一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法技术

本发明专利技术公开的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，包括如下步骤：S01：提供湿度传感器，所述湿度传感器包括叉指电极；S02：在所述叉指电极周围制备围墙，所述围墙在叉指电极正上方形成凹槽，且凹槽的水平截面面积等于叉指电极的水平截面面积；S03：将氧化石墨烯溶液注入所述凹槽内；S04：加热所述凹槽内的氧化石墨烯溶液，使得所述氧化石墨烯溶液中的溶剂全部蒸发；S05：将含有氧化石墨烯的湿度传感器进行退火，形成位于叉指电极上的氧化石墨烯。本发明专利技术提供的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，可以在叉指电极上形成厚度均匀可控的氧化石墨烯薄膜，从而使得氧化石墨烯湿度传感器的性质稳定，能够实现量产。

A Method for Preparing Graphene Oxide in Humidity Sensor

The invention discloses a method for preparing graphene oxide in a humidity sensor, which comprises the following steps: S01: providing a humidity sensor, the humidity sensor includes an interdigital electrode; S02: preparing a wall around the interdigital electrode, the wall forms a groove directly above the interdigital electrode, and the horizontal cross-section area of the groove equals the horizontal cross-section area of the interdigital electrode; The graphene oxide solution is injected into the groove; S04: heating the graphene oxide solution in the groove to evaporate all the solvents in the graphene oxide solution; S05: annealing the humidity sensor containing graphene oxide to form graphene oxide on the interdigital electrode. The invention provides a method for preparing graphene oxide in humidity sensor, which can form graphene oxide film with uniform and controllable thickness on interdigital electrode, thereby making the property of graphene oxide humidity sensor stable and realizing mass production.

【技术实现步骤摘要】
一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法
本专利技术涉及传感器领域，具体涉及一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法。
技术介绍
湿度传感器在工业、农业及环境检测等领域具有重要的作用，其核心是能够将湿度转化为其他可测试信号的敏感材料。湿敏材料主要有半导体氧化物、高分子聚合物以及相关的复合材料，但是这类传感器普遍存在检测范围小、灵敏度低等问题。氧化石墨烯作为一种石墨烯的衍生物，具有较大的比表面积及丰富的含氧官能团，其含氧官能团可以与水分子通过氢键连接。因此，氧化石墨烯非常适合作为一种湿度传感器的敏感材料。电容式的湿度传感器主要包括叉指电极组成的电容结构和氧化石墨烯薄膜等敏感材料组成的介质层。常见的氧化石墨烯沉积到叉指电极上的方法主要有：喷涂法、旋涂法、滴涂法以及喷墨打印等方法。这些方法均是直接将氧化石墨烯衬底在叉指电极上，这种直接沉积的方法存在以下问题：(1)上述直接沉积的方式均需要借助外界设备来完成沉积，导致采用上述直接沉积的方式无法精确控制氧化石墨烯的厚度，而氧化石墨烯的厚度直接关系到湿度传感器的性能；(2)采用上述直接沉积的方式形成的氧化石墨烯的厚度不均匀，即使在同一个叉指电极上也可能出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：提供湿度传感器，所述湿度传感器包括叉指电极；S02：在所述叉指电极周围制备围墙，所述围墙在叉指电极正上方形成凹槽，且凹槽的水平截面面积等于叉指电极的水平截面面积；S03：将氧化石墨烯溶液注入所述凹槽内；S04：加热所述凹槽内的氧化石墨烯溶液，使得所述氧化石墨烯溶液中的溶剂全部蒸发；S05：将含有氧化石墨烯的湿度传感器进行退火；形成位于叉指电极上的氧化石墨烯。

【技术特征摘要】
1.一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：提供湿度传感器，所述湿度传感器包括叉指电极；S02：在所述叉指电极周围制备围墙，所述围墙在叉指电极正上方形成凹槽，且凹槽的水平截面面积等于叉指电极的水平截面面积；S03：将氧化石墨烯溶液注入所述凹槽内；S04：加热所述凹槽内的氧化石墨烯溶液，使得所述氧化石墨烯溶液中的溶剂全部蒸发；S05：将含有氧化石墨烯的湿度传感器进行退火；形成位于叉指电极上的氧化石墨烯。2.根据权利要求1所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述围墙由光刻胶或者二氧化硅制备而成。3.根据权利要求2所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤S02中制备光刻胶围墙的具体步骤为：S021：在所述叉指电极上旋涂光刻胶层；所述光刻胶层完全覆盖叉指电极，且光刻胶层的水平截面面积大于叉指电极的水平截面面积；S022：通过光刻工艺形成位于叉指电极周围的光刻胶围墙。4.根据权利要求2所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤S02中制备二氧化硅围墙的具体步骤为：S021：在所述叉指电极上旋涂光刻胶层，所述光刻胶层完全覆盖叉...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈若曦，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31