一种多层散热结构整流硅堆制造技术

技术编号:21466683 阅读:45 留言:0更新日期:2019-06-26 12:33
本实用新型专利技术提供一种多层散热结构整流硅堆,从上至下依次包括第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板,第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板通过两侧的螺柱固定,中间留出散热间隔。所述的第一层PCB板上端和第四层PCB板的下端均安装有多个二极管,所述的第二层PCB板下端和第三层PCB板上端均安装有多个阻容吸收组件。不采用浇筑的密封结构,也不用笨重的散热片,采用多层空间的自然散热结构,体积小、散热好。

A Rectifier Silicon Reactor with Multilayer Heat Dissipation Structure

The utility model provides a rectifier silicon stack with multi-layer heat dissipation structure, which comprises the first PCB board, the second PCB board, the third PCB board and the fourth PCB board from top to bottom, and the first PCB board, the second PCB board, the third PCB board and the fourth PCB board are fixed through the studs on both sides, leaving a heat dissipation interval in the middle. The upper end of the first layer PCB board and the lower end of the fourth layer PCB board are both equipped with multiple diodes, and the lower end of the second layer PCB board and the upper end of the third layer PCB board are both equipped with multiple capacitive and resistive absorption components. No pouring sealing structure, no heavy heat sinks, multi-layer space natural heat dissipation structure, small size, good heat dissipation.

【技术实现步骤摘要】
一种多层散热结构整流硅堆
本技术涉及整流硅堆
,特别涉及一种多层散热结构整流硅堆。
技术介绍
多数量的二极管串联在一起被称为硅堆,一般被封在树脂胶内,是高压整流设备中必不可少的元器件。高压设备通常需要串联的二极管数量众多。常规的硅堆的结构是将多个二极管封闭浇筑在树脂胶内,造成其容量受限,散热效果不好。当高压设备中需要串联的二极管数量多时,普通硅堆使用起来很麻烦。公开号为CN205609524U的专利公开了一种组合式高压整流装置,虽然摒弃了浇筑式结构,采用了分层结构,但是采用了芯片型二极管,并采用了笨重并占用空间的散热片,造成结构笨重,体积大的结构缺点。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中所述问题,本技术提供一种多层散热结构整流硅堆,不采用浇筑的密封结构,也不用笨重的散热片,采用多层空间的自然散热结构,体积小、散热好。为了达到上述目的,本技术采用以下技术方案实现:一种多层散热结构整流硅堆,从上至下依次包括第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板,第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板通过两侧的螺柱固定,中间留出散热间隔。所述的第一层PCB板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层散热结构整流硅堆,其特征在于,从上至下依次包括第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板,第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板通过两侧的螺柱固定,中间留出散热间隔;所述的第一层PCB板上端和第四层PCB板的下端均安装有多个二极管,所述的第二层PCB板下端和第三层PCB板上端均安装有多个阻容吸收组件,所述的第二层PCB板下端的多个阻容吸收组件与第一层PCB板上端的多个二极管位置一一对应,所述的第三层PCB板上端的多个阻容吸收组件与第四层PCB板下端的多个二极管位置一一对应。

【技术特征摘要】
1.一种多层散热结构整流硅堆,其特征在于,从上至下依次包括第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板,第一层PCB板、第二层PCB板、第三层PCB板和第四层PCB板通过两侧的螺柱固定,中间留出散热间隔;所述的第一层PCB板上端和第四层PCB板的下端均安装有多个二极管,所述的第二层PCB板下端和第三层PCB板上端均安装有多个阻容吸收组件,所述的第二层PCB板下端的多个阻容吸收组件与第一层PCB板上端的多个二极管位置一一对应,所述的第三层PCB板上端的多个阻容吸收组件与第四层PCB板下端的多个二极管位置一一对应。2.根据权利要求1所述的一种多层散热结构整流硅堆,其特征在于,所述的第一层PCB板上端的多个二极...

【专利技术属性】
技术研发人员:张裕陈岗
申请(专利权)人:鞍山雷盛电子有限公司
类型:新型
国别省市:辽宁,21

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