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本公开提供一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。本公开的融合型存储器使存储单元能够在电荷俘模式以...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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