The invention discloses a magnetron sputtering coating device and a coating method thereof. The device comprises a vacuum chamber, in which a ring workpiece rack and a sputtering target are arranged, and the sputtering target is arranged inside the ring workpiece rack. The magnetron sputtering coating device and the coating method of the invention can well eliminate the low energy deposition at the far end, thereby making the deposition uniformity of the film higher and the chromatic aberration greatly reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法
本专利技术涉及一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法。
技术介绍
现有的磁控溅射镀膜设备中,靠近溅射靶近端处的待镀膜工件区域为溅射靶的“正常镀膜区”,其属于工件正常的镀膜区域,而位于该溅射靶最远端处的待镀膜工件区域则产生了低能级沉积,从而形成“异常镀膜区”,低能级沉积会导致膜层结构变异,产生夹层结构,不利于功能性膜层的正常性能发挥。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术的目的在于提供一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法。本专利技术通过以下技术方案来实现:一种磁控溅射镀膜设备,包括一真空腔体,所述真空腔体内设置有环形工件架和溅射靶,所述溅射靶设置于所述环形工件架的内部。优选的,所述环形工件架上设置有若干工件,所述环形工件架为自转和公转结构。优选的,所述溅射靶靠近所述环形工件架设置。优选的,所述溅射靶为一对中频磁控溅射靶或直流磁控溅射靶。优选的,所述溅射靶为柱状溅射靶。一种镀膜方法,使用上述磁控溅射镀膜设备进行镀膜,步骤如下:对工件进行清洗,然后将其安装在环形工件架上;将真空腔体进行抽真空处理,直至所述真空腔体的本底真空度为0.001Pa~0.01Pa;通入惰性气体,调整所述真空腔体的真空度至0.1Pa~1Pa,同时,将溅射功率调整为大于等于20kw,从而使溅射靶对工件进行溅镀。优选的,所述惰性气体为氩气。本专利技术的磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法能够很好的消除了远端低能级沉积,从而使得膜的沉积均匀性更高,色差大幅减小。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见 ...
【技术保护点】
1.一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,包括一真空腔体,所述真空腔体内设置有环形工件架和溅射靶,所述溅射靶设置于所述环形工件架的内部。
【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,包括一真空腔体,所述真空腔体内设置有环形工件架和溅射靶,所述溅射靶设置于所述环形工件架的内部。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述环形工件架上设置有若干工件,所述环形工件架为自转和公转结构。3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述溅射靶靠近所述环形工件架设置。4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述溅射靶为一对中频磁控溅射靶或直流磁控溅射靶。5.根据权利要求1所述的一种磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:张绍璞,范刚,黄兴盛,胡征宇,
申请(专利权)人:厦门阿匹斯智能制造系统有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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