一种离型膜保护膜的硅转移测试方法技术

技术编号:21568658 阅读:38 留言:0更新日期:2019-07-10 14:43
本发明专利技术公开一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将胶带A的a1端贴附于离型膜的表面,并使用手指抚平,然后将胶带A与离型膜分离;步骤S3:使胶带A的a1端贴附于a2端的表面,同时使胶带B的b1端贴附于b2端的表面;步骤S4:分别施加作用力使胶带A、胶带B分离,并将施加的作用力分别记为F1、F2;步骤S5:设置范围并计算转移率P,其中转移率为P=F1/F2。本发明专利技术通过设置测试组以及对照组,并且将两组的测试数据进行计算,从而快速计算硅转移率,方便快捷,且测试结果准确率高。

A Silicon Transfer Testing Method for Separated Membrane Protective Film

【技术实现步骤摘要】
一种离型膜保护膜的硅转移测试方法
本专利技术涉及离型膜生产
,具体为一种离型膜保护膜的硅转移测试方法。
技术介绍
离型膜又称剥离膜、隔离膜、分离膜、硅油膜、防粘膜,是指表面具有分离性的薄膜,是将塑料薄膜做等离子处理,或涂氟处理,或涂硅离型剂于薄膜材质的表层上,如PET、PE、OPP等等,让它对于各种不同的有机压感胶可以表现出极轻且稳定的离型力,主要有基材,底胶和离型剂组成,在离型纸与离型膜的结构中,硅酮是重要的功能组分,起着与压敏胶分离的作用。然而在生产过程中,离型膜容易出现硅转移,影响产品的质量,进而需要离型膜的硅转移进行测试。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将胶带A的a1端贴附于离型膜的表面,并使用手指抚平,然后将胶带A与离型膜分离;步骤S3:使胶带A的a1端贴附于a2端的表面,同时使胶带B的b1端贴附于b2端的表面;步骤S4:分别施加作用力使胶带A、胶带B分离,并将施加的作用力分别记为F1、F2;步骤S5:设置范围并计算转移率P,其中转移率为P=F1/F2。优选的,步骤S1中截取胶带时,其中胶带A、胶带B等长、等宽,且两者型号形同。优选的,步骤S3中,胶带A的两端贴附的面积与胶带B两端贴附的面积相等。优选的,步骤S3中,将胶带A、胶带B两端贴附时,胶带A、胶带B的两端均为自然接触,且整体呈圆环状。优选的,步骤S5中,当P处于0.95-1的范围时,视为无硅转移;当P处于0.8-0.95的范围时,视为轻度硅转移;当P小于0.8时,视为严重硅转移。优选的,步骤S2中,将胶带A的a1端贴附于离型膜表面并采用手指抚平时,胶带A与离型膜的组合体整体确保无褶皱、凹痕,且胶带A与离型膜之间无气泡。优选的,步骤S4中,将胶带A的两端贴附以及胶带B的两端贴附时,胶带A两端的粘结处以及胶带B两端的粘结处整体确保无褶皱、凹痕,且两端的接触面无气泡。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:1、本专利技术通过设置测试组以及对照组,将测试组的胶带A的a1端依次与离型膜表面、a2端贴附,然后得出两a1端、a2端分离的作用力F1,同理得出对照组的作用力F2,将两组的测试数据进行计算,从而快速计算硅转移率,进一步的,根据生产需求,设定转移率范围,从而能够快速直观的判断离型膜是否合格;2、本专利技术通过对胶带A、胶带B截取的长度、宽度进行控制,胶带A的两端贴附的面积与胶带B两端贴附的面积相等,同时确保胶带A两端的粘结处以及胶带B两端的粘结处整体确保无褶皱、凹痕,且两端的接触面无气泡,从而有效的减小对测试结果产生影响的因素,确保测试结果的准确性。附图说明图1为一种离型膜保护膜的硅转移测试方法的步骤流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1,本专利技术提供一种技术方案:一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将胶带A的a1端贴附于离型膜的表面,并使用手指抚平,然后将胶带A与离型膜分离;步骤S3:使胶带A的a1端贴附于a2端的表面,同时使胶带B的b1端贴附于b2端的表面;步骤S4:分别施加作用力使胶带A、胶带B分离,并将施加的作用力分别记为F1、F2;步骤S5:设置范围并计算转移率P,其中转移率为P=F1/F2。本专利技术中,步骤S1中截取胶带时,其中胶带A、胶带B等长、等宽,且两者型号形同。本专利技术中,步骤S3中,胶带A的两端贴附的面积与胶带B两端贴附的面积相等,通过控制变量法,在保证接触面积相等的情况下,从而确保影响作用力的大小仅为转移硅。本专利技术中,步骤S3中,将胶带A、胶带B两端贴附时,胶带A、胶带B的两端均为自然接触,且整体呈圆环状。作为优选,步骤S5中,当P处于0.95-1的范围时,视为无硅转移;当P处于0.8-0.95的范围时,视为轻度硅转移;当P小于0.8时,视为严重硅转移,根据计算结果进行快速的判断硅转移率。作为优选,步骤S2中,将胶带A的a1端贴附于离型膜表面并采用手指抚平时,胶带A与离型膜的组合体整体确保无褶皱、凹痕,且胶带A与离型膜之间无气泡,使得胶带A的a1端表面与离型膜的表面充分接触,且能够有效的防止由于褶皱、凹痕对硅转移产生影响。作为优选,步骤S4中,将胶带A的两端贴附以及胶带B的两端贴附时,胶带A两端的粘结处以及胶带B两端的粘结处整体确保无褶皱、凹痕,且两端的接触面无气泡,减少褶皱、凹痕以及气泡对施加的作用力产生影响,从而确保测试结果的准确性。工作原理:根据具体的生产需要进行设定转移率范围,截取实验组胶带A、离型膜以及对照组,依次按照上述步骤进行测试,在测试后,计算硅转移率,并且将转移率将设置的范围进行比对,从而可快速的判断产品是否合格。需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将胶带A的a1端贴附于离型膜的表面,并使用手指抚平,然后将胶带A与离型膜分离;步骤S3:使胶带A的a1端贴附于a2端的表面,同时使胶带B的b1端贴附于b2端的表面;步骤S4:分别施加作用力使胶带A、胶带B分离,并将施加的作用力分别记为F1、F2;步骤S5:设置范围并计算转移率P,其中转移率为P=F1/F2。

【技术特征摘要】
1.一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将胶带A的a1端贴附于离型膜的表面,并使用手指抚平,然后将胶带A与离型膜分离;步骤S3:使胶带A的a1端贴附于a2端的表面,同时使胶带B的b1端贴附于b2端的表面;步骤S4:分别施加作用力使胶带A、胶带B分离,并将施加的作用力分别记为F1、F2;步骤S5:设置范围并计算转移率P,其中转移率为P=F1/F2。2.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S1中截取胶带时,其中胶带A、胶带B等长、等宽,且两者型号形同。3.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S3中,胶带A的两端贴附的面积与胶带B...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘勇雄
申请(专利权)人:深圳市普利司德高分子材料有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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