一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法，包括以下步骤：S1、选用FeSiB非晶带材；所述FeSiB非晶带材的典型成分为FexSiyBz，x＝75％～80％，y＝12％～15％，z＝8％～10％；所述FeSiB非晶带材的单层厚度为20‑25μm；S2、对FeSiB非晶带材进行热处理，将热处理后的FeSiB非晶带材冷却至室温；所述热处理包括：将FeSiB非晶带材从室温升温至300℃～320℃，并保温20分钟～40分钟，升温速率为15℃/分钟～20℃/分钟；然后将FeSiB非晶带材从300℃～320℃升温至400℃～420℃，升温速率为15℃/分钟～20℃/分钟，并保温60分钟～90分钟；S3、对FeSiB非晶带材依次进行覆膜、贴合和模切处理，获得两层的FeSiB非晶带材贴合形成的非晶隔磁片。上述制备方法无需对非晶材料碎磁化处理，避免碎磁化处理带来的材料性能不稳定现象。

A preparation method of amorphous magnetic isolator for wireless charging

The present invention relates to a preparation method of amorphous magnetic isolation sheet for wireless charging, including the following steps: S1, selection of FeSiB amorphous tape material; the typical composition of the FeSiB amorphous tape material is FexSiyBz, x=75%-80%, y=12%-15%, z=8%-10%; the single layer thickness of the FeSiB amorphous tape material is 20_25 um; S2, heat treatment of the FeSiB amorphous tape material, and heat treatment of the FeSiB amorphous tape material. The heat treatment includes: heating FeSiB amorphous ribbon from room temperature to 300 ~320, holding for 20 minutes to 40 minutes, heating rate is 15 /minute to 20 /minute; then heating FeSiB amorphous ribbon from 300 ~320 to 400 ~420, heating rate is 15 /minute to 20 /minute, and holding for 60 minutes to 90 minutes; FeSiB amorphous strips were coated, bonded and die-cut in turn to obtain amorphous magnetic isolation sheets formed by bonding two layers of FeSiB amorphous strips. The preparation method needs no crushing and magnetizing treatment of amorphous materials, and avoids the instability of material properties caused by crushing and magnetizing treatment.

【技术实现步骤摘要】
一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法
本专利技术涉及无线充电
，特别涉及一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法。
技术介绍
非晶态合金，具有金属和玻璃的双重特性，即优异的物理、化学和力学性能。非静态合金具有高的电阻率，优异的软磁、抗腐蚀和催化性能、高强度、高硬度和刚度，以及较好的延展性等。其中，由非晶态合金制成的薄带状FeSiB材料，具有优良的软磁性能和力学性能，其拉伸强度可高达3000MPa。非晶带材具有质轻、体积小等优点，还具有电磁波屏蔽性能。因此非晶合金FeSiB在磁性器件、传感器、耐蚀材料等领域有着广泛的应用。近年来，随着智能手机无线充电功能的逐渐普及，FeSiB也被应用于充电模组中的隔磁片。与铁氧体等软磁材料相比，FeSiB的饱和磁感应强度Bs一般约为1.56T，能够满足无线充电大功率的发展趋势。专利CN102953020A中公布了一种铁基非晶纳米晶软磁合金材料及其制备方法。通过真空中频感应熔炼炉制备出合金成分均匀的注锭，再通过单辊甩带法制备出厚度为20μm～25μm的合金薄带。将制备出的薄带材在真空热处理炉中，快速升温至400℃～480℃，保温30分钟～2小时，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选用FeSiB非晶带材；所述FeSiB非晶带材的典型成分为FexSiyBz，其中，x＝75％～80％，y＝12％～15％，z＝8％～10％；所述FeSiB非晶带材的单层厚度为20‑25μm；S2、对FeSiB非晶带材进行热处理，将热处理后的FeSiB非晶带材冷却至室温；所述热处理包括：将FeSiB非晶带材从室温升温至300℃～320℃，并保温20分钟～40分钟，升温速率为15℃/分钟～20℃/分钟；然后将FeSiB非晶带材从300℃～320℃升温至400℃～420℃，升温速率为15℃/分钟～20℃/分钟，并保温60分钟...

【技术特征摘要】
1.一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选用FeSiB非晶带材；所述FeSiB非晶带材的典型成分为FexSiyBz，其中，x＝75％～80％，y＝12％～15％，z＝8％～10％；所述FeSiB非晶带材的单层厚度为20-25μm；S2、对FeSiB非晶带材进行热处理，将热处理后的FeSiB非晶带材冷却至室温；所述热处理包括：将FeSiB非晶带材从室温升温至300℃～320℃，并保温20分钟～40分钟，升温速率为15℃/分钟～20℃/分钟；然后将FeSiB非晶带材从300℃～320℃升温至...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤凤林，蔡鹏，徐勇攀，李家洪，王磊，杨群坤，徐雨，
申请(专利权)人：信维通信江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32