Generally speaking, embodiments of the present invention provide exemplary embodiments involving conductive components such as metal contacts, through holes, wires, etc., and methods for forming these conductive components. In an implementation example, a barrier layer is formed along the side wall. The part of the barrier layer is etched back along the side wall. After etching the part of the barrier, smooth the upper part of the barrier along the side wall. A conductive material is formed along the barrier layer and above the smooth upper part of the barrier layer. The embodiment of the present invention relates to the formation and structure of conductive components.
【技术实现步骤摘要】
导电部件形成和结构
本专利技术实施例涉及导电部件形成和结构。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代IC都比上一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件或线)已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，按比例缩小也导致处于较大几何尺寸的前代IC没有出现的挑战。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：沿着侧壁形成阻挡层；沿着所述侧壁回蚀刻所述阻挡层的部分；在回蚀刻所述阻挡层的所述部分之后，沿着所述侧壁平滑所述阻挡层的上部；以及沿着所述阻挡层和在所述阻挡层的平滑的所述上部上方形成导电材料。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种半导体结构，包括：介电层，具有侧壁；阻挡层，沿着所述侧壁，所述阻挡层的上表面位于所述介电层的顶面下方，所述阻挡层的上部的厚度小于所述阻挡层的下部的厚度；以及导电材料，沿着所述阻挡层并且位于所...
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：沿着侧壁形成阻挡层；沿着所述侧壁回蚀刻所述阻挡层的部分；在回蚀刻所述阻挡层的所述部分之后，沿着所述侧壁平滑所述阻挡层的上部；以及沿着所述阻挡层和在所述阻挡层的平滑的所述上部上方形成导电材料。
【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/592,476;2018.01.25 US 15/880,4481.一种形成半导体器件的方法，包括：沿着侧壁形成阻挡层；沿着所述侧壁回蚀刻所述阻挡层的部分；在回蚀刻所述阻挡层的所述部分之后，沿着所述侧壁平滑所述阻挡层的上部；以及沿着所述阻挡层和在所述阻挡层的平滑的所述上部上方形成导电材料。2.根据权利要求1所述的方法，还包括沿所述侧壁形成粘合层，所述粘合层设置在所述侧壁和所述阻挡层之间。3.根据权利要求1所述的方法，其中，回蚀刻所述阻挡层的所述部分包括：沿着所述阻挡层形成掩蔽材料；沿着所述侧壁和在所述掩蔽材料之上蚀刻所述阻挡层的所述部分；以及去除所述掩蔽材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中，沿着所述侧壁平滑所述阻挡层的所述上部去除了由回蚀刻所述阻挡层的上部引入的残留物，副产物或它们的组合。5.根据权利要求1所述的方法，其中，沿着所述侧壁平滑所述阻挡层的所述上部减小了沿着所述侧壁的所述阻挡层的所述上部的厚度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，平滑所述阻挡层的上部包括使用湿蚀刻工艺。7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪于仕，蔡纯怡，毛贤为，张根育，蔡明兴，林威戎，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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