导电性膜和导电性膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种导电性膜，具有：高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂且形成在基底树脂层之上的导电层。导电层的表面电阻值为1.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性膜和导电性膜的制造方法
本专利技术涉及导电性膜和导电性膜的制造方法。
技术介绍
作为使用于触控面板等的透明电极的ITO(氧化铟锡)膜的代替品的高透明性、高导电性薄膜的原料，金属纳米线近年来正受到瞩目。这种金属纳米线通常通过在聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇等多元醇存在的情况下加热金属化合物来制造(非专利文献1)。在专利文献1～3中公开在聚酯等高分子膜上直接形成了包含颗粒金属棒涂膜或金属纳米线的导电层的透明导电体。在这种情况下，通过将分散有颗粒状金属棒或金属纳米线的溶液直接涂敷在聚酯等高分子膜上，此后干燥去除溶剂成分从而形成导电层。此外，在专利文件3中也公开了一种用于形成透明导电膜的墨，其包含银纳米线、水性溶剂、纤维素系粘结剂树脂和表面活性剂。在专利文献4中，公开了作为形成透明导电体的材料等而有效的银纳米线墨。在专利文献5中公开了一种导电层形成用的组合物，其包含金属纳米线、聚乙烯乙酰胺、水/醇溶剂。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-279434号公报；专利文献2：日本特开2006-111675号公报；专利文献3：日本特表2009-505358号公报；专利文献4：日本特开20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性膜，其具有：高分子膜；基底树脂层，其形成在所述高分子膜的至少一面；以及导电层，其形成在所述基底树脂层之上，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线和粘结剂树脂，所述导电层的表面电阻值为1.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.28 JP 2016-2301221.一种导电性膜，其具有：高分子膜；基底树脂层，其形成在所述高分子膜的至少一面；以及导电层，其形成在所述基底树脂层之上，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线和粘结剂树脂，所述导电层的表面电阻值为1.0×102～1.0×106Ω/□且所述表面电阻值的偏差为15％以下。2.根据权利要求1所述的导电性膜，其中，所述导电层中的所述金属纳米线的占有面积率的范围为1.5～4.5％。3.根据权利要求1所述的导电性膜，其中，总透光率为80％以上且雾度值为0.1～1.5％。4.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性膜，其中，所述基底树脂层和所述导电层均包含树脂成分，所述树脂成分具有选自-SO3H或其金属盐、-COOH、-OH、-NH2中的任一个亲水基。5.根据权利要求4所述的导电性膜，其中，所述基底树脂层和所述导电层均由具有-SO3H或其金属盐或者-CO...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤平惠，清水诚吾，山田俊辅，山木繁，基里达·古纳努鲁克萨蓬，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP