The invention relates to the field of semiconductor technology, in particular to a semiconductor device and a preparation method thereof. Among them, there are: a substrate; a thermal conductive layer arranged on the substrate, which comprises a first metal layer and a second metal layer bonded to each other; a first conductive type semiconductor layer arranged on the thermal conductive layer; and a second conductive type semiconductor layer arranged on the first conductive type semiconductor layer. The insulation performance of semiconductor devices is guaranteed by two kinds of conductive layers, and the normal heat dissipation of semiconductor devices and the sensitivity of semiconductor devices are guaranteed by bonding thermal conductive layers.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
霍尔元件是一种常用的半导体器件,在传统的锑化铟霍尔元件制作中,锑化铟功能层薄膜通过蒸镀的方式在云母上形成,为了进一步提升元件的灵敏度,将锑化铟功能层薄膜转移至铁氧体基板上,同时再在薄膜表面贴装磁芯,从而可以将锑化铟霍尔元件的灵敏度提高至5倍及以上。在锑化铟薄膜转移至铁氧体基板上时,因为铁氧体是导电材料,因此在锑化铟薄膜和铁氧体之间,需要一层绝缘胶水,起粘贴和绝缘的作用。一般来说,绝缘胶水的导热能力都是很差的,随着驱动电流的增加,霍尔元件在工作时,产生的热量越来越多,绝缘胶的低导热性,导致这些热量无法及时耗散出去,从而使霍尔元件的灵敏度降低,零点出现不稳定,可靠性也受到影响。以锑化铟霍尔元件生产厂商旭化成的经典款产品HW322B为例,当驱动电流超过3mA,不平衡电压即开始不太稳定,霍尔元件灵敏度也呈现非线性,这大大制约了锑化铟霍尔元件的应用场景。
技术实现思路
因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的半导体器件在大电流下工作时,性能明显下降的问题,提供一种高可靠性的半导体器件及其制备方法。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案如下:本专利技术提供一种半导体器件,包括:基板;导热层,设置在所述基板上;第一导电类型半导体层,设置在所述导热层上;第二导电类型半导体层,设置在所述第一导电类型半导体层上。上述半导体器件中,所述导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层。进一步地,所述半导体器件为霍尔元件,所述霍尔元件还包括:电极和磁芯,所述电极和磁芯 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:基板(7);导热层(5、6),设置在所述基板(7)上;第一导电类型半导体层(4),设置在所述导热层(5、6)上;第二导电类型半导体层(3),设置在所述第一导电类型半导体层(4)上。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:基板(7);导热层(5、6),设置在所述基板(7)上;第一导电类型半导体层(4),设置在所述导热层(5、6)上;第二导电类型半导体层(3),设置在所述第一导电类型半导体层(4)上。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导热层包括相互键合的第一金属层(5)和第二金属层(6)。3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述第一金属层(5)包括Au、Cu、In、Ti、Pt、Cr、Ge以及Ni中的至少一个;和/或所述第二金属层(6)包括Au、Cu、In、Ti、Pt、Cr、Ge以及Ni中的至少一个。4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件为霍尔元件,所述霍尔元件还包括:电极(8)和磁芯(10),所述电极(8)和磁芯(10)设置在第二导电类型半导体层(3)上。5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述电极(8)具有多个,其分布于所述第二导电类型半导体层(3)表面,且具有用于使电流流向所述第二导电类型半导体层(3)的输入用电极和用于输出霍尔电压的输出用电极。6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述磁芯(10)和所述第二导电类型半导体层(3)之间还设置有绝缘层(9)。7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,所述第二导电类型半导体层(3)呈十字结构;所述电极(8)具有四个,其分布于所述第二导电类型半导体层(3)的十字结构端部。8.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述基板(7)为铁氧体基板。9.一种半导体器件的制备方法,其特征在于,包括:在第二导电类型半导体层(3)上形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡双元,
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。