【技术实现步骤摘要】
晶圆处理方法和装置
本专利技术涉及晶圆
，特别涉及一种晶圆处理方法和装置。
技术介绍
硅片加工过程中，通常进行化学机械研磨，在研磨工程后，硅片表面被研磨剂的残余物污染，因而应立刻进行清洗，清洗后残留于表面上的颗粒是半导体收率损失的主要原因，因而应尽量彻底去除，并且，由于研磨不均导致的表面粗糙度变化也成为半导体收率损失的原因，因而应进行控制。通常，在最终抛光前，硅片会因生产计划等多种原因在无尘室处于作业待机状态，此时，硅片表面会生成厚度为0.5-2nm的自然氧化膜，随着生成自然氧化膜，颗粒或污染源时而会陷落于硅片表面与自然氧化膜之间。最终抛光工程是端面研磨工程，是在用硅片吸附模板吸附硅片背面的状态下施加压力，用浆料和抛光研磨垫研磨的工程，此时，若硅片背面有污染源，则成为硅片背面的损伤源，而且在抛光室还会将背面陷落于自然氧化膜的污染源移动至预清洗机的载体，会恶化清洗机性能，对颗粒去除率造成影响。此外，自然氧化膜在抛光时引发化学掩膜现象，降低浆料的化学研磨能力而降低掩膜率，且机械性地磨损绒系列的研磨垫表面而造成寿命减少。在研磨工程中，就硅片的待机而言，通常将硅片置...
【技术保护点】
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜。2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述去除晶圆上的自然氧化膜包括以下步骤：步骤S1，控制所述晶圆旋转并利用清洗液对所述晶圆进行清洗。3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，所述晶圆的旋转速度为100-1000rpm，所述晶圆的清洗时间小于等于3min，清洗所述晶圆的清洗液为HF水溶液。4.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，所述HF水溶液的浓度为0.5-1.5％，同时向所述晶圆的正面和背面供应所述HF水溶液且供应速度为1-3L/min。5.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，通过所述HF水溶液清洗所述晶圆后再用去离子水清洗所述晶圆。6.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，清洗所述晶圆之后，端面研磨之前，所述处理方法还包括：步骤S2，通过氮气干...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔世勋，具成旻，李昀泽，白宗权，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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