【技术实现步骤摘要】
一种分布反馈激光器阵列及其制造方法
本专利技术属于激光器
,具体涉及一种基于选择区域外延技术制造的分布反馈(DFB)激光器阵列及其制造方法。
技术介绍
随着信息技术向大容量、高集成化方向发展,在CWDM、DWDM、LAN-WDM等领域需要用到多种符合要求的激光器;通常地,采用多波长的分立器件进行整合封装,这在实际使用时成本、能耗都相对较高,同时产品体积偏大不利于进一步的集成化。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术实施例提出了一种基于选择区域外延技术制造分布反馈激光器阵列的方法,包括如下步骤:S1、在衬底上沉积缓冲层;S2、在缓冲层上生长光栅层,在不同区域制备周期不同的均匀光栅;S3、在光栅层上形成选择生长区域,对应不同周期的光栅形成不同的介质掩膜图形和不同的选择生长区域,使不同周期的光栅的位置与选择生长区域的位置相对应;S4、在选择生长区域依次生长间隔层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;S5、在选择生长区域表面形成介质掩膜,在选择生长区域以外的区域生长电流阻挡层;S6、去除选择生长区域表面的介质掩膜,再依次生长空间层和欧姆接触层。进一步,所述步骤S4和步骤S5之间还包括步骤S40:去除介质掩膜,采用稀释的氢溴酸溶液对选择区域生长边界的表面进行腐蚀修饰,去离子水冲洗,氮气吹干后,在650℃的温度下烘烤30min。进一步,不同周期光栅的波长在对应选择生长区域材料增益谱峰值左侧的20nm处。进一步,所述方法包括如下步骤:S1、在N-InP衬底上沉积800nmN-InP缓冲层;S2、在N-InP缓冲层上,生长100nmN-InGaAsP光栅层, ...
【技术保护点】
1.一种基于选择区域外延技术制造分布反馈激光器阵列的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、在衬底上沉积缓冲层;S2、在缓冲层上生长光栅层,在不同区域制备周期不同的均匀光栅;S3、在光栅层上形成选择生长区域,对应不同周期的光栅形成不同的介质掩膜图形和不同的选择生长区域,使不同周期的光栅的位置与选择生长区域的位置相对应;S4、在选择生长区域依次生长间隔层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;S5、在选择生长区域表面形成介质掩膜,在选择生长区域以外的区域生长电流阻挡层;S6、去除选择生长区域表面的介质掩膜,再依次生长空间层和欧姆接触层。
【技术特征摘要】
1.一种基于选择区域外延技术制造分布反馈激光器阵列的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、在衬底上沉积缓冲层;S2、在缓冲层上生长光栅层,在不同区域制备周期不同的均匀光栅;S3、在光栅层上形成选择生长区域,对应不同周期的光栅形成不同的介质掩膜图形和不同的选择生长区域,使不同周期的光栅的位置与选择生长区域的位置相对应;S4、在选择生长区域依次生长间隔层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;S5、在选择生长区域表面形成介质掩膜,在选择生长区域以外的区域生长电流阻挡层;S6、去除选择生长区域表面的介质掩膜,再依次生长空间层和欧姆接触层。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S4和步骤S5之间还包括步骤S40:去除介质掩膜,采用稀释的氢溴酸溶液对选择区域生长边界的表面进行腐蚀修饰,去离子水冲洗,氮气吹干后,在650℃的温度下烘烤30min。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,不同周期光栅的波长在对应选择生长区域材料增益谱峰值左侧的20nm处。4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:S1、在N-InP衬底上沉积800nmN-InP缓冲层;S2、在N-InP缓冲层上,生长100nmN-InGaAsP光栅层,采用电子束光刻在不同区域制备周期不同的均匀光栅,不同周期光栅的波长在对应选择生长区域材料增益谱峰值左侧的20nm处;S3、在光栅层上沉积介质层,再光刻形成直条状介质掩膜和直条状选择生长区域,对应不同周期的光栅形成不同的介质掩膜图形和不同的选择生长区域,使不同周期的光栅的位置与选择生长区域的位置相对应,所述选择生长区域的宽度为2.5μm;S4、在690℃下,在选择生长区域依次低速生长90nmN-InP间隔层、80nm无掺杂AlGaInAs下波导层、10层周期为15nm的压应变AlGaInAs多量子阱、80nm无掺杂AlGaInAs上波导层和50nmP-InP覆盖层;S40、去除介质掩膜,采用稀释的氢溴酸溶液对表面进行5s腐蚀修饰,去离子水冲洗,氮气吹干后,再将样品在650℃的温度下烘烤30min;S5、在步骤S40获得的样品表面沉积介质层,通过光刻在选择生长区域表面形成介质掩膜,在选择生长区域以外的区域,依次掩埋生长700nm掺Fe的半绝缘InP层和800nmN-InP层,形成电流阻挡层;S6、去除选择生长区域顶部的介质掩膜,再依次生长2000nmP-InP空间层和300nmP-InGaAs欧姆...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛正群,黄长统,苏辉,刘阳,吴林福生,杨重英,
申请(专利权)人:深圳市特发信息股份有限公司,中国科学院福建物质结构研究所,福建中科光芯光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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