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一种碳化硅电阻法生长晶体的原料处理装置及方法，包括熔化炉，所述熔化炉顶部安装固定支架，激光器下方的熔化炉壳体上通过合页安装有顶盖，熔化炉前方壳体镶嵌有观察窗，顶盖下方的熔化炉内安置有石墨坩埚，所述保护套下方中间向前伸出第一旋转轴，第一旋钮外...
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