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本发明实施例提供了一种籽晶铺设方法，提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅...
该专利属于赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司授权不得商用。

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