一种电阻法碳化硅长晶方法技术

本发明专利技术公开了一种电阻法碳化硅长晶方法，包括以下步骤：容器检测；将碳化硅原料放入坩埚发生器中，并进行密封，检测密封性；抽真空：开启指定的真空泵进行逐级抽真空，并检测真空压强，达到指定范围后，开启高阀。本发明专利技术所述的一种电阻法碳化硅长晶方法，通过满足合适稳定温度，合适稳定的压力，合适稳定掺杂气体,为碳化硅晶体结晶与生长的理想环境，从而生产出尺寸更大、厚度更厚、生长周期更短、高效率与高品质的碳化硅晶体，通过电阻加热的方式，将原有的加热方式改成螺旋石墨电阻片，由于螺旋石墨电阻片为螺旋状，在受到自身的磁场影响时径向涡流无法积累，因此不易变形，径向温度相对稳定，便于控制晶体所需的温度。

A Resistance Method for Silicon Carbide Crystallization

The invention discloses a resistance method for silicon carbide crystallization, which comprises the following steps: container detection; putting silicon carbide raw materials into crucible generator, sealing and testing sealing; vacuum pumping: opening the designated vacuum pump for step-by-step vacuum pumping, and testing the vacuum pressure, and opening the high valve after reaching the designated range. A resistance method of silicon carbide crystallization is described in this invention. By satisfying the suitable stable temperature, pressure and doping gas, it is an ideal environment for the crystallization and growth of silicon carbide crystals, thereby producing larger size, thicker thickness, shorter growth period, high efficiency and high quality silicon carbide crystals. The original heating method is heated by resistance. Because the spiral graphite resistor is spiral, the radial eddy current can not accumulate when it is affected by its own magnetic field, so it is not easy to deform, and the radial temperature is relatively stable, so it is easy to control the temperature required by the crystal.

【技术实现步骤摘要】
一种电阻法碳化硅长晶方法
本专利技术涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种电阻法碳化硅长晶方法。
技术介绍
碳化硅晶体结晶工艺就是将高纯碳化硅原料在坩埚中升华，气化，在特定籽晶上重新完成结晶、扩径和退火处理等程序最终得到碳化硅晶体；现有的设备温区加热方式都是通过感应线圈来进行加热的，所产生的温区相对来说梯度过小，（1）、在对水冷控制不足，常常会出现水冷温度不均匀，导致碳化硅晶体结晶中出现间隙，且形状不规则，最终影响最后的成形；（2）、现有的碳化硅晶体结晶工艺再结晶时，温度与原料的加入量控制不到位，及现有温区空间和普遍梯度普遍偏小，很大的影响了晶体生长的尺寸，同时难以生产出大尺寸的碳化硅晶体，为此，我们提出一种电阻法碳化硅长晶方法。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种电阻法碳化硅长晶方法，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种电阻法碳化硅长晶方法，包括以下步骤：（1）、容器检测；将碳化硅原料放入坩埚发生器中，并进行密封，检测密封性；（2）、抽真空：开启指定的真空泵进行逐级抽真空，并检测真空压强，达到指定范围后，开启高阀，抽真空达到设定真空度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻法碳化硅长晶方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、容器检测；将碳化硅原料放入坩埚发生器中，并进行密封，检测密封性；（2）、抽真空：开启指定的真空泵进行逐级抽真空，并检测真空压强，达到指定范围后，开启高阀，抽真空达到设定真空度；（3）、加热：通气后，开启石墨电阻加热器进行缓慢加热，加热至2000‑2400℃，后恒温加热2.0‑2.3h；（4）、通气：达到预定温度后，对惰性气体进行加压，并通过掺杂气体路径送入到腔体中；（5）、结晶：恒温加热后，处在指定位置的原料开始升华，并在指定的籽晶处结晶，在预设长晶程序后结束，缓慢升温；（6）、取晶：缓慢降温后，提高腔体内部气压，打开密封盖，取出...

【技术特征摘要】
1.一种电阻法碳化硅长晶方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、容器检测；将碳化硅原料放入坩埚发生器中，并进行密封，检测密封性；（2）、抽真空：开启指定的真空泵进行逐级抽真空，并检测真空压强，达到指定范围后，开启高阀，抽真空达到设定真空度；（3）、加热：通气后，开启石墨电阻加热器进行缓慢加热，加热至2000-2400℃，后恒温加热2.0-2.3h；（4）、通气：达到预定温度后，对惰性气体进行加压，并通过掺杂气体路径送入到腔体中；（5）、结晶：恒温加热后，处在指定位置的原料开始升华，并在指定的籽晶处结晶，在预设长晶程序后结束，缓慢升温；（6）、取晶：缓慢降温后，提高腔体内部气压，打开密封盖，取出晶体。2.根据权利要求1所述的一种电阻法碳化硅长晶方法，其特征在于：所述步骤（1）中，检测密封性时，先对开启真空泵对坩埚发生器所在的腔体进行初次抽真空，抽真空至1×10-3Pa，控制真空泵停止，并静置20-30min，观察真空压强，并分为以下两种情况：A、保持不变：通过真空泵继续对腔体进行抽真空；B、压强变化：打开密封盖，对坩埚发生器进行重新调整后，再次进行检测密封性。3.根据权利要求1所述的一种电阻法碳化硅长晶方法，其特征在于：所述步骤（2）中，抽真空前，通过工艺控制系统设置抽真空度、真空泵路径与高阀路径，真空度范围为2×10-5-Pa1×10-5Pa。4.根据权利要求3所述的一种电阻法碳化硅长晶方法，其特征在于：所述步骤（4）中，惰性气体以速度为0.3-0.5m3/min送入到腔体内，惰性气体为氮气或氩气，掺杂后，控制真空度保持在100Pa-800Pa。5.根据权利要求1所述的一种电阻法碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：周元辉，刘春艳，张明福，胡春霞，刘洪亮，刘洪涛，范子龙，高雅蕾，姜树炎，
申请(专利权)人：苏州优晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32