【技术实现步骤摘要】
一种多模式的ONFI接口发送电路
本技术涉及ONFI(OpenNANDFlashInterfaceSpecification)接口发送电路。
技术介绍
在ONFI接口电路中,不同模式的发送信号的电平规范跨度很大,从3.3V,1.8V,到1.2V。给设计带来很大难度,现有产品技术一般很难做到三者兼容。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种多模式的ONFI接口发送电路,解决了三种电压模式的兼容问题。实现上述目的的技术方案是:一种多模式的ONFI接口发送电路,包括上拉单元和下拉单元,其中,所述上拉单元包括3.3V的PMOS管(P型金属氧化物半导体场效应管)和3.3V的第一NMOS管(N型金属氧化物半导体场效应管),所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO;电源VDDIO由外部电源供给3.3V、1.8V或1.2V;所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接,作为输出端;所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A,所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B;所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管,该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C,分别控制第二NMOS管打开或关闭来发送低电平或高电平。优选的,所述的控制信号A、控制信号B和控制信号C均来自前级预驱动单元。优选的,发送低电平时,上拉单元关闭,下拉单元打开,控制信号A为3.3V,控制信号B为0V;发送高电平时:在3.3V模式中,控制信号A为0V,控制信号B为3.3V,所述PMOS管和所述第一NMOS管共同使信号上拉到3.3V;在1.2V或1.8V模式中,控制 ...
【技术保护点】
1.一种多模式的ONFI接口发送电路,其特征在于,包括上拉单元和下拉单元,其中,所述上拉单元包括3.3V的PMOS管和3.3V的第一NMOS管,所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO;电源VDDIO由外部电源供给3.3V、1.8V或1.2V;所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接,作为输出端;所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A,所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B;所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管,该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C,分别控制第二NMOS管打开或关闭来发送低电平或高电平。
【技术特征摘要】
1.一种多模式的ONFI接口发送电路,其特征在于,包括上拉单元和下拉单元,其中,所述上拉单元包括3.3V的PMOS管和3.3V的第一NMOS管,所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO;电源VDDIO由外部电源供给3.3V、1.8V或1.2V;所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接,作为输出端;所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A,所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B;所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管,该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C,分别控制第二NMOS管打...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔亮,刘亚东,庄志青,
申请(专利权)人:灿芯半导体上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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