一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法技术

技术编号:21215613 阅读:38 留言:0更新日期:2019-05-28 22:00
本发明专利技术公开了一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法,其是在所述狭缝涂布头的外表面上设置疏水疏油涂层。本发明专利技术中通过在狭缝涂布头的外表面设置疏水疏油涂层,解决了狭缝涂布头上光阻结晶的问题,有效地减少狭缝涂布头表面光阻结晶物的残留,从而提高了狭缝涂布头的清洁效果,不需要额外除去光阻结晶物,减少投入,提高设备利用率的同时降低基材的报废率。

A Method for Improving Photoresist Crystallization on Slit Coating Head

The invention discloses a method for improving the photoresist crystallization on the slit coating head, in which a hydrophobic and oil-thinning coating is arranged on the outer surface of the slit coating head. The invention solves the problem of photoresist crystallization on the slit coating head by installing hydrophobic oil-thinning coating on the outer surface of the slit coating head, effectively reduces the residual of photoresist crystals on the surface of the slit coating head, thereby improving the cleaning effect of the slit coating head, without additional removal of photoresist crystals, reducing investment and improving. The utilization rate of equipment can reduce the scrap rate of substrates.

【技术实现步骤摘要】
一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法
本专利技术涉及了狭缝涂布
,特别是涉及了一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法。
技术介绍
狭缝式涂布是一种高精密的涂布方式,不仅用于传统产业:如胶带、电影底片、功能隔膜、封装膜、墙壁纸的制造,亦用在高增值的电子产业:如印刷电路板、电容膜、光学膜、表面硬化涂布、显视基板光阻涂布等制程。而最近更应用在发展迅速的再生能源产业:如铜铟镓硒薄膜太阳能电池、高份子太阳能电池、锂电池等的制备工序中。狭缝式涂布的工作原理是:在压力作用下,涂布液从涂布头的缝隙挤出而转移到基材上。目前狭缝式涂布的技术研究主要集中于涂布头设计上,因为它是决定涂布质量好坏的重要因素之一。现有的狭缝涂布头通常由上模、下模以及设于上模和下模之间的垫片构成,垫片的设置可在上模与下模之间形成一侧具有出料口的狭缝通道,涂布液通过所述狭缝通道向出料口挤出以进行涂布作业。当所述涂布液为光阻时,由于狭缝涂布过程中外力的作用下和液体的挥发,光阻非常容易结晶在狭缝涂布头的唇部的前端面和该前端面两侧的倾斜面上上,造成对涂布头的污染,在下一次的涂布作业时容易对涂布在基材上的光阻造成污染,影响涂布的操作。为了解决上述问题,现有技术中通常需要额外设置清洗装置来去除附着在狭缝涂布头上结晶了的光阻,但是机械机构复杂,成本较高,且极易对狭缝涂布头造成损伤。
技术实现思路
为了弥补已有技术的缺陷,本专利技术提供一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法,其是在所述狭缝涂布头的外表面上设置疏水疏油涂层。进一步地,所述狭缝涂布头包括上模、下模以及夹设于所述上模与所述下模之间的垫片,所述上模与下模之间形成用于出料的狭缝,所述疏水疏油涂层设置于所述上模和下模的外表面上。进一步地,所述疏水疏油涂层为纳米二氧化硅涂层。进一步地,所述疏水疏油涂层为环氧树脂涂层。进一步地,所述疏水疏油涂层通过喷涂工艺设置于所述狭缝涂布头的外表面。本专利技术具有如下有益效果:本专利技术中通过在狭缝涂布头的外表面设置疏水疏油涂层,解决了狭缝涂布头上光阻结晶的问题,有效地减少狭缝涂布头表面光阻结晶物的残留,从而提高了狭缝涂布头的清洁效果,不需要额外除去光阻结晶物,减少投入,提高设备利用率的同时降低基材的报废率。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进行详细的说明,实施例仅是本专利技术的优选实施方式,不是对本专利技术的限定。狭缝涂布时,当所述涂布液为光阻时,由于狭缝涂布过程中外力的作用下和液体的挥发,光阻非常容易结晶在狭缝涂布头的唇部的前端面和该前端面两侧的倾斜面上上,造成对涂布头的污染,在下一次的涂布作业时容易对涂布在基材上的光阻造成污染。现有技术中通常需要额外设置清洗装置来去除附着在狭缝涂布头上结晶了的光阻,但是光阻结晶后难以清洁干净,清洗装置机械机构复杂,成本较高,且极易对狭缝涂布头造成损伤。基于此,本专利技术提供一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法,其是在所述狭缝涂布头的外表面上设置疏水疏油涂层。与现有技术相比,本专利技术通过对现有狭缝涂布头进行改进,在狭缝涂布头的外表面上设置疏水疏油涂层,防止光阻结晶附着在狭缝涂布头上,从而提高了狭缝涂布头的清洁效果,不需要额外除去光阻结晶物,减少投入,提高设备利用率的同时降低基板的报废率。“疏水”的定义来自美国,简单地说是指面料抵御被水浸湿的能力,具体来讲是一件防水或抗水产品在涂抹一种疏水材料后所获得的特性,以及它能抵抗多强的水压而不被浸湿。疏水面料依靠提供与水的接触角来抵御水流。如果一滴水滴掉在面料上且接触角小于90度,那么它将浸入面料中,反之如果接触角大于90度,它则倾向于滑落。疏水疏油涂层具有较大的接触角,当光阻结晶物接触狭缝涂布头表面时,首先接触到疏水疏油涂层,形成具有较大接触角的脏污点,脏污点在疏水疏油涂层难以附着,由较小的脏污点汇集成为较大的脏污团,在重力的作用下,从疏水疏油涂层表面滑落,有利于促进脏污的聚集滑落,保持疏水疏油涂层表面的清洁。本专利技术中,所述疏水疏油涂层优选为纳米二氧化硅涂层。所述纳米二氧化硅涂层即经疏水官能基修饰后的纳米二氧化硅,可以理解的,所述纳米二氧化硅上具有疏水官能基,以使所述防污疏水疏油涂料具备较好的疏水性。本专利技术中,所述疏水疏油涂层更优选为环氧树脂涂层。环氧树脂为有机化合物,具有很强的耐腐蚀性,它对金属和非金属的附着力特别强,对光阻具有很好的疏水疏油性。需要说明的是,本专利技术的疏水疏油涂层包括但不限于前面所列举的几种材料,也可以是其他未列举在本实施例中的但被本领域技术人员所熟知的其他材料。本专利技术中,对在狭缝涂布头上形成疏水疏油涂层的方法也不作具体限定,可以采用本领域形成涂层的常规方法。作为优选,所述疏水疏油涂层通过喷涂工艺设置于所述狭缝涂布头的外表面。所述狭缝涂布头包括上模、下模以及夹设于所述上模与所述下模之间的垫片,所述上模与下模之间形成用于出料的狭缝,所述疏水疏油涂层设置于所述上模和下模的外表面上。可以理解,所述狭缝涂布头还包括其它结构,为本领域技术人员知晓的部件,其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知,在此不再赘述。所述疏水疏油涂层可以设置于所述上模和下模的全部外表面上,也可以设置于所述上模和下模的部分外表面,例如,所述疏水疏油涂层可以设置于所述狭缝涂布头的唇部的前端面和该前端面两侧的倾斜面上。本专利技术中,对狭缝涂布头的材料不作具体限定,可以为玻璃、金属材料或聚合物。本专利技术中,光阻从狭缝涂布头的狭缝挤出而将光阻转移到基材上形成光阻层。需要说明的是,光阻是一种感光材料,主要组成成分:树脂、感光剂、溶剂、固含量,所述光阻可以为正型光阻,也可以为负型光阻。正型光阻被光照的部分(被UV光分解),在曝光显影的时候清洗掉,再脱模的时候清洗掉没有被光照的部分。负型光阻被光照的部分(UV光反应,分子更牢固),在曝光显影的时候清洗掉没有被光照的部分,脱模的时候清洗掉被UV光照的部分;因此,如果是正型光阻,则目标图案为透光材料;如果是负型光阻,则目标图案为不透光材料。将包含目标图案的菲林或掩模板覆盖在涂满了光阻的基材表面,这样,在曝光显影过程中,其中目标图案对应的区域不会被曝光,而其他区域会曝光,这样,就可以将未曝光的区域显影后即通过显影液清洗掉感光材料的区域形成了目标图案。以上所述实施例仅表达了本专利技术的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法,其特征在于,其是在所述狭缝涂布头的外表面上设置疏水疏油涂层。

【技术特征摘要】
1.一种改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法,其特征在于,其是在所述狭缝涂布头的外表面上设置疏水疏油涂层。2.如权利要求1所述的改善狭缝涂布头上光阻结晶的方法,其特征在于,所述狭缝涂布头包括上模、下模以及夹设于所述上模与所述下模之间的垫片,所述上模与下模之间形成用于出料的狭缝,所述疏水疏油涂层设置于所述上模和下模的外表面上。3...

【专利技术属性】
技术研发人员:李思拥郑运松曾一鑫
申请(专利权)人:信利光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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