The present disclosure provides a fusion memory comprising a plurality of memory units, including: a block substrate; a source and drain over the block substrate and a channel area extending between the source and drain areas; a ferroelectric layer located above the channel area; and a gate located above the ferroelectric layer. The fused memory of the present disclosure enables the storage unit to operate in charge capture mode and polarization flip mode. Therefore, the memory has the functions of both DRAM and NAND, and combines the advantages of both.
【技术实现步骤摘要】
融合型存储器
本公开涉及存储器领域，进一步涉及一种融合型存储器。
技术介绍
传统DRAM(动态随机存取存储器)采用1T1C(1Transistor-1Capacitor，1晶体管-1电容器)的存储单元结构，当连接至晶体管栅极的字线选通时，晶体管选通，可以从位线上读取存储在电容器上的位信息；传统NAND则采用浮置栅极(floatinggate)或者电荷俘获结构；它们一种是实现动态随机存储，一种是实现非易失性存储，所以说这两类存储器的制备工艺差别巨大，无法在一款片上芯片(SOC)里同时集成，因此无法融合两种存储器的优点，使得SOC芯片的存储容量和计算性能受到限制。神经网络中，传统的突触器件两端忆阻器或三端晶体管模拟实现，突触器件一般采用并行NOR结构相互连接，在经过权值训练后，采用电流汇聚的方式来完成运算。该类结构存在操作电流大，功耗训练功耗大等问题，使并行数受限。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题有鉴于此，本公开的目的在于提供一种融合性存储器，以融合上述两种存储器的优点。(二)技术方案根据本公开的一方面，提供一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元...
【技术保护点】
1.一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。
【技术特征摘要】
1.一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。2.一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；第一界面层，位于沟道之上；铁电层，位于第一界面层之上；栅极，位于铁电层之上。3.一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；第一界面层，位于沟道之上；铁电层，位于第一界面层之上；第二界面层，位于铁电层之上；栅极，位于第二界面层之上。4.根据权利要求1-3任一所述的融合型存储器，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕杭炳，罗庆，许晓欣，龚天成，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。