高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。该高阻膜包括导电金属氧化物及掺杂在导电金属氧化物中的绝缘氧化物，高阻膜的方块阻抗为10

【技术实现步骤摘要】
高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置
本专利技术涉及电子产品
，特别是涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。
技术介绍
具有高阻抗特性的高阻膜用途广泛，可以应用于电子装置中，当高阻膜接地后，可以为触控装置屏蔽静电，也可以应用于液晶显示器中，作为控制元件，控制某些方向导通，某些方向断开，还可以作为电极。但是目前高阻膜的来源单一。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其触控装置。一种高阻膜，包括导电金属氧化物及掺杂在其中的绝缘氧化物，所述高阻膜的方块阻抗为105～1012Ω/□。高阻膜包括导电金属氧化物及掺杂在导电金属氧化物中的绝缘氧化物。在导电金属氧化物中掺杂绝缘氧化物，可以降低导电金属氧化物的导电性能，从而获得方块阻抗比导电金属氧化物自身方块阻抗更高的高阻膜。也即高阻膜的方块阻抗介于导电金属氧化物的方块阻抗与绝缘氧化物的方块阻抗之间，可以用于替代具有与其具有相同方块阻抗的导电金属氧化物膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。特别是，当需要的目标方块阻抗只能由某一价格昂贵的物质提供时，而且这种价格昂贵的物质还为稀缺物质(例如，铟)时，其储存量越来越少，且逐步趋于枯竭时，采用该高阻膜替代可以降低成本，避免资源枯竭。在其中一个实施例中，所述高阻膜的方块阻抗为106～108Ω/□。在一些应用场景中，需要高阻膜具有相对较好的导电性能，例如，将高阻膜用于控制某些方向导通，某些方向断开时，或者用于进行脉冲信号传递等，此时，为了兼顾导电性能与阻抗性能，高阻膜的方块阻抗优选为106～108Ω/□。在其中一个实施例中，所述高阻膜的方块阻抗为109～1011Ω/□。在一些应用场景中，需要高阻膜具有相对较高的方块阻抗，例如，将高阻膜用于屏蔽静电，此时，为了兼顾导电性能与阻抗性能，高阻膜的方块阻抗优选为109～1011Ω/□。在其中一个实施例中，所述导电金属氧化物为ZnO、TiO2、ZrO2、WO3、Nb2O5、In2O3、Ga2O3、SnO2、Sb2O3、CeO2、MnO2、V2O5、GeO2、Bi2O3及MoO3中的至少一种；所述绝缘氧化物为SiO2、Al2O3、Si3N4与AlN中的至少一种。上述的导电金属氧化物的价格均比上述的绝缘氧化物的价格贵，在价格较贵的导电金属氧化物中掺杂价格相对便宜的绝缘氧化物，不仅能获得高阻抗的高阻膜，还能降低高阻膜的成本。也即上述高阻膜相对于传统的纯导电金属氧化物膜还具有成本低的特点。在其中一个实施例中，所述导电金属氧化物的重量百分比为50～99，所述绝缘氧化物的重量百分比为1～50。根据实施例3～实施例6可知，导电金属氧化物的重量百分比为50～99，所述绝缘氧化物的重量百分比为1～50，可以兼顾导电性能及阻抗性能。在其中一个实施例中，所述导电金属氧化物的重量百分比为90～95，所述绝缘氧化物的重量百分比为5～10。根据实施例3～实施例6可知，导电金属氧化物的重量百分比为90～95，绝缘氧化物的重量百分比为5～10，可以使得导电性能及阻抗性能更好。在其中一个实施例中，所述高阻膜的厚度为5nm～50nm。根据实施例2可知，高阻膜厚度越大，高阻膜的透光率越低；高阻膜的厚度越大，高阻膜的方块阻抗先变小，再趋于稳定。为了兼顾透光率与阻抗性能，高阻膜的厚度为5nm～50nm。在其中一个实施例中，所述高阻膜的厚度为10nm～30nm。据实施例2可知，高阻膜的厚度为10nm～30nm，可以使得透光率与阻抗性能更好。一种复合膜，包括：上述高阻膜；以及功能层，层叠在所述高阻膜的至少一个表面。上述复合膜具有高阻抗且阻抗稳定的特点。在其中一个实施例中，所述高阻膜的两表面分别设有功能层，其中一功能层为透明基底，另一功能层为保护层。透明基底作为高阻膜的载体，保护层可以避免高阻膜因划伤等被损坏。在其中一个实施例中，所述复合膜还包括夹设于所述透明基底与所述高阻膜之间的打底层。打底层与高阻膜及透明基底均具有较强大附着力，打底层能增加高阻膜与透明基底的附着力。在其中一个实施例中，所述复合膜还包括设于所述保护层远离所述高阻膜的表面的抗指纹层。设置抗指纹层，可以避免复合膜残留指纹痕迹。在其中一个实施例中，所述复合膜还包括夹设于所述透明基底与所述高阻膜之间的抗眩层。设置抗眩层，可以抗眩光，避免晕眩。在其中一个实施例中，所述复合膜还包括夹设于所述高阻膜与所述透明基底之间的增透层。设置增透层，可以增加复合膜的光线透过率。在其中一个实施例中，所述复合膜还包括夹设于所述高阻膜与所述保护层之间的折射率调整层。折射率调整层用于降低高阻膜的可视性，避免高阻膜被人眼观察到，特别是避免具有一定图案的高阻膜被人眼观察到。一种电子装置，包括上述的复合膜。上述复合膜可以应用于电子装置中，当高阻膜接地后，上述复合膜可以为电子装置屏蔽静电。上述复合膜还可以应用于液晶显示器中，高阻膜可以作为控制元件，控制某些方向导通，某些方向断开，或者用于进行脉冲信号传递等。上述复合膜还可以作为电极。附图说明图1为一实施方式的复合膜的结构示意图。具体实施方式下面结合附图及具体实施例对高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置进行进一步说明。如图1所示，复合膜10包括高阻膜11及功能层。在本实施方式中，高阻膜11的两表面分别设有功能层，其中一功能层为透明基底12，另一功能层为保护层13。在本实施方式中，采用磁控溅射的方式形成高阻膜11，透明基底12作为高阻膜11的载体。在其他实施方式中，透明基底12可以省略，直接将高阻膜11应用于电子装置中。保护层13可以避免高阻膜11因划伤等被损坏。可以理解，保护层13也可以省略。高阻膜11包括导电金属氧化物及掺杂在导电金属氧化物中的绝缘氧化物。在导电金属氧化物中掺杂绝缘氧化物，可以降低导电金属氧化物的导电性能，从而获得方块阻抗比导电金属氧化物自身方块阻抗更高的高阻膜11。也即高阻膜11的方块阻抗介于导电金属氧化物的方块阻抗与绝缘氧化物的方块阻抗之间(具体的，请参考实施了3～实施例6)，可以用于替代具有与其具有相同方块阻抗的导电金属氧化物膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。特别是，当需要的目标方块阻抗只能由某一价格昂贵的物质提供时，而且这种价格昂贵的物质还为稀缺物质(例如，铟)时，其储存量越来越少，且逐步趋于枯竭时，采用该高阻膜11替代可以降低成本，避免资源枯竭。绝缘氧化物的阻抗通常大于1012Ω/□。可以理解，在高阻膜11中，绝缘氧化物的含量越高，高阻膜11的阻抗越接近绝缘氧化物的阻抗，导电金属氧化物的含量越高，高阻膜11的阻抗越接近导电金属氧化物的阻抗。在本实施方式中，高阻膜11的阻抗为105～1012Ω/□。在一些应用场景中，需要高阻膜11具有相对较好的导电性能，例如，将高阻膜11用于控制某些方向导通，某些方向断开时，或者用于进行脉冲信号传递等，此时，为了兼顾导电性能与阻抗性能，高阻膜11的方块阻抗优选为106～108Ω/□。在一些应用场景中，需要高阻膜11具有相对较高的方块阻抗，例如，将高阻膜11用于屏蔽静电，此时，为了兼顾导电性能与阻抗性能，高阻膜11的方块阻抗优选为109～1011Ω/□。在本实施方式中，导电金属氧化物为二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高阻膜，其特征在于，包括导电金属氧化物及掺杂在其中的绝缘氧化物，所述高阻膜的方块阻抗为10

【技术特征摘要】
1.一种高阻膜，其特征在于，包括导电金属氧化物及掺杂在其中的绝缘氧化物，所述高阻膜的方块阻抗为105～1012Ω/□。2.根据权利要求1所述的高阻膜，其特征在于，所述高阻膜的方块阻抗为106～108Ω/□。3.根据权利要求1所述的高阻膜，其特征在于，所述高阻膜的方块阻抗为109～1011Ω/□。4.根据权利要求1所述的高阻膜，其特征在于，所述导电金属氧化物为ZnO、TiO2、ZrO2、WO3、Nb2O5、In2O3、Ga2O3、SnO2、Sb2O3、CeO2、MnO2、V2O5、GeO2、Bi2O3及MoO3中的至少一种；所述绝缘氧化物为SiO2、Al2O3、Si3N4与AlN中的至少一种。5.根据权利要求4所述的高阻膜，其特征在于，所述导电金属氧化物的重量百分比为50～99，所述绝缘氧化物的重量百分比为1～50。6.根据权利要求5所述的高阻膜，其特征在于，所述导电金属氧化物的重量百分比为80～95，所述绝缘氧化物的重量百分比为5～20。7.根据权利要求1所述的高阻膜，其特征在于，所述高阻膜的厚度为5nm～50nm。8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，唐彬，
申请(专利权)人：南昌欧菲光学技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36