硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆技术

本发明专利技术提出一种方法，在使用固定磨粒线锯切割具有超过300mm的直径的硅锭时，能够将镍引起的污染抑制为低于检出限。一种硅锭的切割方法，其为使至少一根在裸线的表面固定了多个磨粒的固定磨粒线材运行并且将具有超过300mm的直径的硅锭推压送入上述固定磨粒线材，以对上述硅锭进行切割的方法，该方法的特征在于，上述硅锭的切割是在30小时以下的切割时间内进行的。

Cutting Method of Silicon Ingot, Manufacturing Method of Silicon Wafer and Silicon Wafer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆
本专利技术涉及一种硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆。
技术介绍
线锯是相对于多根辊以一定间隔将线材螺旋状地卷绕而形成线材列，一边供给浆料一边使线材运行，并将硅锭等的工件按压到线材列上，对工件进行切片加工的切割装置。利用线锯，能够从工件同时切出多个晶圆，因此被广泛用于对硅锭进行切片加工以制造硅晶圆的工序中。图1是一般的线锯的主要部分的概略图。该图所示的线锯10包括进行线材20的抽出或卷取的线材抽出/卷取机构（未图示）、隔着规定间隔平行配置的主辊30、将冷却液供给到主辊30的喷嘴40及将浆料供给到线材20的喷嘴50。在主辊30的表面以一定间隔形成有多个槽，将线材20卷绕在这些槽上，由此形成线材列。在线材列的上方，保持工件W且将工件W按压到线材列的线材上的工件保持部60配设为能够通过升降机构（未图示）上下运行。通过线材抽出/卷取机构使线材20运行，并且一边将浆料从喷嘴50供给到运行的线材20，一边利用升降机构使工件保持部60在保持工件W的状态下下降，将工件W推压送入线材列的线材20上，由此对工件W进行切片加工。另外，加工时，主辊30通过由喷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅锭的切割方法，其为使至少一根在裸线的表面固定了多个磨粒的固定磨粒线材运行并且将具有超过300mm的直径的硅锭推压送入所述固定磨粒线材，以对所述硅锭进行切割的方法，该方法的特征在于，所述硅锭的切割是在30小时以下的切割时间内进行的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.04 JP 2016-1534881.一种硅锭的切割方法，其为使至少一根在裸线的表面固定了多个磨粒的固定磨粒线材运行并且将具有超过300mm的直径的硅锭推压送入所述固定磨粒线材，以对所述硅锭进行切割的方法，该方法的特征在于，所述硅锭的切割是在30小时以下的切割时间内进行的。2.根据权利要求1所述的硅锭的切割方法，其中，使用镍层将所述磨粒固定在所述裸线的表面。3.根据权利要求1或2所述的硅锭的切割方法，其中，根据所述规定的切割时间及所述磨粒的粒径，设定所述固定磨粒线材的平均线速以使通过所述硅锭的切割所得到的硅晶圆的平坦度成为规定值以下。4.根据权利要求3所述的硅锭的切割方法，其中，将所述固定磨粒线材的平均线速设为Ym/分钟、将所述多个磨粒的平均粒径设为Xμm，以满足下述式A：...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本大辅，田尻知朗，又川敏，中岛亮，卫藤义博，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP