一种散热型二极管结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种散热型二极管结构，包括芯片，所述芯片包括P区、连接在所述P区一端的阳极助焊层、N区、连接在所述N区一端的阴极助焊层，所述阳极助焊层另一端焊接有阳极焊脚，所述阴极助焊层另一端焊接有阴极焊脚，所述芯片外侧依次覆盖有抗氧化膜、环氧树脂层、保护壳，所述环氧树脂层与所述保护壳之间设有空隙，所述空隙内填充有若干球型硅胶颗粒。本实用新型专利技术提供的二极管结构，在环氧树脂层与保护壳之间增加一个间隙，间隙内填充有若干球型硅胶颗粒，降低了环氧树脂层的厚度，使芯片产生的热量能够通过球型硅胶颗粒之间的缝隙通过，提高了二极管的散热效果。

A Heat Dissipating Diode Structure

【技术实现步骤摘要】
一种散热型二极管结构
本技术涉及二极管
，具体涉及一种散热型二极管结构。
技术介绍
二极管又称晶体二极管，简称二极管。电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过称为顺向偏压，反向时阻断称为逆向偏压。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P型，另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N型半导体。在P型和N型半导体的交界处就形成一个PN结。一个PN结就是一个二极管，P区的引线称为阳极，N区的引线称为阴极。现有技术的二极管，一般使用较厚的环氧树脂包裹着芯片，全密封式的结构使得二极管的导热性能较差。
技术实现思路
针对以上问题，本技术提供一种散热型二极管结构，在环氧树脂层与保护壳之间增加一个间隙，间隙内填充有若干球型硅胶颗粒，降低了环氧树脂层的厚度，使芯片产生的热量能够通过球型硅胶颗粒之间的缝隙通过，提高了二极管的散热效果。为实现上述目的，本技术通过以下技术方案来解决：一种散热型二极管结构，包括芯片，所述芯片包括P区、连接在所述P区一端的阳极助焊层、N区、连接在所述N区一端的阴极助焊层，所述阳极助焊层另一端焊接有阳极焊脚，所述阴极助焊层另一端焊接有阴极焊脚，所述芯片外侧依次覆盖有抗氧化膜、环氧树脂层、保护壳，所述环氧树脂层与所述保护壳之间设有空隙，所述空隙内填充有若干球型硅胶颗粒。具体的，所述抗氧化膜为高密度聚乙烯膜。具体的，所述环氧树脂层与所述保护壳之间还连接有若干绝缘固定柱。具体的，所述保护壳上端设有两个限位凸，所述保护壳下端设有两个凹槽。具体的，所述保护壳上还设有若干散热通孔，所述散热通孔的孔径小于所述球型硅胶颗粒的粒径。本技术的有益效果是：第一、本技术的二极管，在环氧树脂层与保护壳之间增加一个间隙，间隙内填充有若干球型硅胶颗粒，降低了环氧树脂层的厚度，使芯片产生的热量能够通过球型硅胶颗粒之间的缝隙通过，提高了二极管的散热效果；第二、在保护壳上还设有若干散热通孔，热量通过散热通孔散发到外界，进一步提高二极管的散热效果；第三、在保护壳上端设有两个限位凸，下端设有两个凹槽，多个二极管叠放时，限位凸可陷入另一个二极管对应位置的凹槽内，提高摆放的整齐度。附图说明图1为本技术的一种散热型二极管结构的结构示意图。附图标记为：P区1、阳极助焊层2、阳极焊脚21、N区3、阴极助焊层4、阴极焊脚41、抗氧化膜5、环氧树脂层6、保护壳7、限位凸71、凹槽72、散热通孔73、球型硅胶颗粒8、绝缘固定柱9。具体实施方式下面结合实施例和附图对本技术作进一步详细的描述，但本技术的实施方式不限于此。如图1所示：一种散热型二极管结构，包括芯片，芯片包括P区1、连接在P区1一端的阳极助焊层2、N区3、连接在N区3一端的阴极助焊层4，阳极助焊层2另一端焊接有阳极焊脚21，阴极助焊层4另一端焊接有阴极焊脚41，芯片外侧依次覆盖有抗氧化膜5、环氧树脂层6、保护壳7，环氧树脂层6与保护壳7之间设有空隙，空隙内填充有若干球型硅胶颗粒8，降低了环氧树脂层6的厚度，使芯片产生的热量能够通过球型硅胶颗粒8之间的缝隙通过，提高了二极管的散热效果。优选地，抗氧化膜5为高密度聚乙烯膜，高密度聚乙烯膜的密封性好，能够保护芯片不被氧化。优选地，为了固定更好地环氧树脂层6与保护壳7的位置，环氧树脂层6与保护壳7之间还连接有若干绝缘固定柱9。优选地，保护壳7上端设有两个限位凸71，保护壳7下端设有两个凹槽72，多个二极管叠放时，限位凸71可陷入另一个二极管对应位置的凹槽72内，提高摆放的整齐度。优选地，保护壳7上还设有若干散热通孔73，散热通孔73的孔径小于球型硅胶颗粒8的粒径，热量通过散热通孔73散发到外界，进一步提高二极管的散热效果。以上实施例仅表达了本技术的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热型二极管结构，包括芯片，其特征在于，所述芯片包括P区(1)、连接在所述P区(1)一端的阳极助焊层(2)、N区(3)、连接在所述N区(3)一端的阴极助焊层(4)，所述阳极助焊层(2)另一端焊接有阳极焊脚(21)，所述阴极助焊层(4)另一端焊接有阴极焊脚(41)，所述芯片外侧依次覆盖有抗氧化膜(5)、环氧树脂层(6)、保护壳(7)，所述环氧树脂层(6)与所述保护壳(7)之间设有空隙，所述空隙内填充有若干球型硅胶颗粒(8)。

【技术特征摘要】
1.一种散热型二极管结构，包括芯片，其特征在于，所述芯片包括P区(1)、连接在所述P区(1)一端的阳极助焊层(2)、N区(3)、连接在所述N区(3)一端的阴极助焊层(4)，所述阳极助焊层(2)另一端焊接有阳极焊脚(21)，所述阴极助焊层(4)另一端焊接有阴极焊脚(41)，所述芯片外侧依次覆盖有抗氧化膜(5)、环氧树脂层(6)、保护壳(7)，所述环氧树脂层(6)与所述保护壳(7)之间设有空隙，所述空隙内填充有若干球型硅胶颗粒(8)。2.根据权利要求1所述的一种散热型二极管结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张炯，
申请(专利权)人：互创东莞电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44