封装体的反应层去除装置及去除方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种封装体的反应层去除装置及去除方法，该装置包括：转动件，所述转动件具有腔体和转动轴，所述转动件可绕所述转动轴转动；所述腔体内设置有多个第二金属微粒，且用于容纳多个返工封装体，所述返工封装体的引脚表面具有第一金属反应层；所述腔体内容纳有导电溶液，所述第二金属微粒在所述腔体的导电溶液中与所述第一金属反应层发生置换反应，以去除所述第一金属反应层。该装置可有效去除各封装体的引脚表面的第一金属反应层，对较多数量的封装体进行批量处理。

【技术实现步骤摘要】
封装体的反应层去除装置及去除方法
本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种封装体的反应层去除装置及去除方法。
技术介绍
目前，QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平无引脚封装)封装体中，有一种使用银凸点替代传统铜框架的封装形式，但是银凸点容易发生硫化，因此降低了封装产品的良率，影响产品性能。目前去除银凸点硫化层的方法不适用于封装产品的批量处理，因此，需要一种有效去除封装产品硫化层的方法，且适用于对封装产品进行批量处理。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装体的反应层去除装置及去除方法，以解决相关技术中的不足。根据本专利技术的第一个方面，提供一种封装体的反应层去除装置，包括：转动件，所述转动件具有腔体和转动轴，所述转动件可绕所述转动轴转动；所述腔体内设置有多个第二金属微粒，且用于容纳多个返工封装体，所述返工封装体的引脚表面具有第一金属反应层；所述腔体内容纳有导电溶液，所述第二金属微粒在所述腔体的导电溶液中与所述第一金属反应层发生置换反应，以去除所述第一金属反应层。可选的，还包括：容器，所述容器中设置有所述导电溶液；所述转动件上还设置从转动件表面贯穿至所述腔体内的多个孔，所述转动件的至少部分位于所述导电溶液中，在所述转动件转动时，所述导电溶液经过所述孔可流入所述转动件的腔体内。可选的，还包括动力源，所述动力源与所述转动轴连接，所述动力源用于控制所述转动件绕所述转动轴转动。可选的，所述转动件和所述腔体的形状均为圆柱形。可选的，各所述孔均匀分布于所述转动件上。可选的，所述第二金属微粒的直径为0.5mm至1.5mm。可选的，所述第一金属反应层为硫化银层，所述第二金属微粒为铝材料微粒。可选的，所述导电溶液为碱性溶液。可选的，所述导电溶液为碳酸钠与所述氯化钠的混合溶液。可选的，所述碳酸钠与所述氯化钠的质量比为400:1-100:1。可选的，所述导电溶液的溶剂为去离子水。根据本专利技术的第二个方面，提供一种封装体的反应层去除方法，包括：将多个返工封装体和第二金属微粒放置于一转动件的腔体中，所述待返工封装体的引脚表面具有第一金属反应层；所述第二金属微粒在所述腔体的导电溶液中与所述第一金属反应层发生置换反应，以去除所述第一金属反应层。基于上述技术方案，该封装体的反应层去除装置，可同时将多个封装体于置转动件的腔体内，通过第二金属微粒与封装体的引脚表面的第一金属反应层在导电溶液中发生置换反应，可逐渐去除各封装体的引脚表面的第一金属反应层，对较多数量的封装体进行批量处理，由于转动件可以不断绕转动轴转动，可以使各返工封装体引脚表面的第一金属反应层与第二金属微粒充分接触，有效去除第一金属反应层，并且，由于各封装体置于导电溶液中，随着转动件的转动，各封装体之间也不会发生接触，不会对封装体造成损伤，不影响封装体产品的品质和良率。附图说明图1是根据本专利技术一实施例示出的封装体的反应层去除装置的结构示意图；图2是根据本专利技术一实施例示出的封装体的反应层去除方法的流程图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。下面参考附图详细描述本专利技术的各实施方式。目前对于使用银凸点替代传统铜框架的封装形式的QFN封装体而言，银凸点可作为引脚与其他外部元件连接，因此，银凸点需要暴露在封装体的外部，由于银凸点容易发生硫化，降低了封装产品的良率，影响产品性能，据此，本专利技术实施例提供了一种封装体的反应层去除装置，包括：转动件，转动件具有腔体和转动轴，转动件可绕转动轴转动；腔体内设置有多个第二金属微粒，且用于容纳多个返工封装体，返工封装体的引脚表面具有第一金属反应层；腔体内容纳有导电溶液，第二金属微粒在腔体的导电溶液中与第一金属反应层发生置换反应，以去除第一金属反应层。封装体指封装有芯片的结构，将芯片封装在塑封料内，露出芯片的引脚，以便通过引脚与外部元件连接，由于封装体的引脚暴露在塑封料外，因此，容易发生氧化或者硫化，在引脚的表面生成一层氧化层或者硫化层等反应层，例如，引脚如果是铜材料的引脚，在空气中被氧化后会生成一层氧化铜氧化层，如果是银材料的引脚，在空气中被硫化后会生成一层硫化银硫化层。返工封装体指其引脚的金属材料与空气中的氧或者硫等元素结合后在引脚表面形成氧化层或者硫化层等，需要进行返工修复去除该氧化层或者硫化层等反应层的封装产品，以下简称封装体。转动件具有腔体，腔体内设置有第二金属微粒，可将封装体放入腔体内，由于转动件腔体内容纳有导电溶液，第二金属微粒在导电溶液中可与第一金属反应层发生置换反应，第一金属反应层中与第一金属结合形成反应层的元素(例如氧或者硫)与第二金属结合，形成第二金属与该元素结合的物质(例如第二金属氧化物或者第二金属硫化物)，该物质进入导电溶液中，或者溶于导电溶液或者沉淀，第一金属反应层失去反应层中的元素变成单质，因此，引脚表面的第一金属反应层会被去除。对于第一金属层与第二金属微粒在导电溶液中发生置换反应的原理是利用电化学反应原理，第二金属微粒的金属元素与与第一金属结合形成反应层的元素的亲和力大于第一金属与该元素的亲和力，因此，当将第二金属微粒和第一金属反应层置于导电溶液中时，第二金属微粒的表面会有微弱电流，第二金属失去电子，第二金属失去电子后与形成反应层的元素(例如氧或者硫等)结合形成的物质进入导电溶液中，由于导电溶液具有导电性，第二金属失去的电子进入导电溶液，可在导电溶液中运动，第一金属反应层中的第一金属可从导电溶液中得到第二金属失去的电子，第一金属得到电子后变成第一金属单质，上述置换反应的过程会一直进行，因此，引脚表面的第一金属反应层被逐渐去除。本实施例中，可同时将多个封装体置于转动件的腔体内，通过第二金属微粒与封装体的引脚表面的第一金属反应层在导电溶液中发生置换反应，可逐渐去除各封装体的引脚表面的第一金属反应层，对较多数量的封装体进行批量处理，由于转动件可以不断绕转动轴转动，可以使各返工封装体引脚表面的第一金属反应层与第二金属微粒充分接触，可有效去除第一金属反应层，并且，由于各封装体置于导电溶液中，随着转动件的转动，各封装体之间也不会发生接触，不会对封装体造成损伤，不影响封装体产品的品质和良率。图1所示为本专利技术实施例提供的封装体的反应层去除装置的结构示意图，下面结合图1对该装置进行介绍。如图1所示，该装置除了包括上述的转动件外还可以包括容器，该装置具体包括以下结构：转动件10，转动件10具有腔体和转动轴11，转动件10可绕转动轴11转动；腔体内设置有多个第二金属微粒20，且用于容纳多个返工封装体(图中未示出)，返工封装体的引脚表面具有第一金属反应层；容器30，容器30中设置有导电溶液40；转动件10上还设置从转动件10表面贯穿至腔体内的多个孔(图中未示出)，转动件10至少部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装体的反应层去除装置，其特征在于，包括：转动件，所述转动件具有腔体和转动轴，所述转动件可绕所述转动轴转动；所述腔体内设置有多个第二金属微粒，且用于容纳多个返工封装体，所述返工封装体的引脚表面具有第一金属反应层；所述腔体内容纳有导电溶液，所述第二金属微粒在所述腔体的导电溶液中与所述第一金属反应层发生置换反应，以去除所述第一金属反应层。

【技术特征摘要】
1.一种封装体的反应层去除装置，其特征在于，包括：转动件，所述转动件具有腔体和转动轴，所述转动件可绕所述转动轴转动；所述腔体内设置有多个第二金属微粒，且用于容纳多个返工封装体，所述返工封装体的引脚表面具有第一金属反应层；所述腔体内容纳有导电溶液，所述第二金属微粒在所述腔体的导电溶液中与所述第一金属反应层发生置换反应，以去除所述第一金属反应层。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：容器，所述容器中设置有所述导电溶液；所述转动件上还设置从转动件表面贯穿至所述腔体内的多个孔，所述转动件的至少部分位于所述导电溶液中，在所述转动件转动时，所述导电溶液经过所述孔可流入所述转动件的腔体内。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括动力源，所述动力源与所述转动轴连接，所述动力源用于控制所述转动件绕所述转动轴转动。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述转动件和所述腔体的形状均为圆柱形。5.根据权利要求2所述的装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈莉，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32