晶圆载盘遮蔽结构制造技术

技术编号:21246564 阅读:38 留言:0更新日期:2019-06-01 07:06
一种晶圆载盘遮蔽结构,包括一腔体、一载盘、一载台及一屏蔽,该载盘的顶面具有数个凹槽供容置晶圆,且可藉由一机械手臂送入或送出该腔体,该载台可升降地设于该腔体之中且可供承载该载盘,该屏蔽结合在该腔体之中且位于该载台的上方,并具有与该载盘上的晶圆相对应位置及形状的数个穿孔,当该载台将该载盘顶升至该屏蔽下侧时仅只能从该穿孔中显露出晶圆;藉由上述结构可大幅延长载盘使用寿命、减少载盘清洗费用及降低产品报废风险。

Shelter Structure of Wafer Load Disk

A wafer carrier shielding structure includes a cavity, a carrier plate, a carrier and a shield. The top surface of the carrier plate has several grooves to accommodate the wafer, and can be fed into or sent out of the cavity by a manipulator arm. The carrier can be lifted and placed in the cavity and can be used to carry the carrier plate. The shield is combined in the cavity and located above the carrier plate, and has a bearing plate with the carrier plate. When the platform lifts the disk to the lower side of the shield, only the wafer can be exposed from the perforation. With the above structure, the service life of the disk can be greatly prolonged, the cleaning cost of the disk can be reduced and the risk of product scrap can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
晶圆载盘遮蔽结构
本技术涉及一种晶圆载盘遮蔽结构,其主要适用半导体封装制程以及LED封装制程,尤指一种可大幅延长载盘使用寿命、减少载盘清洗费用及降低产品报废风险的晶圆载盘遮蔽结构。
技术介绍
请参阅图1及图2所示,指出一般在半导体封装制程、LED封装置程与面板制造过程的镀膜作业中,为了提升产能,通常会将较小尺寸的数个晶圆10放在较大尺寸的一载盘上11,然后利用一机械手臂将其送入一腔体12内的载台13上,藉由该腔体12上方的一溅镀装置14将一靶材15的原子溅射出来,使其沉积于该晶圆10上而完成镀膜作业。然而,在进行镀膜作业时,该载盘11上置放晶圆10以外的区域会跟着该些晶圆10一起沉积镀膜(如图2的斜线区域),而随着该载盘11承载晶圆10镀膜次数的增加,该载盘11上的薄膜会愈长愈厚,而易衍生出微粒(peeling)污染及脱皮(particle)污染。虽然,该载盘11上的薄膜可藉由化学药液清洗来达到进行重复使用的目的,然而当清洗次数愈多,该载盘11会越变越薄而使结构变脆弱,在后续使用下便容易受到制程中所产生的机械力拉扯与冷热冲击影响而产生破裂的情形,甚至导致产品受损报废。因此,具有载盘11使用寿命短、清洗费用成本高及产品报废率高等缺点。有鉴于此,本创作人乃针对上述问题,而深入构思,且积极研究改良试做而开发设计出本创作。
技术实现思路
本技术的主要目的在于,针对已知半导体封装制程、LED封装置程与面板制造过程的镀膜作业中所存在的载盘使用寿命短、清洗费用成本高及产品报废率高等问题,而提供一种晶圆载盘遮蔽结构。为达上述目的,本技术所采用的技术方案是:一种晶圆载盘遮蔽结构,其包括一腔体、一载盘及一载台,该载盘的顶面具有数个凹槽以容置晶圆,该载盘可藉由一机械手臂送入或送出该腔体;该载台可升降地设于该腔体之中,并可供承载该载盘;其特征在于,还包括一屏蔽,该屏蔽结合在该腔体之中,且位于该载台的上方,并具有与该载盘上的晶圆相对应数个穿孔,当该载台将该载盘顶升至该屏蔽下侧时仅只能从该穿孔之中显露出晶圆。所述结构更包括数根顶杆,该顶杆的下端设于该腔体的底部,上端穿过该载台而可上升一高度以承接外部送入的载盘,以及可下降缩入该载台以将该载盘置于该载台的顶面。所述载台的底部设有一驱动杆,该驱动杆向下延伸而穿过该腔体,使可供下方的一驱动装置驱动该驱动杆升降。所述屏蔽利用支撑柱连接固定在该腔体的底部。所述穿孔的上方开口处形成由下向上逐渐扩大的喇叭孔。所述屏蔽的底面依序向上具有与该载台及该载盘相对应的一底槽及一阶槽。所述屏蔽与该载盘的相对接触面上设置有能相对嵌合的凹、凸部,使该屏蔽与该载盘相对接合时载盘上的晶圆能正对该屏蔽的穿孔。所述凹、凸部呈锥状或呈半球状。本技术所提供的晶圆载盘遮蔽结构,可藉由该屏蔽的遮蔽而使进行镀膜作业时,溅镀出的薄膜不会直接沉积在该载盘上,而只能透过该屏蔽上的穿孔沉积在该晶圆上。因此,可大幅延长该载盘的使用寿命,而且可减少该载盘的清洗费用,并可降低产品报废风险。附图说明图1是已知晶圆镀膜作业示意图。图2是已知载盘立体放大示意图。图3是本技术的腔体部份剖面后的立体分解示意图。图4本技术的腔体部份剖面后的立体组合放大示意图。图5本技术的载盘送入腔体内的动作示意图。图6本技术的载盘下降置放于载台上的动作示意图。图7本技术的载台上升使屏蔽罩住该载盘并进行镀膜作业的动作示意图。符号说明:10晶圆11载盘12腔体13载台14溅镀装置15靶材20腔体30载盘31凹槽32晶圆40载台41驱动杆50顶杆60屏蔽61支撑柱62穿孔63喇叭孔64底槽65阶槽70溅镀装置71靶材。具体实施方式请参阅图3-图7所示,显示本技术所述的晶圆载盘遮蔽结构,其包括一腔体20、一载盘30、一载台40、数根顶杆50及一屏蔽60,其中:该载盘30,顶面具有数个凹槽31可供分别容置数个晶圆32,该载盘30可藉由一机械手臂(图中未示)送入或送出该腔体20。该载台40,可升降地设于该腔体20之中,且底部设有一驱动杆41向下延伸而穿过该腔体20,使该驱动杆41可透过下方的一驱动装置(图中未示)驱动其升降。数根顶杆50,其下端设于该腔体20的底部,上端穿过该载台40而可上升一高度以承接外部送入的载盘30,以及可下降缩入该载台40以将该载盘30置于该载台40的顶面。该屏蔽60,设于该腔体20之中,且底面利用数个支撑柱61连接固定在该腔体20的底部,使该屏蔽60位于该载台40的上方。该屏蔽60上具有与该载盘30上的晶圆32相对应位置及形状的数个穿孔62,使当该载台40将该载盘30顶升至该屏蔽60下侧时仅只能从该穿孔62中显露出该晶圆32。每一穿孔62的上方开口处形成由下向上逐渐扩大的喇叭孔63。该屏蔽60的底面依序向上具有与该载台40及该载盘30相对应的一底槽64及一阶槽65。在本创作中,该屏蔽60与该载盘30的相对接触面上可设置能相对嵌合的凹、凸部,以使其相对接合时能产生良好定位导正效果,而使载盘30上的晶圆32能因此正对该屏蔽60的穿孔62。该凹、凸部呈锥状或半球状。本创作在进行镀膜制程时,是先将数个晶圆32分别置放于该载盘30的数个凹槽31之中,然后利用外部的一机械手臂(图中未示)将该载盘30送入该腔体20中,使该顶杆50的上端顶住该载盘30的底面,并使该机械手臂退回外部(如图5所示)。之后,该顶杆50的上端下降使该载盘30置放于该载台40的顶面(如图6所示)。然后,再使该载台40上升至该屏蔽60的下侧,使该晶圆32仅从该穿孔62之中显露出,此时藉由该腔体20上方的一溅镀装置70将一靶材71的原子溅射出来以进行镀膜作业时,该靶材71的原子便会因该屏蔽60的遮蔽而仅只能沉积于该晶圆32上(如图7所示)。本创作所提供的晶圆载盘遮蔽结构,可藉由该屏蔽60的遮蔽而使进行镀膜作业时溅镀出的薄膜不会直接沉积在该载盘30上,而只能透过该屏蔽60上的穿孔62沉积在晶圆32上。因此,可大幅延长该载盘30的使用寿命,而且并可减少该载盘30的清洗费用以及降低产品报废风险。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆载盘遮蔽结构,其包括一腔体、一载盘及一载台,该载盘的顶面具有数个凹槽以容置晶圆,该载盘可藉由一机械手臂送入或送出该腔体;该载台可升降地设于该腔体之中,并可供承载该载盘;其特征在于,还包括一屏蔽,该屏蔽结合在该腔体之中,且位于该载台的上方,并具有与该载盘上的晶圆相对应数个穿孔,当该载台将该载盘顶升至该屏蔽下侧时仅只能从该穿孔之中显露出晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆载盘遮蔽结构,其包括一腔体、一载盘及一载台,该载盘的顶面具有数个凹槽以容置晶圆,该载盘可藉由一机械手臂送入或送出该腔体;该载台可升降地设于该腔体之中,并可供承载该载盘;其特征在于,还包括一屏蔽,该屏蔽结合在该腔体之中,且位于该载台的上方,并具有与该载盘上的晶圆相对应数个穿孔,当该载台将该载盘顶升至该屏蔽下侧时仅只能从该穿孔之中显露出晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆载盘遮蔽结构,其特征在于,所述结构更包括数根顶杆,该顶杆的下端设于该腔体的底部,上端穿过该载台而可上升一高度以承接外部送入的载盘,以及可下降缩入该载台以将该载盘置于该载台的顶面。3.如权利要求2所述的晶圆载盘遮蔽结构,其特征在于,所述载台的底部设有一驱动杆,该驱动杆向下延伸而穿过该腔体,...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕林声谢承志陈炫中邱新智郑耀璿王俊富
申请(专利权)人:天虹科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾,71

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1