【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有超晶格的Ⅲ-P发光器件相关申请的交叉引用本申请要求2016年7月28日提交的美国临时专利申请号62/367935、2017年7月26日提交的美国专利申请号15/660602和2016年9月29日提交的欧洲专利申请号16191414.8的优先权。美国临时专利申请号62/367935、美国专利申请号15/660602和欧洲专利申请号16191414.8并入本文。
技术介绍
相关技术的描述发光二极管(LED)在许多需要低功耗、小尺寸和高可靠性的应用中被广泛接受作为光源。在可见光谱的黄绿色至红色区中发射光的能量高效的二极管通常包含由AlGaInP合金形成的有源层。在可见光谱的UV到蓝色到绿色区中发射光的能量高效的二极管通常包含由III族氮化物合金形成的有源层。图1是在US6057563中稍微详细地描述的现有技术AlGaInP器件的截面视图。图1的器件包括:第一导电类型的GaAs衬底10;由AlAs/GaAs构成、并形成在衬底10上的布拉格反射器层11;在布拉格反射器层11上生长的第一导电类型的AlGaInP限制层12;在AlGaInP限制层12上生长的导电AlGaInP有源 ...
【技术保护点】
1. 一种器件,包括:半导体结构,包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ‑P发光层,所述n型区包括超晶格;以及在所述超晶格的与Ⅲ‑P发光层相对的表面上并与之接触的n接触金属,所述超晶格包括多个堆叠的层对,每个层对包括AlxGa1‑xInP(其中0<x<1)的第一层和AlyGa1‑yInP(其中0<y<1)的第二层,所述第一层具有比所述第二层更小的铝组分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.29 EP 16191414.8;2016.07.28 US 62/367935;21.一种器件,包括:半导体结构,包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ-P发光层,所述n型区包括超晶格;以及在所述超晶格的与Ⅲ-P发光层相对的表面上并与之接触的n接触金属,所述超晶格包括多个堆叠的层对,每个层对包括AlxGa1-xInP(其中0<x<1)的第一层和AlyGa1-yInP(其中0<y<1)的第二层,所述第一层具有比所述第二层更小的铝组分。2.根据权利要求1所述的器件,还包括:设置在所述p型区上的底部接触。3.根据权利要求1所述的器件,其中0.3≤x≤0.4且0.4≤y≤0.5。4.根据权利要求1所述的器件,其中0.2≤x≤0.5且0.3≤y≤0.65。5.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一和第二层掺杂有n型掺杂剂。6.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一和第二层中的至少一个相对于生长所述半导体结构的生长衬底是应变的。7.根据权利要求1所述的器件,其中所述超晶格与生长所述半导体结构的生长衬底晶格匹配。8.一种方法,包括:在生长衬底上生长n型超晶格,所述超晶格包括多个堆叠的层对,每个层对包括AlGaInP的第一层和AlGaInP的第二层,所述第一层具有比所述第二层更小的铝组分;在p型区上形成第一金属接触;在所述n型超晶格上直接生长发光区;在所述发光区上生长p型区;移除所述生长衬底以暴露所述超晶格的表面;并且在所述超晶格的暴露表面上直接形成第二金属接触。9.根据权利要求8所述的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:L布萨尔,T庄,S蔡,EC纳尔逊,PP德布,
申请(专利权)人:亮锐有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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