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一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片制造技术
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文档序号:21345807
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本发明公开了一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片,所述对称阵列参考单元包括读/写控制电路、行地址解码器以及对称分布于所述控制电路两侧的第一MRAM块和第二MRAM块;所述第一MRAM块和所述第二MRAM块均包括列地址解码器和MRAM阵列,...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。
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