一种时钟自适应访问MRAM的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种时钟自适应访问MRAM的装置，包括MRAM读写控制单元、时钟分频单元和时钟门控单元，MRAM读写控制单元产生最高时钟分频比，输出到时钟分频单元；根据输入的MRAM读写命令，产生时钟门控使能控制信号，输出到时钟门控单元；将输入的MRAM的读写命令，转换成MRAM的读写控制信号，输出到MRAM；时钟分频单元将外部输入时钟转换为访问MRAM最高频时钟，输出到时钟门控单元；时钟门控单元根据时钟门控使能控制信号，将访问MRAM最高频时钟，转换成MRAM读写时钟，输出到MRAM。本发明专利技术在采用MRAM替代SRAM的存储器架构设计中，不需要降低存储器的读写访问速度，也不需要重新设计外部访问存储器的控制逻辑，就可以根据输入时钟产生MRAM读写时钟信号，从而便于采用MRAM来替代SRAM。

A Clock Adaptive Access Device for MRAM

The invention discloses a device for clock adaptive access to MRAM, which includes MRAM read-write control unit, clock frequency dividing unit and clock gating unit. The MRAM read-write control unit generates the highest clock frequency dividing ratio and outputs it to the clock frequency dividing unit. According to the input MRAM read-write command, a clock gating enabling control signal is generated and output to the clock gating unit. The clock dividing unit converts the external input clock to access the highest frequency clock of MRAM and outputs it to the clock gating unit. According to the clock gating enabling control signal, the clock gating unit converts the access to the highest frequency clock of MRAM into the read-write clock of MRAM and outputs it to the MRAM. In the design of the memory architecture using MRAM to replace SRAM, the read-write clock signal of MRAM can be generated according to the input clock without reducing the read-write access speed of the memory or redesigning the control logic of the external access memory, thus facilitating the use of MRAM to replace SRAM.

【技术实现步骤摘要】
一种时钟自适应访问MRAM的装置
本专利技术属于控制芯片
，尤其涉及一种时钟自适应访问MRAM的装置。
技术介绍
磁阻随机存取存储器(MRAM)由于其在掉电状态下的非易失性以及在读写访问过程中具有较高速度的特性，在微控制芯片领域，特别是功耗高敏感领域如网联网领域，被越来越多的用来替代常规的片上存储单元。常规的片上存储单元，主要采用SRAM单元。其具有较高的访问速度和性能，作为片上存储单元，被广泛的应用于控制芯片领域。但是由于SRAM单元往往本质上有电子泄露的问题，随着工艺的进步，电子泄露(即静态功耗大)的问题，变得越来越严重。通常的解决方案是，在SRAM不被访问时，通过关闭供电电压(掉电)，使得SRAM的静态功耗为零，但是这样又会引入掉电前SRAM中数据备份，上电后SRAM数据恢复的额外开销。而MRAM在掉电时，由于非易失性的特点，上电后并不需要数据的恢复，自然掉电前也不需要数据备份，节省了数据备份和恢复的时间，更节省了这部分操作的功耗。但是由于现有技术的限制，MRAM的读写访问速度的性能，并不对等，往往是读访问速度快，接近SRAM的访问速度；而写访问速度慢，常常只有读访问速度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种时钟自适应访问MRAM的装置，其特征在于，所述时钟自适应访问MRAM的装置，包括：MRAM读写控制单元，用于产生最高时钟分频比，输出到时钟分频单元；根据输入的MRAM读写命令，产生时钟门控使能控制信号，输出到时钟门控单元；将输入的MRAM的读写命令，转换成MRAM的读写控制信号，输出到MRAM；时钟分频单元，用于根据最高时钟分频比，将外部输入时钟转换为访问MRAM最高频时钟，输出到时钟门控单元；时钟门控单元，用于根据时钟门控使能控制信号，将访问MRAM最高频时钟，转换成MRAM读写时钟，输出到MRAM。

【技术特征摘要】
1.一种时钟自适应访问MRAM的装置，其特征在于，所述时钟自适应访问MRAM的装置，包括：MRAM读写控制单元，用于产生最高时钟分频比，输出到时钟分频单元；根据输入的MRAM读写命令，产生时钟门控使能控制信号，输出到时钟门控单元；将输入的MRAM的读写命令，转换成MRAM的读写控制信号，输出到MRAM；时钟分频单元，用于根据最高时钟分频比，将外部输入时钟转换为访问MRAM最高频时钟，输出到时钟门控单元；时钟门控单元，用于根据时钟门控使能控制信号，将访问MRAM最高频时钟，转换成MRAM读写时钟，输出到MRAM。2.如权利要求1所述的时钟自适应访问MRAM的装置，其特征在于，所述的MRAM读写控制单元，根据应用需求或根据MRAM的物理特性，配置有访问MRAM的最高应用时钟频率，或配置有最高物理时钟频率、最高物理读操作时钟频率和最高物理写操作时钟频率。3.如权利要求2所述的时钟自适应访问MRAM的装置，其特征在于，所述的MRAM读写控制单元产生最高时钟分频比，输出到时钟分频单元，执行如下操作：如果最高应用时钟频率<＝最高物理时钟频率，则最高时钟频率＝最高应用时钟频率；如果最高应用时钟频率>最高...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁永林，林琳，廖湘萍，邱蔚，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33