【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对晶片等基板进行研磨的研磨方法以及研磨装置，特别涉及一边利用光学式膜厚测定系统测定基板的膜厚，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。
技术介绍
1、在半导体器件的制造工序中包含对sio2等绝缘膜进行研磨的工序、对铜、钨等金属膜进行研磨的工序等各种工序。使用研磨装置进行晶片的研磨。研磨装置通常具备：支承研磨垫的研磨工作台、将晶片向研磨垫按压的研磨头、以及将浆料供给到研磨垫上的浆料供给喷嘴。一边使研磨工作台旋转，一边对研磨工作台上的研磨垫供给浆料，研磨头将晶片向研磨垫按压。晶片在浆料的存在下与研磨垫滑动接触。通过浆料的化学作用与浆料中包含的磨粒以及研磨垫的机械作用的组合而将晶片的表面平坦化。
2、在构成晶片的表面的膜(绝缘膜、金属膜、硅层等)的厚度达到规定的目标值时，晶片的研磨结束。研磨装置为了测定绝缘膜、硅层等非金属膜的厚度，通常具备光学式膜厚测定系统。该光学式膜厚测定系统构成为，通过从与研磨工作台一同旋转的光学传感器头将光引导到晶片的表面，利用分光器测定来自晶片的反射光的强度，并对反射光的光谱进行解析，从而测定晶片
【技术保护点】
1.一种研磨方法，用于研磨基板，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
4.一种研磨装置，用于研磨基板，其特征在于，具备：
5.根据权利要求4所述的研磨装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的研磨装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种研磨方法，用于研磨基板，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
<...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。