场效应管以及制造方法技术

一种场效应管以及制造方法，属于电子技术领域。场效应管包括：衬底层(201)；设置于衬底层(201)之上的第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)；覆盖于衬底层(201)和第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)之上的背栅绝缘层(204)；覆盖于背栅绝缘层(204)之上的半导体层(205)；覆盖于半导体层(205)之上的顶栅绝缘层(206)；设置于背栅绝缘层(204)之上的漏电极(207)和源电极(208)，漏电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第一边缘，源电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第二边缘；设置于顶栅绝缘层(206)之上的第一顶栅电极(209)和第二顶栅电极(210)，其中，漏电极(207)和第二顶栅电极(210)电连接。这种场效应管具有高峰值电流，芯片占用面积小，制造工艺复杂度低，可实现大面积、低成本制造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖祥，徐慧龙，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44