一种固相合成碳化硅的混料方法及合成方法技术

本发明专利技术属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及固相合成碳化硅的混料方法及合成方法。混料方法包括：将碳粉和硅粉分别分为预设份数，将每份碳粉和每份硅粉交替铺设至混料容器中，使碳粉和硅粉进行混合处理，得到碳粉、硅粉和磨料的混合料，从混合料中分离出磨料，得到碳粉和硅粉均匀混合后的用于固相合成碳化硅的原料；混合处理过程：依次进行第一混合和第二混合，控制电机进行正转和反转的交替循环运转；磨料为硬质材料切割块，硬质材料切割块包括，体积为0.9cm3~1.1cm3的第一硬质材料切割块和体积为0.45cm3~0.65cm3的第二硬质材料切割块。本发明专利技术的方法能够使碳粉和硅粉充分混合，提高固相合成的出料率。提高固相合成的出料率。

【技术实现步骤摘要】
一种固相合成碳化硅的混料方法及合成方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅晶体生长的衍生
，具体涉及固相合成碳化硅的混料方法及合成方法。

技术介绍

[0002]碳化硅作为物理性能优异的宽禁带半导体材料之一，在高温、高频、高功率和抗辐射等方面具体巨大的应用潜力，是制备高温、高频、高功率和抗辐射器件的理想衬底材料，并在混合动力汽车、高压输电、LED照明和航空航天等领域崭露头角，获得高质量的SiC晶体是实现这些SiC基器件的优异性能的基础，目前最主要的碳化硅单晶的制备方法是物理气相输运法，具体地，采用碳化硅多晶作为原料，经过升华、输运、表面反应和结晶，获得碳化硅单晶。其中在碳化硅多晶升华过程中，碳化硅多晶的纯度、粒径和碳硅比影响传质的稳定性，而传质的稳定性直接影响碳化硅单晶的形貌、晶型和缺陷分布。
[0003]目前，在制备碳化硅多晶的过程中，按一定的碳硅比将碳粉和硅粉放入球磨机罐体，通过球磨机混合碳粉和硅粉，混合完毕后，将混合后的原料放入高温制备炉中进行固相合成，然而由于碳粉和硅粉相对密度差距较大，在球磨机中很难将碳粉和硅粉混合均匀，存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固相合成碳化硅的混料方法，特征在于，所述方法包括：将碳粉和硅粉分别分为预设份数，将每份碳粉和每份硅粉交替铺设至混料容器中，所述交替铺设为碳粉和硅粉相互交替铺设，使碳粉和硅粉进行混合处理，得到碳粉、硅粉和所述混合处理用磨料的混合料，从所述混合料中分离出所述磨料，得到碳粉和硅粉均匀混合后的用于固相合成碳化硅的原料；所述混合处理的条件包括：依次进行第一混合和第二混合，所述第一混合的转速的取值范围为90r/min~119r/min，所述第二混合的转速的取值范围为120r/min~150r/min，控制所述混合处理所用电机进行正转和反转的交替循环运转；所述磨料为硬质材料切割块，所述硬质材料切割块包括第一硬质材料切割块和第二硬质材料切割块，每个所述第一硬质材料切割块的体积的取值范围为0.9cm3~1.1cm3，每个所述第二硬质材料切割块的体积的取值范围为0.45cm3~0.65cm3。2.根据权利要求1所述的混料方法，其特征在于，基于所述混合料的体积，所述第一硬质材料切割块的体积占比为0.1%~2%，所述第二硬质材料切割块的体积占比为0.1%~1%。3.根据权利要求1所述的混料方法，其特征在于，所述硬质材料切割块还包括第三硬质材料切割块，每个所述第三硬质材料切割块的体积的取值范围为0.2cm3‑
0.4cm3。4.根据权利要求3所述的混料方法，其特征在于，基于所述混合料的体积，所述第一硬质材料切割块的体积占比为0.1%~2%，所述第二硬质材料切割块的体积占比为0.1%~1%，所述第三硬质材料切割块的体积占比为0.1%~0.5%。5.根据权利要求1或3所述的混料方法，其特征在于，所述硬质材料切割块为碳化硅切割块。6.根据权利要求1所述的混料方法，其特征在于，向所述每份碳粉和所述每份硅粉中分别加入所述磨料，之后将每份含有磨料的碳粉和每份含有磨料的硅粉相互交替铺设至所述混料容器中。7.根据权利要求6所述的混料方法，其特征在于，所述相互交替铺设的条件包括：按照预设顺序交替铺设所述每份含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：周元辉，陈建明，刘春艳，
申请(专利权)人：苏州优晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：