A material processing device and method for crystal growth by silicon carbide resistance method include a melting furnace with a fixed bracket on the top of the melting furnace, a top cover on the melting furnace shell under the laser, an observation window on the front shell of the melting furnace, a graphite crucible in the melting furnace under the top cover, a first rotating shaft extending forward in the middle under the protective cover, and a top cover. A knob is externally embedded on the front shell of the melting furnace, and a graphite mould is placed on the right side of the graphite crucible. The bottom of the bracket is connected with the supporting plate through a support rod. The front end of the second rotating shaft is embedded in the second knob and rotates coaxially with the second knob. A recycling tank is placed on the inner bottom of the melting furnace under the right side of the graphite mould. The device can directly obtain the silicon carbide sheet at one time, instead of cooling and cutting.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法
本专利技术涉及碳化硅晶体相关
，具体为一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法。
技术介绍
碳化硅晶体生长的原料中，最难取得的高质量原料是圆柱形碳化硅薄片。现有技术一般这样得到硅锭：真空环境下，在石墨坩埚中盛放待处理的多晶硅原料，置于带有电子束发生装置的熔化炉，采用波长为1.8μm激光在90A、20ms、1Hz条件下辐照处理15min，然后控制石墨坩埚内部自下而上形成递增的温度梯度，保持15h，得到硅熔液，以90C/h的速度阶梯式冷却得到硅锭,粉碎至60目，进行酸洗，将硅锭质量8倍的酸液雾化，喷洒在硅锭表面，清洗后烘干，得到第一处理料。现有技术中往往是采取单晶柱切割的方式，这样必须先制成单晶再切割，不仅成本高，中间还有损耗。有时一不小心的切割会导致大块单晶的损坏，损失无可估量。因此，现有技术迫切需要得到一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法，直接一次得到碳化硅薄片，而不是再进行冷却切割。通过冷却切割得到薄片的方式既不合理，风险也太大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理...
【技术保护点】
1.一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，包括激光器(1)、固定支架(2)、把手(3)、顶盖(4)、合页(5)、观察窗(6)、熔化炉(7)、第一旋钮(8)、第二旋钮(9)、石墨坩埚(10)、第一旋转轴(11)、保护套(12)、支撑杆(13)、第二旋转轴(14)、支撑板(15)、回收罐(16)、石墨模件(17)、托架(18)、圆形凹槽(19)、线形凹槽(20)、卡槽(21)和卡块(22)，其特征在于：所述熔化炉(7)顶部壳体上安装有固定支架(2)，且固定支架(2)上安装有出光方向垂直向下对准石墨坩埚中轴线的激光器(1)，所述激光器(1)下方的熔化炉(7)壳体上通过合页(5)...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，包括激光器(1)、固定支架(2)、把手(3)、顶盖(4)、合页(5)、观察窗(6)、熔化炉(7)、第一旋钮(8)、第二旋钮(9)、石墨坩埚(10)、第一旋转轴(11)、保护套(12)、支撑杆(13)、第二旋转轴(14)、支撑板(15)、回收罐(16)、石墨模件(17)、托架(18)、圆形凹槽(19)、线形凹槽(20)、卡槽(21)和卡块(22)，其特征在于：所述熔化炉(7)顶部壳体上安装有固定支架(2)，且固定支架(2)上安装有出光方向垂直向下对准石墨坩埚中轴线的激光器(1)，所述激光器(1)下方的熔化炉(7)壳体上通过合页(5)安装有顶盖(4)，所述顶盖(4)表面安装有把手(3)，所述熔化炉(7)前方壳体镶嵌有观察窗(6)，所述顶盖(4)下方的熔化炉(7)内安置有圆柱型空心筒状的石墨坩埚(10)，且石墨坩埚(10)底部外侧套有圆柱型空心筒状的保护套(12)，所述保护套(12)下方中间向前的部位安装有垂直于保护套的中轴线向前伸出的第一旋转轴(11)，且第一旋转轴(11)最前端嵌入第一旋钮(8)之中并且可与第一旋钮一起同轴旋转，所述第一旋钮(8)设置为外部嵌在熔化炉(7)前方壳体上，所述石墨坩埚(10)右侧安置有一组至少三个石墨模件(17)，且石墨模件(17)上表面设置有圆形凹槽(19)和圆形凹槽两侧呈180°相对应的两个线形凹槽(20)，托架(18)下表面水平，托架(18)上表面呈从左至右若干高度递减的阶梯状，每一级阶梯表面都水平且每一级阶梯的高度差都在0.5-5mm之内，每一个所述石墨模件(17)下方通过卡块(22)与卡槽(21)的配合卡在托架(18)的某一个阶梯之上，所述托架(18)底部通过支撑杆(13)与支撑板(15)相连接，且支撑板(15)下方中间向前的部位安装有垂直于支撑杆(13)的中轴线向前伸出的第二旋转轴(14)，所述第二旋转轴(14)最前端嵌入第二旋钮(14)之中并且可与第二旋钮一起同轴旋转，所述第二旋钮(14)设置为外部嵌在熔化炉(7)前方壳体上，所述石墨模件(17)右下方的熔化炉(7)内侧底部放置有回收罐(16)，所述一组至少三个石墨模件(17)中的最右一个在托架(18)略右倾时，其右侧线形凹槽(20)的倾倒的位置落入所述回收罐(16)内；所述熔化炉(7)内部后方有呈内陷圆柱形的分别容纳第一旋转轴(11)和第二旋转轴(14)的第一轴槽和第二轴槽，使得第一旋转轴(11)和第二旋转轴(14)的位置被相对固定且可旋转。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张岩，赵然，董伟，付吉国，周卫东，曾蕾，
申请(专利权)人：国宏中晶集团有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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