【技术实现步骤摘要】
一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法
本专利技术涉及一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,属于半导体封装
技术介绍
传统的半导体封装技术中,去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的工艺为助焊剂预清洗,这种工艺的不足在于:1、助焊剂虽然参与了全过程,但在不同且区间发挥的作用不一样,当被焊基板金属表面可焊性不理想,助焊剂清洁作用不佳,会普遍出现虚焊,桥接等焊接缺陷;2、助焊剂预清洗工艺流程复杂,机台产能低。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提出一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法。本专利技术的目的将通过以下技术方案得以实现:一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,该方法包括以下步骤:S1:入料;将待清洗材料放置于传送网带上开始进入清洁流程;S2:喷洒浸泡;使用弱碱性药液对待清洗材料进行喷洒浸润,待清洗材料的金属表面有机可焊保护剂及氧化物与化学药液进行充分酸碱中和反应;S3:水洗;使用去离子水喷洒清洗经所述S2步骤得到的待清洗材料,洗净药液残留;S4:热风吹干;使用循环热风吹干所述S3步骤得到的待 ...
【技术保护点】
1.一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:S1:入料;将待清洗材料放置于传送网带上开始进入清洁流程;S2:喷洒浸泡;使用弱碱性药液对待清洗材料进行喷洒浸润,待清洗材料的金属表面有机可焊保护剂及氧化物与化学药液进行充分酸碱中和反应;S3:水洗;使用去离子水喷洒清洗经所述S2步骤得到的待清洗材料,洗净药液残留;S4:热风吹干;使用循环热风吹干所述S3步骤得到的待清洗材料,得到热风吹干后的待清洗材料进入下一焊接步骤。
【技术特征摘要】
1.一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:S1:入料;将待清洗材料放置于传送网带上开始进入清洁流程;S2:喷洒浸泡;使用弱碱性药液对待清洗材料进行喷洒浸润,待清洗材料的金属表面有机可焊保护剂及氧化物与化学药液进行充分酸碱中和反应;S3:水洗;使用去离子水喷洒清洗经所述S2步骤得到的待清洗材料,洗净药液残留;S4:热风吹干;使用循环热风吹干所述S3步骤得到的待清洗材料,得到热风吹干后的待清洗材料进入下一焊接步骤。2.根据权利要求1所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:在所述S2步骤中,所述弱碱性药液包括去离子水、胺类溶剂和脂肪醇类溶剂,去离子水的组分浓度范围为30-50%,胺类溶剂的组分浓度范围为20-40%,脂肪醇类溶剂的组分浓度范围为30-40%。3.根据权利要求2所述的一种快速去除基板有机可焊性保护剂和氧化物的方法,其特征在于:在所述S2步骤中,所述胺类溶剂主要为乙醇...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴群,陈建华,王绪领,赵亮,
申请(专利权)人:矽品科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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