The utility model discloses a device for preparing multilayer thin films, which relates to the material technology field. The device includes: the first chamber has a compatible space; the second chamber, the second chamber is located in the compatible space, and the second chamber contains the first material; the third chamber, the third chamber, the relative arrangement of the third chamber and the second chamber, and the location of the second chamber. The third chamber accommodates a second material, and the conveying mechanism is arranged in the accommodating space. The device solves the technical problem of increasing cost and occupying space by adding reaction chamber, gate valve, vacuum pump, vacuum manipulator and other components to the cluster film growth system in the existing technology, and achieves the technical effect of realizing multiple film growth in a single vacuum with small volume, simple device, high efficiency, simple operation and low cost.
【技术实现步骤摘要】
一种多层薄膜的制备装置
本技术属于材料
，尤其涉及一种多层薄膜的制备装置。
技术介绍
目前生长薄膜的方法主要有磁控溅射、真空蒸发、化学气相外延及原子层外延等。如果一次真空中生长多层不同材料的薄膜，便需要在同一真空腔内设置多种靶，或多种反应源。且随着对多层薄膜的质量要求的提高，多种材料生长过程中的相互污染显得更加显著。为此，单腔多靶的方式改进为多腔多靶，每个腔室就一个靶，腔室之间用真空机械手进行样品传输，称为集束型薄膜生长系统。但本申请技术人在实现本申请实施例中技术方案的过程中，发现上述现有技术至少存在如下技术问题：现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种多层薄膜的制备装置，解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加的技术问题，达到了单一真空中实现多种薄膜生长，体积小，装置简单，效率高，操作简单且成本低的技术效果。本技术实施例提供了一种多层薄膜的制备装置，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置...
【技术保护点】
1.一种多层薄膜的制备装置，其特征在于，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。
【技术特征摘要】
1.一种多层薄膜的制备装置，其特征在于，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传送机构包括：支撑杆，所述支撑杆设置在所述第二腔室与所述第三腔室之间；置物盘，所述置物盘与所述支撑杆垂直设置，所述置物盘相对所述第二腔室具有第一位置和第二位置，其中，所述第一位置为所述置物盘和所述第二腔室具有一预定距离，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏洋，
申请(专利权)人：嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33
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