一种CSP光源的切割方法技术

本发明专利技术涉及一种CSP光源的切割方法，用于制作具有透明或半透明层的CSP光源，该方法依次包括扩膜工序、切割工序和扩晶工序，首先对未切割的CSP光源半成品基片进行加热并保温，未切割的CSP光源半成品基片由若干呈阵列分布的芯片外整体封装一封装层构成；然后对保温状态下的CSP光源半成品基片进行扩膜，使得CSP光源半成品基片整体处于拉伸状态；再采用冲切的方式对处于拉伸状态的CSP光源半成品基片进行冲切分离；最后对冲切后的CSP光源半成品基片进行扩晶，得到完全分离开的CSP光源。本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术提出的CSP光源切割方法具有成本低、效率高，可显著提高CSP封装体贴装的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种CSP光源的切割方法
本专利技术属于半导体封装
，特别涉及一种CSP光源的切割方法。
技术介绍
随着光电技术的不断突破，高性能的半导体LED器件在商业、军工及民用等各领域被广泛应用。与此同时，LED器件在材料、芯片工艺、封装技术等方面也在不断提高，尤其是倒装芯片的成熟化与封装技术的多样化，芯片级封装CSP技术应运而生。所谓CSP光源通常采用封装层包裹住倒装芯片结构，免除了传统LED光源的大部分封装步骤和结构，可使得封装体尺寸大大减小。而目前CSP光源封装技术通常采用晶圆裂片后，对发光芯片分选重排后进行封装形成具有若干CSP光源阵列的基片，再对其基片进行进一步切割与扩膜分离，最终形成完全分离的单颗CSP光源。当前CSP光源封装体的切割主要采用的是飞轮切割的方法。而飞轮切割使用的刀具及设备成本高，切割时由于需要一行一行的走道切割，产能效率低，并且需要高压的超纯去离子水进行清洗，进一步增加了加工成本。而在飞轮切割后，还要对CSP封装体进行水清洗，之后再进行烘干处理。接触水以后的CSP封装体，如果烘干不彻底的话，容易造成CSP粘吸嘴现象。而粘吸嘴现象会导致后续CSP贴装的成品率大幅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CSP光源的切割方法，用于制作具有透明或半透明层的CSP光源，其特征在于：所述方法依次包括扩膜工序、切割工序和扩晶工序，扩膜工序，首先对未切割的CSP光源半成品基片进行加热并保温，所述未切割的CSP光源半成品基片包括若干呈阵列分布的芯片，以及以阵列分布的芯片为整体进行封装的封装层；然后对保温状态下的CSP光源半成品基片进行扩膜，使得CSP光源半成品基片整体处于拉伸状态；切割工序，再采用冲切的方式对处于拉伸状态的CSP光源半成品基片进行冲切分离；扩晶工序，最后对冲切后的CSP光源半成品基片进行扩晶，得到完全分离开的CSP光源；所述扩膜工序中的加热与保温温度范围满足以下条件：(1)将封装层...

【技术特征摘要】
1.一种CSP光源的切割方法，用于制作具有透明或半透明层的CSP光源，其特征在于：所述方法依次包括扩膜工序、切割工序和扩晶工序，扩膜工序，首先对未切割的CSP光源半成品基片进行加热并保温，所述未切割的CSP光源半成品基片包括若干呈阵列分布的芯片，以及以阵列分布的芯片为整体进行封装的封装层；然后对保温状态下的CSP光源半成品基片进行扩膜，使得CSP光源半成品基片整体处于拉伸状态；切割工序，再采用冲切的方式对处于拉伸状态的CSP光源半成品基片进行冲切分离；扩晶工序，最后对冲切后的CSP光源半成品基片进行扩晶，得到完全分离开的CSP光源；所述扩膜工序中的加热与保温温度范围满足以下条件：(1)将封装层的模量随其自身温度变化设为函数表达式：M＝f(T)，其函数表达式M＝f(T)的二阶导数表达式为：d2M/dT2＝df2(T)/dT2，其中，M为封装层模量，T为封装层温度；限定上述函数表达式M＝f(T)形成的关系曲线中，温度T在高于封装层自身对应的玻璃转化温度Tg时，且封装层材料处于弹性橡胶体平坦区域，该弹性橡胶体平坦区域的起始点对应温度T＝TL(min)，且TL(min)为上述二阶导数表达式形成的关系曲线中的最高点，且三次导数等于零时所对应的温度值；(2)TL＝TL(min)～TL(max)，且Tg＜TL(min)＜TL(max)＜Tf，其中，Tg为封装层的玻璃化温度，Tf为封装层的粘流温度。2.根据权利要求1所述的CSP...

【专利技术属性】
技术研发人员：王书昶，孙智江，宋健，
申请(专利权)人：海迪科南通光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32