【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、其制备方法及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、其制备方法及显示装置。
技术介绍
一般在显示面板中的阵列基板的制作过程中，需要用到掩膜版。由于不同结构的阵列基板对应的掩膜版的结构不同，使得需要制备多个不同结构的掩膜版以实现制备不同结构的阵列基板的要求。然而，掩膜版的价格较贵，导致生产成本增加。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板、其制备方法及显示装置，用以降低生产成本。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成信号走线的图形；其中，在垂直于所述信号走线沿延伸方向上，所述信号走线的截面具有第一区域和第二区域，且在垂直于所述衬底基板上，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度；在形成有所述信号走线的衬底基板上形成栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成第一光刻胶层；其中，对应所述第一区域的第一光刻胶层的厚度小于其余区域的第一光刻胶层的厚度；采用灰化工艺，去除对应所述第一区域的第一光刻胶层，并减薄其余区域的第一光刻胶层；采用第一刻蚀工艺，形成贯穿对应所述第一区域的栅绝缘层的过孔；剥离剩余的所述...
【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成信号走线的图形；其中，在垂直于所述信号走线沿延伸方向上，所述信号走线的截面具有第一区域和第二区域，且在垂直于所述衬底基板上，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度；在形成有所述信号走线的衬底基板上形成栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成第一光刻胶层；其中，对应所述第一区域的第一光刻胶层的厚度小于其余区域的第一光刻胶层的厚度；采用灰化工艺，去除对应所述第一区域的第一光刻胶层，并减薄其余区域的第一光刻胶层；采用第一刻蚀工艺，形成贯穿对应所述第一区域的栅绝缘层的过孔；剥离剩余的所述第一光刻胶层；在形成有所述...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成信号走线的图形；其中，在垂直于所述信号走线沿延伸方向上，所述信号走线的截面具有第一区域和第二区域，且在垂直于所述衬底基板上，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度；在形成有所述信号走线的衬底基板上形成栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成第一光刻胶层；其中，对应所述第一区域的第一光刻胶层的厚度小于其余区域的第一光刻胶层的厚度；采用灰化工艺，去除对应所述第一区域的第一光刻胶层，并减薄其余区域的第一光刻胶层；采用第一刻蚀工艺，形成贯穿对应所述第一区域的栅绝缘层的过孔；剥离剩余的所述第一光刻胶层；在形成有所述过孔的栅绝缘层的衬底基板上形成连接走线的图形，使所述连接走线通过所述过孔与所述信号走线电连接。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成信号走线的图形，具体包括：在所述衬底基板上形成第一信号走线膜层；在所述第一信号走线膜层上形成具有保留区、半保留区以及镂空区的第二光刻胶层的图形；其中，所述保留区对应所述信号走线的第一区域，所述半保留区对应所述信号走线的第二区域；采用第二刻蚀工艺去除对应所述镂空区的第一信号走线膜层；采用灰化工艺去除所述半保留区中的第二光刻胶层，并减薄所述保留区中的第二光刻胶层；采用第三刻蚀工艺减薄对应所述半保留区的第一信号走线膜层；剥离对应所述保留区的第二光刻胶层，形成所述信号走线的图形。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成连接走线的图形的同时，还包括：形成多条间隔排列的数据线的图形；其中，在垂直于所述数据线沿延伸方向上，所述数据线的截面具有第三区域和第四区域，并在垂直于所述衬底基板上，所述第三区域的厚度大于所述第四区域的厚度。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述连接走线以及多条间隔排列的所述数据线的图形，具体包括：在形成有所述过孔的栅绝缘层的衬底基板上形成第二信号走线膜层；在所述第二信号走线膜层上形成具有保留区、半保留区以及镂空区的第三光刻胶层的图形；其中，所述保留区对应所述连接走线与各所述数据线的第一区域所在区域，所述半保留区对应所述数据线的第二区域；采用第四刻蚀工艺去除对应所述镂空区的第二信号走线膜层；采用灰化工艺去除所述半保留区中的第三光刻胶层，并减薄所述保留区中的第三光刻胶层；采用第五刻蚀工艺去除...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁智勇，周宏儒，田茂坤，王恺，谌伟，豆远尧，王思江，黄中浩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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