高频板制造方法技术

本发明专利技术涉及线路板制造技术领域，提供了一种高频板制造方法，其包括料材预备、子板制备、压合连接和撕膜成型步骤。其中，在子板制备步骤中，先对PTFE基板依次进行基板前处理，再对下基面进行棕化处理，从而将PTFE基板制成PTFE子板，其中，在PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对下基面进行棕化处理之前，将保护膜可撕离地贴合至上基面；在压合连接步骤中，一并压合保护膜、PTFE子板和FR4母板，以使PTFE子板和FR4母板压接；在撕膜成型步骤中，将保护膜从PTFE子板上撕离。该高频板制造方法通过保护膜对PTFE基板的上基面进行保护，从而提高最终成型的高频板的信号传输的稳定性及完整性，并避免其在后续制作线路中出现线路开路或短路的情况。

Manufacturing Method of High Frequency Plate

【技术实现步骤摘要】
高频板制造方法
本专利技术涉及线路板制造
，尤其涉及一种高频板制造方法。
技术介绍
高频板是一种电磁频率较高的特种线路板，可用于高频、高速且远程地传输信号。为节约成本，传统的高频板多采用由PTFE材料制成的PTFE子板和由至少一张FR-4等级材料制成的FR4基板压合而成的FR4母板混压形成。然而，在PTFE子板和FR4母板混压形成高频板的制造过程中，质地较软的PTFE子板往往容易在压合过程中出现摩擦和碰撞所导致的变形，从而对最终成型的高频板的信号传输的稳定性及完整性造成较严重的影响；PTFE子板的外层还容易粘附半固化片粉尘等异物，为了信号传输的稳定性和完整性，压合后又不能通过磨板来清除异物，从而易导致在后续制作外层线路中出现开路或短路现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高频板制造方法，旨在解决现有高频板制造过程中，PTFE子板易变形而导致的信号传输的稳定性及完整性不佳、及PTFE子板外层易粘附异物而导致的在后续制作线路中线路开路或短路的问题。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种高频板制造方法，用于制作高频板，其中，所述高频板包括层叠设置的PTFE子板和FR4母板，包括以下步骤：料材预备，预备FR4母板、PTFE基板和保护膜，所述PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面；子板制备，先对所述PTFE基板依次进行基板前处理，再对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理，从而将所述PTFE基板制成PTFE子板，其中，在所述PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面；压合连接，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板从上往下依次层叠设置；撕膜成型，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离。进一步地，在所述压合连接步骤之前，且在所述料材预备步骤之后，还包括：压力平衡预备，在所述FR4母板的下侧板面上贴合平衡膜；其中，在所述压合连接步骤中，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板和所述平衡膜，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板和所述平衡膜从上往下依次层叠设置；而在所述撕膜成型步骤中，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离，并将所述平衡膜从所述FR4母板上撕离。进一步地，所述子板预备步骤与所述压力平衡预备步骤同步进行。进一步地，在所述压合连接步骤之前，且在所述子板制备步骤和所述压力平衡预备步骤之后，还包括：阻胶预备，在所述PTFE子板的上侧板面上贴合上离型膜，并在所述FR4母板的下侧板面上贴合下离型膜；其中，在所述压合连接步骤中，一并压合所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜从上往下依次层叠设置；而在所述撕膜成型步骤中，将所述上离型膜和所述保护膜从所述PTFE子板上撕离，并将所述平衡膜和所述下离型膜从所述FR4母板上撕离。进一步地，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之前，所述子板预备步骤还包括先用硫酸加双氧水微蚀所述上基面。进一步地，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，所述子板预备步骤还包括对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理。进一步地，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面的工序之后，且在对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理之前，所述子板预备步骤还包括将所述保护膜切割为内膜和连接于所述内膜周沿并呈环形设置的外模，并将所述外模从所述PTFE基板上撕离。进一步地，所述保护膜通过热压可撕离地贴合至所述上基面上。进一步地，对所述保护膜进行热压的温度为100℃±10℃，热压的压力值为90PSI。进一步地，在对所述PTFE基板依次进行基板前处理之前，所述子板预备步骤还包括通过隧道炉对所述PTFE基板进行去应力处理。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的高频板制造方法，其通过在对PTFE基板的下基面进行棕化处理之前，将保护膜可撕离地贴合至PTFE基板的上基面上，从而使得PTFE基板的上基面在对PTFE基板的下基面进行棕化处理时不受药水作用，该保护膜还可在压合连接步骤中对PTFE子板进行保护，防止其因碰撞或摩擦导致变形，还防止其沾染粉尘，从而保障最终成型的高频板的信号传输的稳定性及完整性，并避免其在后续制作线路中出现线路开路或短路的情况。附图说明图1是本专利技术实施例提供的高频板制造方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的PTFE子板和FR4母板压合连接时的截面示意图；图3是本专利技术实施例提供的PTFE子板的俯视图。附图标记：标号名称标号名称10高频板11PTFE子板12FR4母板20保护膜30平衡膜21内膜具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术实施例中的具体含义。以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行更加详细的描述：请参阅图1-3，本专利技术实施例提供了一种高频板制造方法，用于制作高频板10，其中，高频板10包括层叠设置的PTFE子板11和FR4母板12，该高频板制造方法包括料材预备、子板制备、压合连接和撕膜成型步骤。其中，在料材预备步骤中，预备FR4母板12、PTFE基板和保护膜20，PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面。在此需要说明的是，在本步骤中，FR4母板12的预备工序依次为：开料，将整张的FR4基板裁剪成至少一张预设规格尺寸的FR4基板；内层线路制作，先通过曝光对FR4基板进行基板内层图形转移，再通过显影将没有聚合反应的用于保护铜导体的膜显影掉，然后再通过酸性蚀刻液将没有膜保护的铜导体蚀刻掉，最后通过退膜液把保护铜导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频板制造方法，用于制作高频板，其中，所述高频板包括层叠设置的PTFE子板和FR4母板，其特征在于，包括以下步骤：料材预备，预备FR4母板、PTFE基板和保护膜，所述PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面；子板制备，先对所述PTFE基板依次进行基板前处理，再对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理，从而将所述PTFE基板制成PTFE子板，其中，在所述PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面；压合连接，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板从上往下依次层叠设置；撕膜成型，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离。

【技术特征摘要】
1.一种高频板制造方法，用于制作高频板，其中，所述高频板包括层叠设置的PTFE子板和FR4母板，其特征在于，包括以下步骤：料材预备，预备FR4母板、PTFE基板和保护膜，所述PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面；子板制备，先对所述PTFE基板依次进行基板前处理，再对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理，从而将所述PTFE基板制成PTFE子板，其中，在所述PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面；压合连接，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板从上往下依次层叠设置；撕膜成型，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离。2.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，在所述压合连接步骤之前，且在所述料材预备步骤之后，还包括：压力平衡预备，在所述FR4母板的下侧板面上贴合平衡膜；其中，在所述压合连接步骤中，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板和所述平衡膜，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板和所述平衡膜从上往下依次层叠设置；而在所述撕膜成型步骤中，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离，并将所述平衡膜从所述FR4母板上撕离。3.如权利要求2所述的高频板制造方法，其特征在于，所述子板预备步骤与所述压力平衡预备步骤同步进行。4.如权利要求2所述的高频板制造方法，其特征在于，在所述压合连接步骤之前，且在所述子板制备步骤和所述压力平衡预备步骤之后，还包括：阻胶预备，在所述PTFE子板的上侧板面上贴合上离型膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓青，陈前，张霞，王俊，
申请(专利权)人：深圳市景旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44