用于使基板平坦化的装置和方法制造方法及图纸

一种用于使基板平坦化的装置和方法，在存在有由于存在于芯片内的图案构造或成膜方法而导致的各种各样的尺寸的阶差的情况下，得到均匀的阶差消除性。提供用于使基板的表面平坦化的平坦化装置，该平坦化装置具有：粗糙化处理单元，该粗糙化处理单元用于使用粗糙化粒子对所述基板的被处理面进行粗糙化处理；以及CMP单元，该CMP单元用于对被处理面被粗糙化后的所述基板的表面进行化学机械研磨(CMP)。

Devices and methods for flattening substrates

A device and method for flattening a substrate obtains uniform order elimination in the presence of various sizes of order differences due to pattern construction or film forming methods present in the chip. A flattening device for flattening the surface of a substrate is provided. The flattening device has a roughening treatment unit for roughening the treated surface of the substrate using roughening particles and a CMP unit for chemical mechanical grinding (CMP) of the roughened surface of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
用于使基板平坦化的装置和方法
本专利技术涉及用于使基板平坦化的装置和方法。
技术介绍
近年来，为了对处理对象物(例如半导体晶片等基板或者形成在基板的表面上的各种膜)进行各种处理而使用处理装置。作为处理装置的一例，列举了用于进行处理对象物的研磨处理等的CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械研磨)装置。一般情况下，在CMP中，将处理对象物按压到研磨垫上，将研磨剂(浆料)供给到处理对象物与研磨垫之间并使处理对象物与研磨垫相对运动，由此，对处理对象物的表面进行研磨。公知有CMP装置的研磨速度基于Preston法则，研磨速度与研磨压力成比例。当在作为研磨对象的基板的表面上存在凹凸的情况下，在凸部处，相比于凹部而言，与研磨垫的接触压力较大，因此，凸部的研磨速度比凹部快。在CMP装置中，通过该凸部与凹部之间的研磨速度之差来消除基板表面的阶差而实现平坦化。这里，在通过CMP装置进行平坦化之前的基板的表面上形成有各种各样的设计的芯片，在本芯片内存在由于图案构造或成膜方法而导致的各种各样的高度的阶差，并且，阶差的尺寸(具体而言是凸部的宽度和表面积)也各种各样。而且，这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平坦化装置，用于使基板的表面平坦化，其特征在于，具有：粗糙化处理单元，该粗糙化处理单元用于使用粗糙化粒子对所述基板的被处理面进行粗糙化处理；以及CMP单元，该CMP单元用于对被处理面被粗糙化后的所述基板的表面进行化学机械研磨。

【技术特征摘要】
2017.11.13 JP 2017-2185631.一种平坦化装置，用于使基板的表面平坦化，其特征在于，具有：粗糙化处理单元，该粗糙化处理单元用于使用粗糙化粒子对所述基板的被处理面进行粗糙化处理；以及CMP单元，该CMP单元用于对被处理面被粗糙化后的所述基板的表面进行化学机械研磨。2.根据权利要求1所述的平坦化装置，其特征在于，所述粗糙化处理单元具有：垫，该垫的尺寸比所述基板大；工作台，该工作台保持所述垫，该工作台能够相对于所述基板相对运动；基板保持头，该基板保持头将所述基板的被处理面保持为朝向所述垫，该基板保持头能够一边将所述基板向所述垫按压一边相对于所述垫相对运动；第一供给喷嘴，该第一供给喷嘴用于在所述粗糙化处理中将包含粗糙化用粒子的液体供给到所述垫；第二供给喷嘴，该第二供给喷嘴用于在所述粗糙化处理后供给用于清洗所述基板和所述垫的清洗用液体；以及调节器，该调节器用于进行所述垫的表面的调节。3.根据权利要求1所述的平坦化装置，其特征在于，所述粗糙化处理单元具有：垫，该垫的尺寸比所述基板大，该垫包含粗糙化用粒子；工作台，该工作台用于保持所述垫，该工作台能够相对于所述基板相对运动；基板保持头，该基板保持头将所述基板的被研磨面保持为朝向所述垫，该基板保持头能够一边将所述基板向所述垫按压一边相对于所述垫相对运动；第一供给喷嘴，该第一供给喷嘴用于在所述粗糙化处理中将液体供给到所述垫；第二供给喷嘴，该第二供给喷嘴用于在所述粗糙化处理后供给用于清洗所述基板和所述垫的清洗用液体；以及调节器，该调节器用于进行所述垫的表面的调节。4.根据权利要求1所述的平坦化装置，其特征在于，所述粗糙化处理单元具有：垫，该垫的尺寸比所述基板小；工作台，该工作台用于保持所述基板，该工作台能够相对于所述基板相对运动；保持头，该保持头将所述垫保持为朝向基板，该保持头能够一边将所述垫向所述基板按压一边相对于所述基板相对运动；臂，该臂用于使所述保持头在所述基板上沿着与所述基板的平面平行的方向摆动；第一供给喷嘴，该第一供给喷嘴用于在所述粗糙化处理中将包含粗糙化用粒子的液体供给到所述基板；第二供给喷嘴，该第二供给喷嘴用于在所述粗糙化处理后向所述基板供给清洗用液体；以及调节器，该调节器用于进行所述垫的表面的调节。5.根据权利要求1所述的平坦化装置，其特征在于，所述粗糙化处理单元具有：垫，该垫的尺寸比所述基板小，该垫包含粗糙化用粒子；工作台，该工作台用于保持所述基板，该工作台能够相对于所述垫相对运动；保持头，该保持头将所述垫保持为朝向所述基板，该保持头能够一边将所述垫向基板按压一边相对于所述基板相对运动；臂，该臂用于使所述保持头在所述基板上沿着与所述基板的平面平行的方向摆动；第一供给喷嘴，该第一供给喷嘴用于在所述粗糙化处理中向所述基板供给液体；第二供给喷嘴，该第二供给喷嘴用于在所述粗糙化处理后供给用于清洗所述基板和所述垫的清洗用液体；以及调节器，该调节器用于进行所述垫的表面的调节。6.根据权利要求1所述的平坦化装置，其特征在于，所述粗糙化处理单元具有：高压供给喷嘴，该高压供给喷嘴用于将包含所述粗糙化粒子的液体以高压朝向基板供给；工作台，该工作台用于保持所述基板，该工作台能够相对于所述高压供给喷嘴相对运动；臂，该臂用于使所述高压供给喷嘴与基板的平面平行地摆动；以及供给喷嘴，该供给喷嘴用于在所述粗糙化处理后向基板供给清洗用液体。7.根据权利要求2所述的平坦化装置，其特征在于，所述相对运动包含旋转运动、直线运动、涡旋运动以及旋转运动与直线运动的组合中的至少一种。8.根据权利要求1所述的平坦化装置，其特征在于，所述粗糙化粒子的平均粒径为100nm以下。9.根据权利要求1所述的平坦化装置，其特征在于，所述粗糙化粒子具有从由金刚石、SiC、CBN、SiO2、CeO2以及Al2O3构成的组中选择的至少一种粒子。10.一种平坦化装置，用于使基板的表面平坦化，其特征在于，具有：CMP单元，该CMP单元用于对所述基板进行化学机械研磨；清洗单元，该清洗单元用于清洗所述基板；干燥单元，该干燥单元用于对所述基板进行干燥；以及运送机构，该运送机构用于将所述基板在所述CMP单元、所述清洗单元和所述干燥单元之间运送，所述CMP单元具有：第一供给喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：马场枝里奈，小畠严贵，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP