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本发明公开一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将...该专利属于深圳市普利司德高分子材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市普利司德高分子材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将...