一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭技术

本发明专利技术实施例提供了一种籽晶铺设方法，提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。该籽晶铺设方法中使用多晶硅层和引晶层组成籽晶层，可以显著减少扩散的各种杂质，大大降低硅锭中金属杂质，显著减少制备得到的多晶硅锭尾部红区。本发明专利技术还提供了多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭。

A seed laying method, preparation method of polycrystalline silicon ingot and polycrystalline silicon ingot

【技术实现步骤摘要】
一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭
本专利技术涉及多晶硅铸锭
，特别是涉及一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭。
技术介绍
现有多晶铸锭过程中，在高温下坩埚中的杂质特别是金属杂质会扩散进入硅锭中，导致靠近坩埚侧壁区域和底部区域出现寿命少于2us的低少子寿命的区域。多晶硅锭尾部低少子寿命区域也被行业内称为多晶硅锭尾部红区。由于将多晶硅锭尾部红区切片得到的多晶硅片制作成电池片效率偏低，一般会将多晶硅锭尾部红区进行切除，所以多晶硅锭底部红区的长短影响硅锭的出材率。目前，减少硅锭底部红区方法通常是使用高纯涂层坩埚，然而高纯涂层价格昂贵，增加了坩埚的采购成本，并且由高纯涂层坩埚的制备的半熔多晶硅锭底部红区的减少幅度有限。因此，有必要开发一种能够显著减少多晶硅锭尾部红区的方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭，该籽晶铺设方法中使用多晶硅层和引晶层组成籽晶层，可以显著减少扩散的各种杂质，大大降低硅锭中金属杂质，显著减少制备得到的多晶硅锭尾部红区。第一方面，本专利技术提供了一种籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种籽晶铺设方法，其特征在于，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。

【技术特征摘要】
1.一种籽晶铺设方法，其特征在于，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。2.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为5-10mm。3.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述多晶硅层的边缘与所述坩埚侧壁的间隔为10-25mm。4.如权利要求1-3所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述引晶层的厚度为10-20mm。5.如权利要求1-3所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述多晶硅层的中多晶硅片的纯度大于99.9999％。6.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述多晶硅层中，任意相邻两块所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐云飞，毛伟，何亮，雷琦，周成，李建敏，
申请(专利权)人：赛维LDK太阳能高科技新余有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36