芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组技术

本发明专利技术提供一种芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组，先设置包覆LED芯片的正面出光面和侧面出光面的发光转换胶并进行固化；再形成覆盖LED芯片正面出光面上处于第一状态的发光转换胶层的反射胶并进行固化处理，得到相互结合且处于第二状态的荧光胶层和反射胶层；得到的LED正面出光面发出的光通过发光转换胶层后，被反射胶层反射回来从LED的侧面出光面发出，从而使得LED产生的光从LED侧面的发光面发射出去，相对现有从正面发光面发出的LED，其发光角度更大，混光效果更好，因此可以在应用于背光源领域时，不使用光学透镜，省去光学透镜的硬件成本和贴装的人力成本，使背光源成本大幅下降的同时，提升混光效果。

【技术实现步骤摘要】
芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组
本专利技术涉及LED(LightEmittingDiode，发光二极管)领域，尤其涉及一种芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组。
技术介绍
随着LED的应用和发展，对LED的尺寸要求越来越小。为了满足减小LED尺寸的要求，出现了芯片级封装(ChipScalePackage，CSP)LED，目前的CSPLED主要有两种结构：一种是五面出光CSPLED，参见图1所示，其结构原理是在倒装LED芯片11(FlipLEDchip)模压荧光胶层12后，再做成品切割得到单颗的CSPLED，其四个侧面以及顶部的正面都是出光面，底部的背面则设置有电极111。这种结构的缺点是发光角度较大，不利于后续透镜的匹配。另一种是单面出光CSPLED，参见图2所示，其相对图1所示的五面出光CSPLED，首先在倒装LED芯片21四周制作与芯片等高的白胶墙23，用于阻挡芯片侧面发出的光，其后在倒装LED芯片21和白胶墙23上方粘贴一层荧光胶层22，再对其进行切割，得到单颗只有顶部的正面出光的单面出光LED，底部的背面则设置有电极211。这种结构的缺点白胶与荧光胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，包括步骤：S1、将发光转换胶设置包覆在LED芯片的正面出光面和侧面出光面；S2、在预设第一固化条件下对所述发光转换胶进行固化处理得到第一状态的发光转换胶层；S3、在所述LED芯片正面出光面上处于所述第一状态的发光转换胶层上设置反射胶；S4、在预设第二固化条件下对所述第一状态的发光转换胶层以及所述反射胶进行固化处理，得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层。

【技术特征摘要】
1.一种芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，包括步骤：S1、将发光转换胶设置包覆在LED芯片的正面出光面和侧面出光面；S2、在预设第一固化条件下对所述发光转换胶进行固化处理得到第一状态的发光转换胶层；S3、在所述LED芯片正面出光面上处于所述第一状态的发光转换胶层上设置反射胶；S4、在预设第二固化条件下对所述第一状态的发光转换胶层以及所述反射胶进行固化处理，得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层。2.如权利要求1所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，还包括：S11、将所述LED芯片按设定间隔排列在耐高温膜上；在所述步骤S4之后，还包括步骤：S41、沿相邻LED芯片之间的间隔进行等距切割；S42、去除所述LED芯片上的所述耐高温膜。3.如权利要求1所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，所述得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层之后，还包括步骤：按照设定图案对反射胶层进行切割得到开窗结构，使得所述LED芯片正面出光面发出的部分光透过所述开窗结构向外发射。4.如权利要求3所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，对所述反射胶层切割的厚度小于或等于所述反射胶层的厚度。5.如权利要求1-4任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏冬寒，孙平如，邢其彬，
申请(专利权)人：深圳市聚飞光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44