一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器技术

本发明专利技术提供一种微型发光二极管巨量转移方法及微型发光二极管显示器，包括在三种颜色Micro LED阵列上形成金属层，在阵列基板上形成对应的键合金属，采用三种颜色Micro LED阵列和阵列基板金属键合的方式将三种颜色Micro LED分次转移到阵列基板上。本发明专利技术通过在三种颜色Micro LED阵列上形成金属层，在阵列基板上形成对应的键合金属，采用三种颜色Micro LED阵列和阵列基板金属键合的方式将三种颜色Micro LED分次转移到阵列基板上，该方法省去了转移头，降低了Micro LED显示器的制造成本，制程简单，可操作性强。

A Method of Giant Transfer of Micro Light Emitting Diode and Display

The invention provides a huge transfer method of micro-light-emitting diode and a micro-light-emitting diode display, which includes forming metal layer on three color micro-LED arrays, forming corresponding bond alloys on the array substrate, and transferring three color micro-LED arrays to the array substrate in stages by using three color micro-LED arrays and metal bonding on the array substrate. By forming metal layers on three color micro-LED arrays and forming corresponding bond alloys on the array substrate, the three color micro-LED arrays and the array substrate metal bonding method are used to transfer three color micro-LED arrays to the array substrate in stages. The method saves the transfer head, reduces the manufacturing cost of the micro-LED display, has simple manufacturing process and strong operability. \u3002

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器
本专利技术涉及LED封装的
，特别涉及一种微型发光二极管巨量转移方法及显示器。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛应用在显示器和照明领域。微型发光二极管(简称MicroLED)是大小达到微米级的LED。MicroLED显示器具有高效率、高亮度、高可靠度、节能、体积小和厚度小等优势，是新一代显示技术。MicroLED显示器制作过程中，需要将外延片经过一系列工艺制作成一颗一颗的LED，然后将其转移到阵列基板上。因为MicroLED的尺寸特别小，若形成MicroLED显示器所需要转移到阵列基板上的数量特别庞大；这种将数量特别多的微型元件从一个基板上转移到另一个基板上的技术称之为巨量转移。目前主流的巨量转移技术是通过制作转移头，起到一个过渡的作用；具体操作为先从暂态基板上拾取微元件，再将微元件转移到目的基板上。转移头原理为通过静电力、磁力或者其他力将微元件吸取，再通过释放掉吸取力，实现将微元件转移到目的基板的目的。为实现量产化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：提供一第一外延片和一第一暂态基板，在所述第一外延片上涂覆第一释放胶并使所述第一外延片通过第一释放胶与第一暂态基板粘合；第一外延片上镀第一金属层，对第一金属层和第一外延片进行图案化处理形成第一种颜色Micro LED阵列；S2：提供一第二外延片和一第二暂态基板，在所述第二外延片上涂覆第一释放胶并使所述第二外延片通过第二释放胶与第二暂态基板粘合；第二外延片上镀第二金属层，对第二金属层和第二外延片进行图案化处理形成第二种颜色Micro LED阵列；S3：提供一第三外延片和一第三暂态基板，在所述第三外延片上涂覆第三释放胶并使所述第三外...

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：提供一第一外延片和一第一暂态基板，在所述第一外延片上涂覆第一释放胶并使所述第一外延片通过第一释放胶与第一暂态基板粘合；第一外延片上镀第一金属层，对第一金属层和第一外延片进行图案化处理形成第一种颜色MicroLED阵列；S2：提供一第二外延片和一第二暂态基板，在所述第二外延片上涂覆第一释放胶并使所述第二外延片通过第二释放胶与第二暂态基板粘合；第二外延片上镀第二金属层，对第二金属层和第二外延片进行图案化处理形成第二种颜色MicroLED阵列；S3：提供一第三外延片和一第三暂态基板，在所述第三外延片上涂覆第三释放胶并使所述第三外延片通过第三释放胶与第三暂态基板粘合；第三外延片上镀第三金属层，对第三金属层和第三外延片进行图案化处理形成第三种颜色MicroLED阵列；S4：提供一阵列基板，在阵列基板表面镀一第一键合金属层，对第一键合金属层进行图案化处理形成第一金属阵列；S5：带有第一种颜色MicroLED阵列的第一暂态基板放置在阵列基板上，给第一释放胶一定条件，使第一种颜色MicroLED阵列与第一暂存基板脱离；第一种颜色MicroLED阵列的第一金属层和阵列基板上的第一金属阵列进行金属键合并形成第一种颜色金属键合阵列留在阵列基板上；S6：在步骤S5形成的阵列基板上涂第一光刻胶并在第一光刻胶上形成与第二种颜色MicroLED阵列位置对应的第一通孔；S7：在S6步骤中的阵列基板上镀与第一键合金属层材料相同的第二键合金属层，对第二键合金属层进行图案化处理形成位于第一通孔上方的第二金属阵列；S8：带有第二种颜色MicroLED阵列的第二暂态基板放置在S7步骤形成的阵列基板上，给第二释放胶一定条件，使第二种颜色MicroLED阵列与第二暂存基板脱离；第二种颜色MicroLED阵列的第二金属层和阵列基板上的第二金属阵列进行金属键合并形成第二种颜色金属键合阵列留在阵列基板上；S9：在步骤S8形成的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：安金鑫，高威，朱充沛，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32