调度以及分派半导体批次至制造工具的系统和方法技术方案

技术编号:21248067 阅读:32 留言:0更新日期:2019-06-01 08:02
在本公开中提供一种用以调度以及分派半导体批次至制造工具的系统以及方法,可将批次的调度路径重新调度到执行相同制造工艺的另一制造工具以便扩大生产线和生产量。所述控制方法至少包含以下步骤。以具有被配置成以一定顺序使用多种制造工艺来处理批次的多个制造工具的预定路径来调度批次。在利用制造工具在制造工艺中的每一种中处理批次时监测批次,且针对每一制造工艺产生检测数据。根据放行规则和检测数据将批次重新调度到制造工艺中的一种的预定路径之外的另一制造工具。

Systems and methods for scheduling and dispatching batches of semiconductors to manufacturing tools

A system and method for scheduling and dispatching semiconductor batches to manufacturing tools are provided in this disclosure, which can reschedule batch scheduling paths to another manufacturing tool that performs the same manufacturing process in order to expand production lines and throughput. The control method comprises at least the following steps. Scheduling batches with predetermined paths having multiple manufacturing tools configured to process batches in a certain order using multiple manufacturing processes. Monitoring batches when processing batches in each manufacturing process using manufacturing tools, and generating test data for each manufacturing process. The batch is rescheduled to another manufacturing tool besides a predetermined path in a manufacturing process according to release rules and test data.

【技术实现步骤摘要】
调度以及分派半导体批次至制造工具的系统和方法
本公开是涉及一种调度系统以及调度方法,尤其涉及一种用以调度半导体批次的系统以及方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中,集成电路(integratedcircuit;IC)装置在若干制造阶段中在广泛多种处理制造工具和测量技术的多步骤顺序中形成。更多制造阶段中的一个可利用制造工具(也称为半导体制造设备)来执行,其中将晶片批次(一批晶片)从一个制造工具传送到下一制造工具。在一些情况下,可选择或指定特定的制造工具来处理特定产品。所述选择可基于制造工具的能力、客户的需求等。然而,在一些情况下,所选制造工具的数量受到车间的限制。因此,期望扩大生产线的生产力和/或灵活性。举例来说,可考虑并利用车间中的其它(未选择的)制造工具。其为一种关于改进对制造工艺和/或制造工具的管理的持续开发。
技术实现思路
本公开的对在制造设备中处理的批次重新调度的方法包含以下步骤:接收来自于装载口的批次;使用具有多个制造工具的预定路径来调度批次,多个制造工具被配置成以一定顺序使用多种制造工艺来处理批次;执行多个制造工艺中的至少一个;在由制造工具处理批次时监测批次并产生检测数据;确定与批次相对应的检测数据是否满足放行规则;根据放行规则和检测数据将批次重新调度到在制造工艺内的第一制造工艺的预定路径之外的另一制造工具;以及将批次运输到另一制造工具。本公开的分派批次的方法包含以下步骤:经由网络从统计过程控制(SPC)图表装载与批次相对应的检测数据;确定检测数据是否超出放行规则;以及当确定检测数据并未超出放行规则时,自动地将批次指定或分派到制造工艺的第二制造工具而非第一制造工具。本公开的用于管理批次的制造工艺的系统包括存储一或多个程序的计算机程序代码的至少一个存储器以及至少一个处理器。至少一个处理器被配置成从存储器装载计算机程序代码,代码促使至少一个处理器经由网络装载来自于统计过程控制(SPC)图表指定的对应于批次的检测数据;;确定检测数据是否超出放行规则;以及当确定检测数据没有超出放行规则时,将批次指定并分派到制造工艺的第二制造工具而不是第一制造工具。附图说明根据结合附图阅读的以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意,根据行业中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。实际上,为了论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是示出根据本公开的一些示例性实施例的半导体制造系统的框图。图2是示出根据本公开的示例性实施例中的一些的半导体制造系统的框图。图3是示出根据本公开的示例性实施例中的一些的重新调度批次的方法的流程图。图4是示出根据本公开的示例性实施例中的一些的重新调度批次的方法的流程图。图5是示出根据本公开的一些示例性实施例的半导体制造系统的硬件的图式。附图标号说明100:半导体制造系统;101:批次;110、120、130、130-1、130-2:制造工具;140:服务器;150、170:数据库;160:网络;200、300:系统;201:处理器;203:存储介质;205:总线;207、310:I/0接口;209:网络接口;210:用户接口;S301、S303、S305、S307、S309、S401、S403、S405、S407:步骤。具体实施方式以下是用于实施所提供主题的不同特征的各种实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本公开。当然,这些只是实例且并不意图为限制性的。举例来说,在以下描述中,第一特征形成于第二特征上方或之上可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例,并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。另外,本公开可在各种实例中重复附图标号及/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的,且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。本公开的示例性实施例可包括本文中所描述、包含在具体实施方式中和/或绘示于附图中的新颖特征中的任何一个或多个。如本文中所使用,“至少一个”、“一或多个”以及“和/或”是在操作中具有连接性和分离性两者的开放式表达。举例来说,表达“A、B以及C中的至少一个”、“A、B或C中的至少一个”、“A、B以及C中的一或多个”、“A、B或C中的一或多个”以及“A、B和/或C”意指仅A、仅B、仅C、A和B一起、A和C一起、B和C一起,或A、B以及C一起。应注意,术语“一(a/an)”实体指代所述实体中的一或多个。如此,术语“一(a)”(或“一(an)”)、“一或多个”以及“至少一个”在本文中可互换地使用。本公开中使用的术语大体上具有其在本领域中和在其中使用每一术语的特定上下文中的一般含义。在本公开中使用实例(包含本文中所论述的任何术语的实例)仅是说明性的,且不以任何方式限制本公开或任何所示例术语的范围和含义。同样地,本公开不限于本公开中给出的各种实施例。半导体制造涉及在晶片上执行相对较大数量的处理步骤以便产生期望半导体集成电路(IC)。所述晶片存储在装载于载具中的容器中,如用于在整个铸造中运输的标准机械接口(standardmechanicalinterfaces;SMIF)或前开式统一片盒(frontopeningunifiedpods;FOUP)。制造工艺是多步骤顺序的光刻和化学处理步骤,在此期间逐渐在由半导体材料组成的晶片上产生电路。各种处理步骤分成一定数量的类别,包含沉积、去除图案化、化学气相沉积(chemicalvapordeposition;CVD)、电化学沉积(electrochemicaldeposition;ECD)、分子束外延法(molecularbeamepitaxy;MBE)、原子层沉积(atomiclayerdeposition;ALD)以及类似物。去除是一种从晶片整体或选择性去除材料且包含刻蚀工艺的工艺。举例来说,化学机械平面化(chemicalmechanicalplanarization;CMP)是在装置水平之间使用的典型去除工艺。图案化工艺是使沉积材料成形或在沉积材料成形后的那些工艺。图案化也称作光刻。典型图案化工艺包含使用光刻胶材料以选择性掩蔽半导体装置的部分,使装置暴露于特定波长的光下,且随后使用开发者解决方案清洗掉未暴露区域。通过利用扩散和/或离子植入掺杂选定区域来改变电特性。所述工艺典型地后接退火工艺,如锅炉退火或快速热退火(rapidthermalanneal;RTA)以便激活植入掺杂剂。在制造设备(fabricationfacility;fab)中,各种制造工具(半导体制造设备)被设计成分别执行以上工艺。将一批晶片(也称作批次)从一个制造工具传送到另一制造工具。在至少一个实施例中,从装载口接收批次,所述装载口包含被布置成处理模块的门的平台。可通过各种制造阶段(其可以是数百个不同阶段)处理每一批次以形成期望IC。举例来说,可以一定顺序将批次传送到沉积制造工具、平面化制造工具、光刻制造工具以及刻蚀制造工具。这些制造工具中的每一个可包含用以控制制造工具的工艺的计算机和各种电子组件。计算机至少包含处理器、存储装置以及网络接口。存储器装置存储可由处理器装载并执行的多个程序代码。网络接口被配置成连接到网络,其中计算机可通过网络耦合到其它制造工具的另一计算机和/或服务器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对在制造设备中处理的批次进行重新调度的方法,包括:接收来自于装载口的所述批次;使用具有多个制造工具的预定路径来调度所述批次,所述多个制造工具被配置成以一定顺序使用多种制造工艺来处理所述批次;执行所述多个制造工艺中的至少一个;在由所述制造工具处理所述批次时监测所述批次并产生检测数据;确定与所述批次相对应的所述检测数据是否满足放行规则;根据所述放行规则和所述检测数据将所述批次重新调度到在所述制造工艺内的第一制造工艺的所述预定路径之外的另一制造工具;以及将所述批次运输到所述另一制造工具。

【技术特征摘要】
2017.11.23 US 62/590,269;2018.05.30 US 15/992,2071.一种对在制造设备中处理的批次进行重新调度的方法,包括:接收来自于装载口的所述批次;使用具有多个制造工具的预定路径来调度所述批次,所述多个制造工具被配置成以一定顺序使用多种制造工艺来处理所述批次;执行所述多个制造工艺中的至少一个;在由所述制造工具处理所述批次时监测所述批次并产生检测数据;确定与所述批次相对应的所述检测数据是否满足放行规则;根据所述放行规则和所述检测数据将所述批次重新调度到在所述制造工艺内的第一制造工艺的所述预定路径之外的另一制造工具;以及将所述批次运输到所述另一制造工具。2.根据权利要求1所述的重新调度的方法,其中确定与所述批次相对应的所述检测数据是否满足所述放行规则的所述步骤包括:比较所述检测数据与所述放行规则,其中所述放行规则是基于所述另一制造工具的性能。3.根据权利要求2所述的重新调度的方法,其中所述检测数据包括在所述第一制造工艺之前执行的化学机械抛光工艺期间测量的化学机械抛光厚度。4.根据权利要求2所述的重新调度的方法,其中所述检测数据包括从在所述第一制造工艺之前执行的光刻工艺所测量的临界尺寸和对准覆盖。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄麟凯苏维琦刘怡卿刘丞轩
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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