一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于HIT电池ITO导电薄膜清洗技术领域，本实用新型专利技术公开了一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置，包括酸洗腔室、喷淋腔室和风淋烘干腔室；风淋烘干腔室包括风淋腔室和烘干腔室；酸洗腔室、喷淋腔室、风淋腔室和烘干腔室依次连接；酸洗腔室上设有储酸装置；喷淋腔室上设有去离子水储存装置；风淋腔室上设有高压空气存储装置；烘干腔室上设有加热装置，器具依次通过酸洗腔室、喷淋腔室、风淋腔室和烘干腔室后除去ITO薄膜。本实用新型专利技术具有减少备件需求量、减少筛选脱膜掩膜盖的人力和降低了人力与物力成本的特点。

A device for cleaning ITO film deposited on the surface of mask plate

The utility model belongs to the field of HIT battery ITO conductive film cleaning technology, and the utility model discloses a device for cleaning ITO film deposited on the surface of mask plate, including an acid washing chamber, a spraying chamber and an air-dried drying chamber; an air-dried chamber includes an air-dried chamber and a drying chamber; and an acid washing chamber, a spraying chamber, an air-dried chamber and a drying chamber are connected in turn. There are acid storage devices on the top, deionized water storage devices on the spray chamber, high-pressure air storage devices on the air shower chamber, and heating devices on the drying chamber, which remove ITO film successively through the pickling chamber, spray chamber, air shower chamber and drying chamber. The utility model has the characteristics of reducing the demand for spare parts, reducing the manpower of screening and removing mask and reducing the cost of manpower and material resources.

【技术实现步骤摘要】
一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置
本技术属于HIT电池ITO导电薄膜清洗
，具体涉及一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置。
技术介绍
HIT(HeterojunctionwithintrinsicThinlayer)太阳能电池，是一种利用晶体硅衬底和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点，是一种低价高效的太阳能电池。现有的HIT电池是需要在N型和P型非晶硅薄膜外利用磁控溅射的方法，沉积一层导电薄膜，其中最常见的即为ITO薄膜，最后再导电薄膜的表面制作电极。其中对于导电薄膜的要求是分别与N型与P型非晶硅接触，且在电池片的四周不能有任何的接触，否则会导致电池片的短路，造成报废。现有的技术是在磁控溅射沉积ITO的过程中利用掩膜盖，对电池片的四周进行0.5-0.7mm的掩膜，阻止ITO溅射沉积在电池片的四周。其主要缺点就是掩膜盖随着溅射沉积的次数逐渐增加，掩膜盖上会沉积一层较厚的ITO膜层。随着厚度的增加，膜层的附着力会逐渐下降。从掩膜盖上脱落的膜层，掉落在电池片上会遮挡电池片，并形成为镀膜的斑状区域，引起电池片不良与报废本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置，其特征在于：包括酸洗腔室、喷淋腔室和风淋烘干腔室；所述风淋烘干腔室包括风淋腔室和烘干腔室；所述酸洗腔室、喷淋腔室、风淋腔室和烘干腔室依次连接；所述酸洗腔室上设有储酸装置；所述喷淋腔室上设有去离子水储存装置；所述风淋腔室上设有高压空气存储装置；所述烘干腔室上设有加热装置，器具依次通过酸洗腔室、喷淋腔室、风淋腔室和烘干腔室后除去ITO薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置，其特征在于：包括酸洗腔室、喷淋腔室和风淋烘干腔室；所述风淋烘干腔室包括风淋腔室和烘干腔室；所述酸洗腔室、喷淋腔室、风淋腔室和烘干腔室依次连接；所述酸洗腔室上设有储酸装置；所述喷淋腔室上设有去离子水储存装置；所述风淋腔室上设有高压空气存储装置；所述烘干腔室上设有加热装置，器具依次通过酸洗腔室、喷淋腔室、风淋腔室和烘干腔室后除去ITO薄膜。2.根据权利要求1所述的一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置，其特征在于：所述酸洗腔室、喷淋腔室和风淋腔室还分别连有废液回收装置，所述烘干腔室还连有真空泵组。3.根据权利要求2所述的一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置，其特征在于：所述酸洗腔室内设有雾化装置和第一传送带；所述雾化装置包括耐酸管道和设于耐酸管道上的若干个雾化出口，每个雾化出口上设有雾化器；所述管道与储酸装置相通；所述第一传送带设于雾化器的下方；所述第一传送带下方设有第一废液引流机构；所述第一废液引流机构为具有第一斜面的三角形结构；所述废液回收装置包括第一废液回收室；第一斜面的低端与第一废液回收室连通。4.根据权利要求2所述的一种清洗沉积在掩膜盖板表面的ITO薄膜的装置，其特征在于：所述喷淋腔室内设有通水管道和第二传送带；所述通水管道与去离子水储存装置连接；所述通水管道上设有若干个出水口，每个出水口上设有出水喷头；所述第二传送带设于出水喷头的下方，第二传送带的下方设有第二废液引流机构；所述第二废液引流机构为具有第二斜面的三角形结构；所述废液回收装置还包括第二废液回...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁蕾，
申请(专利权)人：成都东腾薄膜太阳能有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51