一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，所述对称阵列参考单元包括读/写控制电路、行地址解码器以及对称分布于所述控制电路两侧的第一MRAM块和第二MRAM块；所述第一MRAM块和所述第二MRAM块均包括列地址解码器和MRAM阵列，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块共用所述读/写控制电路；每一个所述MRAM阵列有一行或多行参考单元，每一行所述参考单元中有一个或多个参考字。本发明专利技术能够大幅降低参考单元占据的面积，提高芯片面积使用率，并且使用的参考单元数目更少，有助于提高系统的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片
本专利技术属于半导体芯片存储器领域，尤其涉及一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片。
技术介绍
磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写，还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。MRAM具有很好的经济性和性能，它的单位容量占用的硅片面积比SRAM有很大的优势，比在此类芯片中经常使用的NORFlash也有优势，比嵌入式NORFlash的优势更大。MRAM读写时延接近最好的SRAM，功耗则在各种内存和存储技术最好；而且MRAM与标准CMOS半导体工艺兼容，DRAM以及Flash与标准CMOS半导体工艺不兼容；MRAM还可以和逻辑电路集成到一个芯片中。MRAM基于MTJ(磁性隧道结)结构。由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的，如图1所示：下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层，上面的铁磁材料是可变磁化方向的记忆层，它的磁化方向可以和固定磁化层相平行或反平行。由于量子物理的效应，电流可以穿过中间的隧道势本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述对称阵列参考单元包括读/写控制电路、行地址解码器以及对称分布于所述读/写控制电路两侧的第一MRAM块和第二MRAM块；所述第一MRAM块和所述第二MRAM块均包括列地址解码器和MRAM阵列，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块共用所述读/写控制电路；每一个所述MRAM阵列有一行或多行参考单元，每一行所述参考单元中有一个或多个参考字，进行读操作时，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块使用对面MRAM块中的所述参考字。

【技术特征摘要】
1.一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述对称阵列参考单元包括读/写控制电路、行地址解码器以及对称分布于所述读/写控制电路两侧的第一MRAM块和第二MRAM块；所述第一MRAM块和所述第二MRAM块均包括列地址解码器和MRAM阵列，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块共用所述读/写控制电路；每一个所述MRAM阵列有一行或多行参考单元，每一行所述参考单元中有一个或多个参考字，进行读操作时，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块使用对面MRAM块中的所述参考字。2.如权利要求1所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述参考单元行位于靠近所述MRAM阵列中间的位置。3.如权利要求1所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述MRAM芯片进行读操作时，所述行地址解码器打开被读行，所述第一MRAM块或所述第二MRA...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，俞华樑，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31