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导电性膜和导电性膜的制造方法技术
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文档序号:21459615
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本发明提供一种导电性膜,具有:高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及,包含平均直径为1~100nm且长宽比的平均为100~2000的金属纳米线、和粘结剂树脂且形成在基底树脂层之上的导电层。导电层的表面电阻值为1.0×10...
该专利属于昭和电工株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过昭和电工株式会社授权不得商用。
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