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一种器件，包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ‑P发光层。n型区包括超晶格。超晶格包括多个堆叠的层对，每个层对包括第一层和第二层。第一层具有比第二层更小的铝组分。...
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