半导体器件和操作方法技术

本公开涉及一种半导体器件布置和一种操作半导体器件布置的方法。所述半导体器件可以被布置为用于双向操作。所述半导体器件布置可以包括：场效应集体管，其包括第一输入端子和第二输入端子；控制端子；连接在所述第一端子和所述控制端子之间的第一二极管；以及连接在所述第二端子和所述控制端子之间的第二二极管；其中所述第一端子和所述第二端子被配置和布置为连接到相应的信号线。

Semiconductor Devices and Operating Methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和操作方法
本公开涉及半导体器件和操作方法。具体地，本公开涉及双向器件和相关联的操作方法。更具体地，本公开涉及双向ESD保护器件。
技术介绍
静电放电(ESD)保护半导体器件一般可以被分类为单向的或者双向的。单向的ESD保护器件可以适合于保护ESD事件通常高于或低于预定参考电压的电路。因此，单向的器件的特征在于非对称的IV(电流-电压)特性；对于一个极性，击穿电压由正向偏置pn结限定，对于另一个相反的极性，击穿电压大得多。双向的ESD保护器件可以适合于保护ESD事件高于和低于预定参考电压的电路。因此，双向的器件的特征在于对称的IV(电流-电压)特性；对于两种极性，击穿电压都远大于正向电压。对于一些应用，双向的器件的击穿电压可以小于6伏，例如在2伏至4伏的范围内。同时，泄漏电流应该很小；这意味着泄漏电流小于1μA，优选地小于1nA。双向的ESD保护可以由两个背对背(即，阳极对阳极或阴极对阴极)连接的齐纳二极管提供。然而，利用这样的布置，由于齐纳隧穿是主要的击穿机制，因此不可能实现远低于6伏的击穿电压并且同时实现低泄漏电流。已知金属氧化物半导体(MOS)二极管具有低切换电压和低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件布置，其用于双向操作，所述半导体器件布置包括：场效应晶体管，其包括第一端子和第二端子；控制端子；第一二极管，其连接在所述第一端子和所述控制端子之间；以及第二二极管，其连接在所述第二端子和所述控制端子之间；其中，所述第一端子和所述第二端子被配置和布置为连接到相应的信号线。

【技术特征摘要】
2018.01.25 EP 18153485.01.一种半导体器件布置，其用于双向操作，所述半导体器件布置包括：场效应晶体管，其包括第一端子和第二端子；控制端子；第一二极管，其连接在所述第一端子和所述控制端子之间；以及第二二极管，其连接在所述第二端子和所述控制端子之间；其中，所述第一端子和所述第二端子被配置和布置为连接到相应的信号线。2.根据权利要求1所述的半导体器件布置，其中所述第一二极管的阳极连接到所述第一端子并且所述第一二极管的阴极连接到所述控制端子，并且所述第二二极管的阳极连接到所述第二端子并且所述第二二极管的阴极连接到所述控制端子。3.根据权利要求1所述的半导体器件布置，其中所述第一二极管的阴极连接到所述第一端子并且所述第一二极管的阳极连接到所述控制端子，并且所述第二二极管的阴极连接到所述第二端子并且所述第二二极管的阳极连接到所述控制端子。4.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件布置，其中所述场效应管还包括：第一导电类型的半导体衬底；以及第一端子区和第二端子区，其由所述半导体衬底隔开并且由第二导电类型形成，其中所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；和主体端子，其连接到所述半导体衬底。5.根据权利要求4所述的半导体器件布置，其中所述半导体衬底包括：第一主体二极管，其布置在所述主体端子和所述第一端子区之间；以及第二主体二极管，其布置在所述主体端子和所述第二端子区之间。6.一种静电放电保护布置，其包括前述任一项权利要求所述的半导体器件布置。7.一种集成电路，其包括第一域和第二域；其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯马丁·瑞特，安德里亚斯·齐默尔曼，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL