具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物制造技术

本发明专利技术涉及具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物，该多齿金属络合物可用作显示器和发光应用中的磷光发射器，其具有结构：

Phosphorescent Tetradentate Metal Complexes with Improved Emission Spectra

【技术实现步骤摘要】
具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物本申请是申请号为201410256105.3、申请日为2014年06月10日、专利技术名称为“具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物”的专利申请的分案申请。相关申请的交叉参考本申请要求2013年6月10日提交的题为“具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物”的美国申请61/833,091的优先权，将该申请的全部内容通过参考并入本申请。
本公开涉及多配位基的金属络合物和含有它的组合物，其可用作显示器和发光应用中的发射器，以及含有这些络合物和组合物的器件。
技术介绍
能够吸收和/或发射光的化合物能够理想地适合用于广泛的各种光学和光电器件，包括例如光吸收器件如日光-和光-敏感器件，有机发光二极管(OLED)，发光器件，或者能够同时吸收光和发射光的器件，和作为标记物用于生物应用。图1描述了OLED的实例。如图1中所示，OLED100可包含一层铟锡氧化物(ITO)作为阳极102，一层空穴传递物质(HTL)104，一层包含发射器和基质(host)的发光材料(EML)106，一层电子传递材料(ETL)108，和在基底112上的金属阴极层110。OLED100的发光颜色可通过发射材料层中的发射器的发射能量(光能隙，opticalenergygap)确定。已经投入了许多研究来探索和优化用于光学和光电器件例如OLED的有机和有机金属材料。通常，在这个领域中旨在达到许多目的，包括改进吸收和发射效率，以及改善加工能力。尽管在投入到光学和光电物质的研究中有显著进步，但是许多目前可获得的材料还显示出许多缺点，包括差的加工性，低效率的发光或者吸收，和低于理想的稳定性，等。因此，需要在光学发射和吸收应用中显示出改善的性能的新材料。
技术实现思路
多齿金属络合物和包含一种或多种所述络合物的组合物能够在有机发光二极管(OLED)，显示器和发光应用，和光伏器件中用作发射器。通常，化学结构的变化将会影响该化合物的电子结构，这由此又影响该化合物的光学性质(例如，发射和吸收光谱)。因此，能够调节或调整本申请所述的化合物至具体的发射或者吸收能量。在一些方面，本申请披露的化合物的光学性质能够通过改变包围金属中心的配体的结构来调节。例如，具有带有给电子取代基或吸电子取代基的配体的化合物通常显示出不同的光学性质，包括不同的发射和吸收光谱。如本申请所述的，该化合物的发射光谱可通过改变该辅助部分配体的取代基中的一个或多个来改变。在一些方面，发射光谱的一个或多个特征变得较窄或者较宽，显示出蓝移或者红移，或其组合。在第一个总的方面，组合物包含一种或多种下式的化合物:其中，对于所述一种或多种化合物的每一种：(L1^L2)表示所述化合物的发射部分，(L3^L4)表示所述化合物的辅助部分，L1，L2和L3各自独立地表示取代或未取代的芳族环、杂环基团、卡宾基团、或N-杂环卡宾，L4表示取代或未取代的芳族环、杂环基团、卡宾基团、N-杂环卡宾、氯(Cl)、氟(F)、腈、取代烷基、取代烯基、或C3-C6炔基，L1和L2直接连接，L2和L3直接连接或者通过连接原子A1连接，其中A1表示氧(O)，硫(S)，氮(N)，碳(C)，磷(P)，硅(Si)，或硼(B),L3和L4未连接、直接连接、或者当L4表示取代或未取代的芳族环、杂环基团、卡宾基团、或N-杂环卡宾时通过连接原子A2连接，V1、V2、V3和V4分别表示L1、L2、L3或L4的配位原子，其中V1、V2、V3和V4各自独立地表示氮(N)，碳(C)，磷(P)，硼(B)，或硅(Si),M表示铂(Pt)、金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、银(Ag)、汞(Hg)、镉(Cd)、或锆(Zr)，和Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示单-、二-、三、或四-取代，和各自独立地表示以下的一个或多个：氘，卤素原子，羟基，硫醇基团，硝基，氰基，取代或未取代的烷基，取代或未取代的卤代烷基，取代或未取代的芳烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的炔基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的氨基，取代或未取代的单-或二烷基氨基，取代或未取代的单-或二芳基氨基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的芳氧基，取代或未取代的杂芳基，烷氧基羰基，酰氧基，酰氨基，烷氧基羰基氨基，芳氧基羰基氨基，磺酰氨基，氨磺酰基，氨基甲酰基，烷基硫基，亚硫酰基，脲基，磷酰胺基，巯基，磺基，羧基，肼基，取代的甲硅烷基，聚合的基团，或其组合。具体实施方式可包括一个或多个以下特征。在一些情况中，例如，该聚合物型基团包括聚烯烃(聚亚烷基，polyalkylene)，聚醚，或聚酯。在某些情况下，对于所述化合物的至少一种，以下的至少一个是真的：Ra稠合至L1，Rb稠合至L2，Rc稠合至L3，和Rd稠合至L4。该组合物，或该组合物的化合物，可具有电中性。在第二个总的方面，发光器件包含第一个总的方面的组合物。在一些情况中，该发光器件包含有机发光二极管。在某些情况下，该发光器件是有机发光二极管。在第三个总的方面中，器件包含第一个总的方面的组合物或第二个总的方面的发光器件。该器件可包含例如全色显示器，光伏器件，或发光的(luminescent)或磷光显示器器件。在一些情况中，该器件包括有机发光二极管。在某些情况下，该器件是有机发光二极管。将会在以下的说明书中描述另外的方面。通过在权利要求中具体指出的元素和组合将会实现和达到各种优点。应该理解，前述的总的描述和下述的详细描述都是示例性的和解释性的，而不是限制性的。附图说明图1描述有机发光器件(OLED)。图2显示PtN1N，PtN1NMe，PtN1N-tBu，PtN1NPh和PtN1NCF3在CH2Cl2中在室温的发射光谱。图3显示PtON6，PtON6-tBu和PtON6Ph在CH2Cl2中在室温的发射光谱。图4显示PtON1，PtON1Me4，PtON1Me5，PtON1Me6，PtON1-tBu，PtON1Ph，PtON1NMe2，PtON1F和PtON1CF3在CH2Cl2中在室温的发射光谱。图5显示PtON1Me4在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77K的发射光谱图6显示PtON1Me5在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图7显示PtON1Me6在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图8显示PtON1-tBu在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图9显示PtON1NMe2在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图10显示PtON1Ph在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图11显示PtON1F在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图12显示PtON1CF3在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图13显示PtON1N在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱.图14显示PtON1Cz在CH2Cl2中在室温的和在2-甲基-THF中在77k的发射光谱。图15显示组合物A(PtON1)和组合物B(PtON6)的标准本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.包括下式的一种或多种化合物的组合物：

【技术特征摘要】
2013.06.10 US 61/833,0911.包括下式的一种或多种化合物的组合物：其中，对于所述一种或多种化合物的每一种：(L1^L2)表示所述化合物的发射部分，(L3^L4)表示所述化合物的辅助部分，L1、L2和L3各自独立地表示取代或未取代的芳族环、杂环基团、卡宾基团、或N-杂环卡宾，L4表示取代或未取代的芳族环、杂环基团、卡宾基团、N-杂环卡宾、氯(Cl)、氟(F)、腈、取代烷基、取代烯基、或C3-C6炔基，L1和L2直接连接，L2和L3直接连接或者通过连接原子A1连接，其中A1表示氧(O)、硫(S)、氮(N)、碳(C)、磷(P)、硅(Si)、或硼(B)，L3和L4未连接、直接连接、或者当L4表示取代或未取代的芳族环、杂环基团、卡宾基团、或N-杂环卡宾时通过连接原子A2连接，其中A2表示氧(O)、硫(S)、氮(N)、碳(C)、磷(P)、硅(Si)、或硼(B)，V1、V2、V3和V4分别表示L1、L2、L3或L4的配位原子，其中V1、V2、V3和V4各自独立地表示氮(N)、碳(C)、磷(P)、硼(B)或硅(Si)，M表示铂(Pt)、金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、银(Ag)、汞(Hg)、镉(Cd)、或锆(Zr)，和Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示单-、二-、三、或四-取代，并且各自独立地表示如下的一种或多种：氘、卤素原子、羟基、硫醇基团、硝基、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的单-或二烷基氨基、取代或未取代的单-或二芳基氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、烷氧基羰基、酰氧基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷基硫基、亚硫酰基、脲基、磷酰胺基、巯基、磺基、羧基、肼基、取代的甲硅烷基、聚合物型基团、或其组合。2.权利要求1的组合物，其中所述聚合物型基团包括聚亚烷基、聚醚、或聚酯。3.权利要求1的组合物，其中对于所述化合物的至少一种，以下的至少一个是真的：Ra稠合至L1，Rb稠合至L2，Rc稠合至L3，和Rd稠合至L4。4.权利要求1的组合物，其中所述组合物具有中性电荷。5.权利要求1的组合物，包括一种或多种具有下式的化合物：其中，对于各化合物：R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14各自独立地表示单-、二-、三、或四-取代，并且独立地表示氘、卤素原子、羟基、硫醇基团、硝基、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、氨基、单-或二烷基氨基、单-或二芳基氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、烷氧基羰基、酰氧基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷基硫基、亚硫酰基、脲基、磷酰胺基、巯基、磺基、羧基、肼基、取代的甲硅烷基、聚合物型基团、或其组合，各自独立地表示以下之一：其中R、R1、和R2各自独立地表示氘、卤素原子、羟基、硫醇基团、硝基、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、氨基、单-或二烷基氨基、单-或二芳基氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、烷氧基羰基、酰氧基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷基硫基、亚硫酰基、脲基、磷酰胺基、巯基、磺基、羧基、肼基、取代的甲硅烷基、聚合物型基团、或其组合，各自独立地表示以下之一：其中R、R1、R2和R3各自独立地表示氘、卤素原子、羟基、硫醇基团、硝基、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、氨基、单-或二烷基氨基、单-或二芳基氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、烷氧基羰基、酰氧基、酰氨基、烷氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：J李，G李，J布鲁克斯，
申请(专利权)人：代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会，通用显示器公司，
类型：发明
国别省市：美国,US