度变化时的欧拉角的θ与SH波的相对带宽的关系的图。图23是示出欧拉角的θ与Pt膜的厚度的关系的图。图24的(a)是示出欧拉角的ψ为0°时的阻抗特性的图，图24的(b)是示出其反射损耗特性的图。图25的(a)是示出欧拉角的ψ为2°时的阻抗特性的图，图25的(b)是示出其反射损耗特性的图。图26的(a)是示出欧拉角的ψ为4°时的阻抗特性的图，图26的(b)是示出其反射损耗特性的图。图27是本专利技术涉及的通信装置以及高频本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种弹性波装置，具备：LiNbO3基板；第一弹性波谐振器，具有设置在所述LiNbO3基板上的第一IDT电极和设置为覆盖所述第一IDT电极的第一电介质膜；以及第二弹性波谐振器，具有设置在所述LiNbO3基板上的第二IDT电极和设置为覆盖所述第二IDT电极的第二电介质膜，利用瑞利波，所述第一电介质膜的厚度与所述第二电介质膜的厚度不同，所述第一弹性波谐振器中的弹性波的传播方向与所述第二弹性波谐振器中的弹性波的传播方向一致，所述LiNbO3基板的欧拉角
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.20 JP 2016-2462671.一种弹性波装置，具备：LiNbO3基板；第一弹性波谐振器，具有设置在所述LiNbO3基板上的第一IDT电极和设置为覆盖所述第一IDT电极的第一电介质膜；以及第二弹性波谐振器，具有设置在所述LiNbO3基板上的第二IDT电极和设置为覆盖所述第二IDT电极的第二电介质膜，利用瑞利波，所述第一电介质膜的厚度与所述第二电介质膜的厚度不同，所述第一弹性波谐振器中的弹性波的传播方向与所述第二弹性波谐振器中的弹性波的传播方向一致，所述LiNbO3基板的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±10°)的范围内，所述第一IDT电极以及所述第二IDT电极具有主电极，将通过由所述第一IDT电极以及所述第二IDT电极中的至少一者的电极指间距确定的波长λ进行了归一化的所述主电极的厚度设为T，将所述主电极的密度(ρ)与Pt的密度(ρPt)的密度比(ρ/ρPt)设为r，此时，在0.055λ≤T×r≤0.10λ的范围内，所述LiNbO3基板的欧拉角中的θ满足下述式(1)，-0.033/(T×r...
【专利技术属性】
技术研发人员：三村昌和，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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