键合结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种键合结构及其形成方法，所述键合结构的形成方法包括：提供第一基底，所述第一基底内形成有电接触部，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面，所述电接触部表面与所述第一基底的第一表面齐平；提供第二基底，所述第二基底的一侧表面形成有键合介质层；将所述第二基底通过所述键合介质层与所述第一基底的第一表面键合；在所述第二基底的另一侧表面形成半导体器件。所述键合结构的键合质量得到提高。

Bonding Structure and Its Formation Method

The invention relates to a bonding structure and a forming method thereof. The forming method of the bonding structure includes: providing a first base, forming an electric contact part in the first base, having a relative first surface and a second surface, the surface of the electric contact part and the first surface of the first base are flat, and providing a second base and a side surface of the second base. A bonding dielectric layer is formed; the second substrate is bonded with the first surface of the first substrate through the bonding dielectric layer; and a semiconductor device is formed on the other side of the second substrate. The bonding quality of the bonding structure is improved.

【技术实现步骤摘要】
键合结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种键合结构及其形成方法。
技术介绍
近年来，闪存(FlashMemory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(BitDensity)，同时减少位成本(BitCost)，三维的闪存存储器(3DNAND)技术得到了迅速发展。在3DNAND闪存结构中，包括存储阵列结构以及位于存储阵列结构上方的CMOS电路结构，所述存储阵列结和CMOS电路结构通常分别形成于两个不同的晶圆上，然后通过混合键合方式，将CMOS电路晶圆键合到存储整列结构上方。存储阵列结构的金属通孔与CMOS电路结构中的金属通孔键合连接。混合键合方式，需要两片晶圆严格对准，一旦有错位会导致连接失败良率降低。并且，由于存储阵列晶圆具有复杂的薄膜叠层结构。CMOS电路晶圆与存储阵列晶圆键合过程中还容易出现气泡、剥离甚至破片等问题，对于晶圆的接触界面质量有着极高的要求，两边之间的形变和应力不同容易导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种键合结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底内形成有电接触部，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面，所述电接触部表面与所述第一基底的第一表面齐平；提供第二基底，所述第二基底的一侧表面形成有键合介质层；将所述第二基底通过所述键合介质层与所述第一基底的第一表面键合；在所述第二基底的另一侧表面形成半导体器件。

【技术特征摘要】
1.一种键合结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底内形成有电接触部，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面，所述电接触部表面与所述第一基底的第一表面齐平；提供第二基底，所述第二基底的一侧表面形成有键合介质层；将所述第二基底通过所述键合介质层与所述第一基底的第一表面键合；在所述第二基底的另一侧表面形成半导体器件。2.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述第二基底的另一侧表面及所述半导体器件的层间介质层，所述层间介质层的表面平坦；形成贯穿所述层间介质层、所述第二基底和所述键合介质层的贯穿接触部，所述贯穿接触部与所述电接触部电连接。3.根据权利要求2所述的键合结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述层间介质层表面形成互连结构，所述互连结构连接所述半导体器件和所述贯穿接触部。4.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述第二基底包括一单晶半导体层，所述键合介质层形成于所述单晶半导体层表面。5.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述键合介质层为氧化硅层。6.根据权利要求4所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述第二基底为绝缘体上半导体衬底，包括：体硅层、氧化硅层和位于所述氧化硅层表面的单晶硅层；第二基底与所述第一基底键合之后，减薄所述第二基底，暴露出所述单晶硅层表面；在所述单晶硅层表面形成所述半导体器件。7.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述半导体器件至少包括MOS晶体管。8.根据权利要求1所述的键合结构的形成方法，其特征在于，所述第一基底内形成有存储结...

【专利技术属性】
技术研发人员：范鲁明，刘毅华，刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42